低泄漏漏极编程ROM的制作方法

本申请涉及存储器，并且更具体地涉及一种具有漏极编程和低泄漏的只读存储器(rom)。

背景技术：

1、一种形式的掩模可编程只读存储器(rom)涉及对金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(诸如n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管)的源极连接部进行编程。此类rom具有有利的高密度，因为每个存储位仅使用一个nmos晶体管。但是泄漏可能不合期望地增加源极编程rom中的功耗。为了减少亚阈值泄漏，源极编程rom可使用厚栅氧化层(高阈值电压(vt))晶体管。尽管减少了亚阈值泄漏，但是源极编程rom中的高vt器件仍可遭受栅致漏极泄漏(gidl)。

技术实现思路

1、提供了一种只读存储器，该只读存储器包括：半导体基板，该半导体基板包括扩散区，该扩散区被配置为形成第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极；金属层，所述金属层邻近所述扩散区，所述金属层被配置为包括位线引线，所述位线引线跨所述扩散区延伸；第一漏极通孔，该第一漏极通孔位于该位线引线的上半部内，该第一漏极通孔被配置为从该位线引线的该上半部耦合到该第一晶体管的该漏极；和第二漏极通孔，该第二漏极通孔位于该位线引线的下半部内，该第二漏极通孔被配置为从该位线引线的该下半部耦合到该第二晶体管的该漏极。

2、此外，提供了一种只读存储器，该只读存储器包括：多个位单元，该多个位单元在位单元高度内布置成一行，该多个位单元中的每个位单元包括第一晶体管和第二晶体管；扩散区，该扩散区被配置为跨该行延伸，该扩散区被配置用于该多个位单元中的每个位单元，以形成该位单元的第一晶体管的漏极，并且形成该位单元的第二晶体管的漏极；和金属层，该金属层邻近该扩散区，该金属层被配置为包括位线引线，该位线引线跨该行延伸；其中该多个位单元的第一子集中的每个位单元被配置为包括：第一漏极通孔，该第一漏极通孔位于该位线引线的下半部上，并且从该位线引线的该下半部耦合到该位单元的第一晶体管的该漏极；和第二漏极通孔，该第二漏极通孔位于该位线引线的上半部上，并且从该位线引线的该上半部耦合到该位单元的第二晶体管的该漏极，并且其中该多个位单元的第二子集中的每个位单元被配置为将该位单元的第一晶体管的该漏极和该位单元的该漏极两者与该位线引线电隔离。

3、此外，提供了一种操作只读存储器的方法，该方法包括：断言耦合到第一晶体管的栅极的第一字线的电压，该第一晶体管与第二晶体管一起在位单元高度内布置成一行，以使该第一晶体管通过第一接地通孔将电荷从第一漏极通孔传导到地，该第一漏极通孔位于位线引线的上半部上，该第一接地通孔位于第一接地引线上，该第一接地引线具有与该位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线；以及断言耦合到该第二晶体管的栅极的第二字线的电压，以使该第二晶体管通过第二接地通孔将电荷从第二漏极通孔传导到地，该第二漏极通孔位于该位线引线的下半部上，该第二接地通孔位于第二接地引线上，该第二接地引线具有与该位单元高度的下边界基本对齐的中心纵向轴线。

4、最后，提供了一种只读存储器，该只读存储器包括：扩散区，该扩散区被配置为从位单元的第一侧延伸到该位单元的第二侧；第一虚拟栅极，该第一虚拟栅极与该位单元的该第一侧对齐；第二虚拟栅极，该第二虚拟栅极与该位单元的该第二侧对齐；第一晶体管的栅极，该栅极邻近该第一虚拟栅极，并且被配置为从该位单元的下边界跨该扩散区延伸到该位单元的上边界；第二晶体管的栅极，该栅极布置在该第一晶体管的该栅极与该第二虚拟栅极之间，其中该扩散区被进一步配置为形成该第一晶体管的漏极、该第一晶体管和该第二晶体管的共享源极和该第二晶体管的漏极，该漏极位于该第一虚拟栅极与该第一晶体管的该栅极之间，该共享源极位于该第一晶体管的该栅极与该第二晶体管的该栅极之间，该漏极位于该第二晶体管的该栅极与该第二虚拟栅极之间；金属层，该金属层邻近该扩散区，该金属层被配置为形成具有一定高度的位线引线，该金属层被进一步配置为形成第一接地引线，该第一接地引线具有与该位单元的该高度的该上边界基本对齐的中心纵向轴线；和第一通孔，该第一通孔位于该位线引线的该高度的第一半部上，并且耦合到该第一晶体管的该漏极，其中该第二晶体管的漏极与该位线引线隔离。

