P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管的制作方法

技术特征：
1.一种p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层、以及设置在所述缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、n型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述n型欧姆接触层与所述异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的p型半导体层，漏电极制备在所述p型半导体层与所述n型欧姆接触层的接触面。2.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源极金属结构层与所述异质结结构层之间n型欧姆接触，所述栅极金属结构层与所述异质结结构层之间是欧姆接触或肖特基接触。3.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述栅极金属结构层和所述异质结结构层之间还设置有栅极p型层，所述栅极p型层是全p型结构层、n-p型结构层、p-n型结构层、p-n-p-n结构、n-p-n-p结构、超晶格结构、或绝缘层结构。4.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述p型半导体层与所述n型欧姆接触层之间还设置有p型欧姆接触层。5.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述p型半导体层是全p型结构层、n-p型结构层、p-n-p型结构层、p-n-p-n结构层或者超晶格结构层。6.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述p型半导体层覆盖所述异质结结构层，所述p型半导体结构层之间形成若干凹槽，所述p型半导体层与所述n型欧姆接触层之间形成欧姆接触或者肖特基接触，在所述凹槽区域所述n型欧姆接触层与所述异质结结构层之间形成欧姆接触。7.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述异质结结构层表面形成若干凸起部，在所述凸起部设置有所述p型半导体层，所述p型半导体层与所述n型欧姆接触层之间形成欧姆接触或者肖特基接触，在所述凸起部之间所述n型欧姆接触层与所述异质结结构层之间形成欧姆接触。8.根据权利要求4所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述p型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述n型欧姆接触层和/或所述p型欧姆接触层沿着长度方向设置在所述独立几何形状区域；或者，所述p型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述n型欧姆接触层和/或所述p型欧姆接触层覆盖在所述独立几何形状区域上。9.根据权利要求4所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述p型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，所述n型欧姆接触层和/或所述p型欧姆接触层沿着长度方向一侧部分覆盖在所述独立几何形状区域上；或者，所述p型半导体层包括多个依次排列的独立几何形状区域，多个所述n型欧姆接触层和/或所述p型欧姆接触层依次部分覆盖在所述独立几何形状区域上。10.根据权利要求1所述的p型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述异质结结构层、所述源极金属结构层、所述栅极金属结构层、所述n型欧姆接触层上覆盖设置有钝化绝缘层，在所述钝化绝缘层上对应所述源电极、栅电极、漏电极开设电极窗口。

技术总结
本发明公开了一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层，以及设置在缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层，N型欧姆接触层与异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的P型半导体层，漏电极制备在P型半导体层与N型欧姆接触层的接触面。本申请通过漏电极的图案化P型半导体区域与N型欧姆接触层之间形成P型混合欧姆接触，在漏点极加入P型半导体区域注入空穴，降低氮化镓晶体管的动态导通电阻。阻。阻。


技术研发人员：刘丹
受保护的技术使用者：晶通半导体（深圳）有限公司
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2022/7/29