一种真空蒸镀机的坩埚系统的制作方法

1.本实用新型涉及真空蒸镀机技术领域，更具体地，涉及一种真空蒸镀机的坩埚系统。


背景技术：

2.真空蒸镀机为在真空条件下，通过电流加热、电子束轰击加热和离子源轰击等方式，蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，再使气化后的粒子飞至基片表面而凝结，最后形成薄膜。真空蒸镀具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点，因此得到广泛的应用。
3.在真空蒸镀的加工工艺中，在真空条件下采用坩埚气化镀膜材料，坩埚包括：蒸镀腔室、设置在蒸镀腔室内的蒸镀源(source)，加热蒸镀源使蒸镀源蒸内的蒸镀材料经过加热发生汽化，以扇形的结构向上蒸发，坩埚上方具有用来承载被镀膜工件的伞状结构的镀锅，镀锅上固定有被镀膜工件，因此使得蒸镀材料分子沉积到被镀膜工件上形成镀膜。在现有技术中，电子枪通过磁场转向之后打入坩埚内的光斑为月牙形，光斑为电子束打出的能量形成的能量环，若膜料为光学膜料或非金属膜料，由于光学膜料或非金属膜料的熔点低，光斑处容易形成深坑，甚至损坏坩埚。并且，现有技术的x线圈设置在坩埚装置的前下方，两个y线圈分别设置在坩埚装置的两侧，x线圈与一个类型的坩埚匹配，不同的坩埚类型匹配不同的x线圈，通用性差。
4.有鉴于此，本实用新型提供一种真空蒸镀机的坩埚系统，适用于各种类型的坩埚，并且能适用于非金属膜料。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于，提供一种真空蒸镀机的坩埚系统，适用于各种类型的坩埚，并且能适用于非金属膜料。
6.本技术的真空蒸镀机的坩埚系统，电子枪结构和坩埚结构是两个独立的结构，一个电子枪结构适用于各种类型坩埚结构，通用性强；更重要的是，电子枪的结构设计，磁场环抱的磁场强度强且调整余量大，因此，打入坩埚内的光斑为点形或圆形，并且圆形的大小可调，能够蒸镀熔点低的光学膜料或非金属材料。本技术人在此基础上完成了本技术。
7.一种真空蒸镀机的坩埚系统，所述坩埚系统包括电子枪结构1和坩埚结构2，电子枪结构1设置在坩埚结构2的前方，电子枪结构1发出电子束轰击加热坩埚结构2的坩埚21内的膜料；所述电子枪结构1包括支座11、灯丝12、高压头13、一体式线圈14和磁极15，所述支座11具有一个从上向下的凹陷部111，灯丝12和高压头13设置在凹陷部111内，高压头13设置在灯丝12的下方，高压头13对灯丝12进行高压放电，一体式线圈14设置在灯丝12的前方，磁极15设置在支座11的两侧和后方，一体式线圈14由一个水平横向设置的x线圈141和两个水平纵向设置的y线圈142组成，x线圈141设置在前方，两个y线圈142分别与x线圈141的两端连接并且位于x线圈141的后方，所述一体式线圈14和磁极15用于使得打入坩埚21内的光
斑为点形或圆形。
8.在一些实施方式中，所述一体式线圈14通电后，在磁极15的作用下以磁场环抱的方式使得打入坩埚21内的光斑为点形或圆形，通过调整两个y线圈142的电流大小调整光斑的大小。
9.进一步的，调整在x线圈141的左侧的y线圈142的电流增大、并且调整在x线圈141的右侧的y线圈142的电流减小，光斑向左移动；同理，调整在x线圈141的左侧的y线圈142的电流减小、并且调整在x线圈141的右侧的y线圈142的电流增大，光斑向右移动。
10.在一些实施方式中，所述支座11的上部向前凸出于支座11的中部，支座11的上部和中部为梯形，支座11的下部为底座，支座11下部的尺寸大于支座11中部的尺寸，所述凹陷部111贯穿支座11的上部的中部，并且贯穿支座11的中部的前部，高压头13的下表面与凹陷部111的底面固定，灯丝12安装在高压头13的上端，灯丝12位于支座11的上部的凹陷部111内。
11.进一步的，在支座11的上部，凹陷部111的前方及两侧方的支座11为中空部分112，所述中空部分112用于容纳设置一体式线圈14；所述凹陷部111的前方的中空部分112容纳设置x线圈141，凹陷部111的两侧方的中空部分112容纳设置y线圈142，两个y线圈142分别与x线圈141的两端固定，x线圈141的右端还与电线连接。
