本发明涉及半导体光电子,尤其涉及一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构,该二极管可工作于被动淬灭主动恢复模式。背景技术:0、技术背景1、目前,响应于1550nm通讯波段的ingaas单光子雪崩二极......