电阻随机存取存储器器件的制作方法

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：第一电极；电介质帽，其位于所述第一电极上方；第二电极，其与所述第一电极横向邻近，其中，所述第二电极的上表面与所述电介质帽的上表面基本上共面；以及电阻层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；其中，所述第一电极的边缘至少通过所述电阻层电耦合到所述第二电极的边缘。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电阻层包括导电路径，所述导电路径被配置为响应于电信号的变化而在所述第一电极的边缘与所述第二电极的边缘之间形成。3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电阻层与所述第二电极的侧壁和下表面共形。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述第二电极的下表面位于所述第一电极的上表面与下表面之间。5.根据权利要求3所述的器件，其中，所述第二电极的下表面与所述第一电极的上表面基本上共面。6.根据权利要求1所述的器件，还包括：位于所述第一电极与所述第二电极之间的氧清除层，其中，所述氧清除层设置在所述电阻层上并且包括与所述电阻层不同的材料。7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述氧清除层被配置为响应于所述电信号而引起离子从所述电阻层朝向所述氧清除层的移动。8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述第一电极被构造为活性电极，所述第二电极被构造为惰性电极，并且其中，所述氧清除层接触所述活性电极。9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述第一电极被构造为惰性电极，所述第二电极被构造为活性电极，并且其中，所述氧清除层接触所述活性电极。10.根据权利要求7所述的器件，其中，所述氧清除层包括钽、钛、钨、氧化铪或氧化铝(al2o3)。11.一种存储器器件，包括：第一电极；电介质帽，其位于所述第一电极上方；第二电极，其与所述第一电极横向邻近，其中，所述第二电极的上表面与所述电介质帽的上表面基本上共面；电阻层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及氧清除层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述氧清除层设置在所述电阻层上并且包括与所述电阻层不同的材料；其中，所述第一电极的边缘通过所述电阻层和所述氧清除层电耦合到所述第二电极的边缘。12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述电阻层和所述氧清除层与所述第二电极的侧壁和下表面共形。13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述第二电极的下表面位于所述第一电极的上表面与下表面之间。
14.根据权利要求12所述的器件，其中，所述第二电极的下表面与所述第一电极的上表面基本上共面。15.根据权利要求12所述的器件，其中，位于所述第一电极上方的所述电介质帽是第一电介质帽，并且所述器件还包括：第三电极，其与所述第二电极横向邻近，其中，所述第二电极布置在所述第一电极与所述第三电极之间；以及第二电介质帽，其位于所述第三电极上方，其中，所述第二电介质帽的上表面与所述第二电极的上表面基本上共面。16.根据权利要求15所述的器件，其中，所述电阻层和所述氧清除层延伸至位于所述第三电极与所述第二电极之间。17.根据权利要求16所述的器件，还包括：位线，其布置在所述第二电极上方并连接到所述第二电极；第一源极线，其布置在所述第一电极下方并连接到所述第一电极；以及第二源极线，其布置在所述第三电极下方并连接到所述第三电极，其中，所述第一源极线基本平行于所述第二源极线，并且所述第二电极布置在所述第一源极线和所述第二源极线之间。18.根据权利要求17所述的器件，其中，所述位线跨越所述第一源极线和所述第二源极线。19.一种形成存储器器件的方法，包括：在电介质区域中形成第一电极和电介质帽，其中，所述电介质帽形成在所述第一电极上；在所述电介质区域中限定的开口中形成电阻层；以及在所述电介质区域中形成第二电极，所述第二电极被形成为与所述第一电极和所述电介质帽横向邻近，其中，所述电阻层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述第二电极的上表面与所述电介质帽的上表面基本上共面。20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述第一电极和所述电介质帽包括图案化所述电介质区域以限定开口，并将所述第一电极和所述电介质帽沉积在所述开口中。

技术总结
本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：第一电极；电介质帽，其位于第一电极上方；第二电极，其与第一电极横向邻近，其中，第二电极的上表面与电介质帽的上表面基本上共面；以及电阻层，其位于第一电极与第二电极之间。第一电极的边缘至少通过电阻层电耦合到第二电极的边缘。二电极的边缘。二电极的边缘。


技术研发人员：黎佳俊 卓荣发 陈学深
受保护的技术使用者：格芯新加坡私人有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2022/2/23