5、通过下面的具体实施方式，可更好地理解这些和其它有利特征。

技术特征：

1.一种只读存储器，所述只读存储器包括：

2.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第一位单元的宽度延伸，所述第一位单元具有从下位单元边界延伸的位单元高度，并且其中所述金属层被进一步配置为包括第一接地引线，所述第一接地引线具有与所述下位单元边界基本对齐的中心纵向轴线。

3.根据权利要求2所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为包括所述第一晶体管和所述第二晶体管的共享源极，所述只读存储器还包括：

4.根据权利要求3所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线，所述只读存储器还包括：

5.根据权利要求3所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：

6.根据权利要求5所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：

7.根据权利要求4所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第二位单元的宽度延伸，并且在所述第二位单元内包括第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极，并且其中所述第三晶体管的所述漏极和所述第四晶体管的所述漏极两者均与所述位线引线电隔离。

8.根据权利要求7所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第三位单元的宽度延伸，并且在所述第三位单元内包括第五晶体管的漏极和第六晶体管的漏极，所述只读存储器还包括：

9.根据权利要求8所述的只读存储器，其中，所述第六晶体管的所述漏极与所述位线引线电隔离。

10.根据权利要求8所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：

11.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区是n型掺杂的，并且其中每个第一晶体管和每个第二晶体管是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。

12.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区是p型掺杂的，并且其中每个第一晶体管和每个第二晶体管是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管。

13.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是厚栅氧化层晶体管。

14.一种只读存储器，所述只读存储器包括：

15.根据权利要求14所述的只读存储器，其中，所述多个位单元的第三子集中的每个位单元被配置为包括第一漏极通孔，所述第一漏极通孔位于所述位线引线的下半部上，并且从所述位线引线的所述下半部耦合到所述位单元的第一晶体管的所述漏极，并且其中所述位单元被配置为将所述位单元的第二晶体管的所述漏极与所述位线引线电隔离。

16.根据权利要求15所述的只读存储器，其中，所述多个位单元中的第四位单元被配置为包括第四通孔，所述第四通孔耦合在所述第四位单元的第二晶体管的所述漏极与所述位线引线的所述上半部之间，其中所述第四位单元的第一晶体管的所述漏极被配置为与所述位线引线隔离。

17.根据权利要求14所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第一接地引线，所述第一接地引线具有与所述位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线，并且其中所述多个位单元中的每个位单元包括第一接地通孔，所述第一接地通孔耦合在所述第一接地引线与所述位单元的第一晶体管和第二晶体管的共享源极之间。

18.根据权利要求17所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元高度的下边界基本对齐的中心纵向轴线，并且其中所述多个位单元中的每个位单元包括第二接地通孔，所述第二接地通孔耦合在所述第二接地引线与所述位单元的第一晶体管和第二晶体管的所述共享源极之间。

19.一种操作只读存储器的方法，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：

21.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括：

22.一种只读存储器，所述只读存储器包括：

23.根据权利要求22所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：

24.根据权利要求23所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为形成第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元的所述高度的所述下边界基本对齐的中心纵向轴线，所述只读存储器还包括：

技术总结一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中的位线引线跨该位单元的宽度延伸。第一通孔从该位线引线的上半部延伸，并且耦合到该第一晶体管的漏极。类似地，第二通孔从该位线的下半部延伸，并且耦合到该第二晶体管的漏极。技术研发人员：陈潇,C-J·谢,S·松,郑春明受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/31