低泄漏漏极编程ROM的制作方法

本申请涉及存储器，并且更具体地涉及一种具有漏极编程和低泄漏的只读存储器(rom)。背景技术：1、一种形式的掩模可编程只读存储器(rom)涉及对金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(诸如n型金属......

2024-07-31 28

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