12.进一步的，所述支座11的内部具有流道113，流道113用于水或冷却液在流道113中流动冷却，支座11的下部的两侧设置有流道113的入口和出口，流道113包括在支座11的下部内水平横向设置的支道、在支座11的中部内垂直设置的支道和在支座11的上部的中空部分112的下方设置的支道。
13.进一步的，所述支座11的下部的上表面固定有两个支撑柱16，两个支撑柱16用于将电子枪结构1与坩埚结构2固定。
14.在一些实施方式中，所述磁极15由设置在支座11左侧的第一磁极151、设置在支座11右侧的第二磁极152和设置在支座11的后方的磁板153组成，第一磁极151和第二磁极152的结构相同。进一步的，所述第一磁极151由倒l形上部、中部和下部组成，第一磁极151的倒l形上部的下表面与支座11的上表面持平，第一磁极151的中部和下部为薄板状，第一磁极151的中部与支座11的上部的高度相同，第一磁极151的的下部与支座11的中部的宽度和高度相同；第二磁极152由倒l形上部、中部和下部组成，第二磁极152的倒l形上部的下表面与支座11的上表面持平，第二磁极152的中部和下部为薄板状，第二磁极152的中部与支座11的上部的高度相同，第二磁极152的的下部与支座11的中部的宽度和高度相同。
15.在一些实施方式中，所述坩埚结构2与真空蒸镀机的主腔体的底板固定，所述坩埚结构2包括一个或多个坩埚21，坩埚21为碗状凹陷的形状。
16.进一步的，所述坩埚21有多个，则所述坩埚结构2能够旋转。
附图说明
17.图1为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的结构示意图。
18.图2为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的电子枪结构的结构示意图。
19.图3为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的灯丝、高压头、一体式线圈和去除前盖的支座的结构示意图。
20.图4为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的灯丝、高压头和去除前盖的支座的结构示意图。
21.图5为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的一体式线圈的结构示意图。
22.图6为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的磁极的结构示意图。
23.图7为本技术实施例1的真空蒸镀机的坩埚系统的支座的结构示意图。
24.主要元件符号说明：
25.电子枪结构1、坩埚结构2、支座11、灯丝12、高压头13、一体式线圈14、磁极15、支撑柱16、凹陷部111、中空部分112、流道113、x线圈141、y线圈142、第一磁极151、第二磁极152、磁板153、坩埚21。
具体实施方式
26.描述以下实施例以辅助对本技术的理解，实施例不是也不应当以任何方式解释为限制本技术的保护范围。
27.在以下描述中，本领域的技术人员将认识到，在本论述的全文中，组件可描述为单独的功能单元(可包括子单元)，但是本领域的技术人员将认识到，各种组件或其部分可划分成单独组件，或者可整合在一起(包括整合在单个的系统或组件内)。同时，组件或系统之间的连接并不旨在限于直接连接。相反，在这些组件之间的数据可由中间组件修改、重格式化、或以其它方式改变。另外，可使用另外或更少的连接。还应注意，术语“联接”、“连接”、或“输入”“固定”应理解为包括直接连接、通过一个或多个中间媒介来进行的间接的连接或固定。
