镀银导线的制作方法与流程

技术特征：
1.一种镀银导线的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：通过使用至少一种等离子体刻蚀离子源对导线线芯的表面进行微观刻蚀；通过磁控溅射沉积方法沉积至少一种第一材料，以在完成所述微观刻蚀的线芯表面形成原子过渡层；通过等离子体气相沉积方法沉积银材料，以在所述原子过渡层表面形成镀银导电层；通过等离子体气相沉积方法沉积至少一种第二材料，以在所述镀银导电层表面形成纳米绝缘层；以及通过在真空条件下连续涂覆至少一种第三材料，以在完成沉积所述纳米绝缘层的单根导线表面或多根完成沉积所述纳米绝缘层并进行加捻合股后的导线表面形成保护层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制作导线的所述导线线芯由导体材料或非导体材料制成；其中，所述的导体材料为铜、铝、镍、钛和钨中的至少一种；所述的非导体材料为石英、碳纤维、玄武岩纤维、玻璃纤维和化学长丝纤维中的至少一种。3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的导线线芯由单根或多根线材组成、或由单根或多根带材组成；其中，所述线材的线径为4um至500um,所述带材的厚度为5um至250um、宽度1mm至10mm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的至少一种等离子体刻蚀离子源包括氩、氟、氯和氧中的至少一种等离子体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微观刻蚀的刻蚀深度为10nm至50nm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述至少一种第一材料包括通过磁控溅射方法沉积镍、铬、钼、钨和铜中的至少一种，形成的所述原子过渡层的厚度为1nm至5μm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过等离子体气相沉积方法沉积所述银材料，以在所述原子过渡层表面形成厚度为10nm至5μm的所述镀银导电层。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述至少一种第二材料包括用等离子体气相沉积方法沉积金属氧化物、金属氮化物和金属碳化物中的至少一种；其中，所述的金属氧化物包括氧化硅、氧化铝和氧化锆中的至少一种，所述的金属氮化物包括氮化铝、氮化硅和氮化钛中的至少一种，以及所述的金属碳化物包括碳化钛、碳化硅、碳化锆中的至少一种。9.根据权利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述的纳米绝缘层包括至少一层绝缘膜，单层所述绝缘膜的厚度为1nm至50nm，所述纳米绝缘层的总膜层数为2至20层。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在真空条件下连续涂覆所述的至少一种第三材料包括连续涂覆氟塑料、硅橡胶、尼龙、聚氯乙烯和uv胶中至少一种。

技术总结
本发明公开一种镀银导线的制作方法，包括在线芯表面使用等离子体对其表面进行微观刻蚀和生长原子过渡层，进一步在真空环境下使用等离子体气相沉积方法制作镀银导电层及纳米绝缘层，并在真空条件下制作多线加捻合股或单线连续涂覆形成高致密度的保护层的镀银导线。本发明可替代传统电镀银线的制作方法，可实现一步法完成，极大地缩短工艺流程，是一种洁净环保无污染的更适用于制作柔性功能性导线的方法。方法。方法。


技术研发人员：兰育辉 章兰乔 丛波
受保护的技术使用者：上海乔辉新材料科技有限公司
技术研发日：2021.01.11
技术公布日：2022/7/14