半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构；所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：包覆于所述栅极结构侧面的第二绝缘层；所述第二绝缘层包括：第一部分，包覆于所述半导体层侧面；第二部分，包覆于所述阻挡层侧面和所述金属层侧面；其中，所述第一部分的外侧边缘与所述半导体层的底部边缘的最大横向距离，不小于所述第二部分的外侧边缘与所述半导体层的底部边缘的最大横向距离。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的外侧边缘与所述半导体层的底部边缘的最大横向距离，不小于所述第一绝缘层的外侧边缘与所述半导体层的底部边缘的最大横向距离。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层的上表面的尺寸不小于所述半导体层的下表面的尺寸，所述第一绝缘层的上表面完全覆盖所述半导体层的下表面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的下表面的尺寸不小于所述半导体层的上表面尺寸，且所述阻挡层的下表面完全覆盖所述半导体层的上表面。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的上表面的尺寸大于所述阻挡层的下表面的尺寸。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的上表面的尺寸不小于所述半导体层的下表面的尺寸。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的下表面的尺寸不大于所述阻挡层的上表面的尺寸，且所述阻挡层的上表面完全覆盖所述金属层的下表面。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的上表面的尺寸不大于所述金属层的下表面的尺寸。11.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：设置于所述衬底上表面内且分别位于所述第一绝缘层两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均不覆盖所述第一掺杂区和所述第二掺杂区。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构还包括：位于所述金属层上方的第三绝缘层。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第三绝缘层的下表面的尺寸不大于所述金属层的上表面的尺寸，且所述金属层的上表面完全覆盖所述第三绝缘层的下
表面。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述第三绝缘层的上表面的尺寸不大于所述第三绝缘层的下表面的尺寸。

技术总结
本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。本申请中至少通过金属层来覆盖(遮挡住)坡度角不受控制的半导体层，使得栅结构的边缘尺寸主要由坡度角易受控制且刻蚀坡度角较大的金属层决定，即使半导体层的坡度角不受控制，也不会影响后续在两侧形成的掺杂区的形貌和位置，大大减少了掺杂区的形貌和位置不受控制导致的短路问题。受控制导致的短路问题。受控制导致的短路问题。


技术研发人员：李宝玉 詹益旺 陈凡 陈云 郭鹏
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/4/6