半导体封装方法及半导体封装结构与流程

技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：将待封装裸片和导电柱固定于载板上，所述待封装裸片的正面面向所述载板，所述待封装裸片的正面设置有焊垫，所述待封装裸片的背面设置有电感元件，所述电感元件包括第一电连接点，所述第一电连接点位于所述电感元件远离所述待封装裸片的一侧，所述导电柱位于所述待封装裸片的周侧；所述导电柱包括第一端与第二端，所述第一端位于所述导电柱靠近所述电感元件的一端，所述第二端位于所述导电柱远离所述电感元件的一端；在所述载板上形成塑封层，所述塑封层包裹住所述待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述电感元件的第一电连接点以及所述导电柱的第一端的表面分别从所述塑封层中露出；在所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，所述第一导电迹线连接所述电感元件的第一电连接点与所述导电柱的第一端；去除所述载板；在所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线，所述第二导电迹线连接所述待封装裸片的焊垫与所述导电柱的第二端。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：通过电镀工艺在硅片的背面形成第一金属层；通过刻蚀工艺对所述第一金属层进行刻蚀，得到所述电感元件；分割所述硅片，得到所述待封装裸片，或者，所述将待封装裸片和导电柱固定于载板上之前，还包括：通过溅射工艺在所述硅片的背面形成种子层；通过电镀工艺在所述种子层上形成第一金属层；通过刻蚀工艺对所述第一金属层与所述种子层进行刻蚀，得到所述电感元件；分割所述硅片，得到所述待封装裸片；其中，所述种子层包括第一种子层与第二种子层，所述第一种子层位于所述硅片上，所述第二种子层位于所述第一种子层上，所述第一种子层的材料为钛，所述第二种子层的材料为铜；或者，所述种子层包括第二种子层，所述第二种子层的材料为铜。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述待封装裸片的正面还形成有保护层；所述保护层远离所述电感元件的表面与所述电感元件远离所述保护层的表面之间的距离小于所述导电柱的高度。4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电柱为预成型的；或者，在所述载板上形成第二金属层；通过刻蚀工艺对所述第二金属层进行刻蚀，得到所述导电柱。5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述载板上形成塑封层，包括：在所述载板上形成包封层，所述包封层包裹住所述待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述包封层的厚度大于所述导电柱的高度；对所述包封层进行减薄，得到所述塑封层，使得所述导电柱的第一端露出所述塑封层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述塑封层上包括第一开口，以暴露所述电感元件的第一电连接点；通过激光开孔工艺在所述塑封层上形成所述第一开口。7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，包括：在所述第一开口中填充第一导电介质形成第一导电填充接口，并在所述塑封层上形成第一导电层；所述第一导电填充接口与所述电感元件的第一电连接点电连接，所述第一导电层与所述第一导电填充接口电连接；对所述第一导电层进行图案化，得到所述第一导电迹线；其中，所述第一导电填充接口与所述第一导电层在同一工艺步骤中形成。8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线之后，还包括：在所述第一导电迹线上形成第一介电层，所述第一介电层包覆所述第一导电迹线。9.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：在所述保护层上形成第二开口，以暴露所述待封装裸片的焊垫；所述在所述保护层上形成第二开口的步骤位于所述去除所述载板的步骤之后，或者，位于所述在所述待封装裸片的正面形成保护层的步骤之后，且位于所述将待封装裸片和导电柱固定于载板上的步骤之前；当所述保护层的材料为激光反应型材料时，通过激光开孔工艺在所述保护层上形成所述第二开口；当所述保护层的材料为感光材料时，通过光刻工艺在所述保护层上形成所述第二开口。10.根据权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线，包括：在所述第二开口中填充第二导电介质形成第二导电填充接口，并在所述塑封层与所述保护层上形成第二导电层；所述第二导电填充接口与所述待封装裸片的焊垫电连接，所述第二导电层与所述第二导电填充接口电连接；对所述第二导电层进行图案化，得到所述第二导电迹线；其中，所述第二导电填充接口与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成。11.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二导电迹线包括第二电连接点，所述第二电连接点位于所述第二导电迹线远离所述待封装裸片的一侧；所述在所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线之后，还包括：在所述第二导电迹线的第二电连接点上形成导电凸柱；在所述第二导电迹线与所述导电凸柱上形成第二介电层，得到塑封体，所述第二介电层包裹住所述第二导电迹线与所述导电凸柱，所述导电凸柱远离所述待封装裸片的表面从所述第二介电层中露出；对所述塑封体进行切割，得到半导体封装结构，所述半导体封装结构包括所述待封装裸片、所述电感元件、所述导电柱、所述塑封层、所述第一导电迹线与所述第二导电迹线；或者，
所述在所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的一侧形成第二导电迹线之后，还包括：在所述第二导电迹线的第二电连接点上形成导电凸柱；在所述第二导电迹线与所述导电凸柱上形成第二介电层，得到塑封体，所述第二介电层包裹住所述第二导电迹线与所述导电凸柱，所述导电凸柱远离所述待封装裸片的表面从所述第二介电层中露出；在露出的所述导电凸柱的表面上形成表面处理层；对所述塑封体进行切割，得到半导体封装结构，所述半导体封装结构包括所述待封装裸片、所述电感元件、所述导电柱、所述塑封层、所述第一导电迹线与所述第二导电迹线。12.一种半导体封装结构，其特征在于，采用权利要求1至11任一项所述的半导体封装方法制备，所述半导体封装结构，包括：待封装裸片，所述待封装裸片的正面设置有焊垫；电感元件，位于所述待封装裸片的背面；所述电感元件包括第一电连接点，所述第一电连接点位于所述电感元件远离所述待封装裸片的一侧；导电柱，位于所述待封装裸片的周侧；所述导电柱包括第一端与第二端，所述第一端位于所述导电柱靠近所述电感元件的一端，所述第二端位于所述导电柱远离所述电感元件的一端；塑封层，包裹住所述待封装裸片、所述电感元件和所述导电柱，所述电感元件的第一电连接点、所述导电柱的第一端的表面以及所述导电柱的第二端的表面分别从所述塑封层中露出；第一导电迹线，位于所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的一侧，并连接所述电感元件的第一电连接点与所述导电柱的第一端；第二导电迹线，位于所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的一侧，并连接所述待封装裸片的焊垫与所述导电柱的第二端。

技术总结
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装方法包括：将待封装裸片和导电柱固定于载板上，待封装裸片的正面面向载板，待封装裸片的正面设有焊垫，待封装裸片的背面设有电感元件，电感元件的第一电连接点位于电感元件远离待封装裸片的一侧；在载板上形成塑封层，塑封层包裹待封装裸片、电感元件和导电柱，第一电连接点与导电柱的第一端从塑封层露出；在塑封层靠近待封装裸片的背面的一侧形成第一导电迹线，第一导电迹线连接第一电连接点与导电柱的第一端；去除载板；在塑封层靠近待封装裸片正面的一侧形成第二导电迹线，第二导电迹线连接焊垫与导电柱的第二端。本申请实施例中，半导体封装结构的体积小。小。小。


技术研发人员：周辉星
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2020.07.13
技术公布日：2022/1/14