28.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“侧面”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时或惯常认知的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
29.实施例1：
30.一种真空蒸镀机的坩埚系统，如图1-图7所示，所述坩埚系统包括电子枪结构1和坩埚结构2，电子枪结构1设置在坩埚结构2的前方，电子枪结构1发出电子束轰击加热坩埚结构2的坩埚21内的膜料；所述电子枪结构1包括支座11、灯丝12、高压头13、一体式线圈14和磁极15，所述支座11具有一个从上向下的凹陷部111，灯丝12和高压头13设置在凹陷部111内，高压头13设置在灯丝12的下方，高压头13对灯丝12进行高压放电，一体式线圈14设置在灯丝12的前方，磁极15设置在支座11的两侧和后方，一体式线圈14由一个水平横向设置的x线圈141和两个水平纵向设置的y线圈142组成，x线圈141设置在前方，两个y线圈142分别与x线圈141的两端连接并且位于x线圈141的后方，所述一体式线圈14和磁极15用于使得打入坩埚21内的光斑为点形或圆形。
31.所述一体式线圈14通电后，在磁极15的作用下以磁场环抱的方式使得打入坩埚21内的光斑为点形或圆形，通过调整两个y线圈142的电流大小调整光斑的大小。调整在x线圈
141的左侧的y线圈142的电流增大、并且调整在x线圈141的右侧的y线圈142的电流减小，光斑向左移动；同理，调整在x线圈141的左侧的y线圈142的电流减小、并且调整在x线圈141的右侧的y线圈142的电流增大，光斑向右移动。所述支座11的上部向前凸出于支座11的中部，支座11的上部和中部为梯形，支座11的下部为底座，支座11下部的尺寸大于支座11中部的尺寸，所述凹陷部111贯穿支座11的上部的中部，并且贯穿支座11的中部的前部，高压头13的下表面与凹陷部111的底面固定，灯丝12安装在高压头13的上端，灯丝12位于支座11的上部的凹陷部111内。在支座11的上部，凹陷部111的前方及两侧方的支座11为中空部分112，所述中空部分112用于容纳设置一体式线圈14；所述凹陷部111的前方的中空部分112容纳设置x线圈141，凹陷部111的两侧方的中空部分112容纳设置y线圈142，两个y线圈142分别与x线圈141的两端固定，x线圈141的右端还与电线连接。所述支座11的内部具有流道113，流道113用于水或冷却液在流道113中流动冷却，支座11的下部的两侧设置有流道113的入口和出口，流道113包括在支座11的下部内水平横向设置的支道、在支座11的中部内垂直设置的支道和在支座11的上部的中空部分112的下方设置的支道。所述支座11的下部的上表面固定有两个支撑柱16，两个支撑柱16用于将电子枪结构1与坩埚结构2固定。
32.所述磁极15由设置在支座11左侧的第一磁极151、设置在支座11右侧的第二磁极152和设置在支座11的后方的磁板153组成，第一磁极151和第二磁极152的结构相同。所述第一磁极151由倒l形上部、中部和下部组成，第一磁极151的倒l形上部的下表面与支座11的上表面持平，第一磁极151的中部和下部为薄板状，第一磁极151的中部与支座11的上部的高度相同，第一磁极151的的下部与支座11的中部的宽度和高度相同；第二磁极152由倒l形上部、中部和下部组成，第二磁极152的倒l形上部的下表面与支座11的上表面持平，第二磁极152的中部和下部为薄板状，第二磁极152的中部与支座11的上部的高度相同，第二磁极152的的下部与支座11的中部的宽度和高度相同。所述坩埚结构2与真空蒸镀机的主腔体的底板固定，所述坩埚结构2包括4个坩埚21，坩埚21为碗状凹陷的形状，所述坩埚结构2能够旋转。
33.尽管本技术已公开了多个方面和实施方式，但是其它方面和实施方式对本领域技术人员而言将是显而易见的，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。本技术公开的多个方面和实施方式仅用于举例说明，其并非旨在限制本技术，本技术的实际保护范围以权利要求为准。