半导体结构、光子器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，包括：波导，具有输入区域和输出区域，其中所述输入区域配置成接收光，其中所述波导包括：下部掺杂结构，包括第一掺杂类型；以及多个掺杂柱结构，设置于所述下部掺杂结构内，其中所述掺杂柱结构包括与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型，且其中所述掺杂柱结构从所述下部掺杂结构的顶部表面延伸到所述下部掺杂结构的所述顶部表面下方的点。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述波导进一步包括：上部掺杂体结构，上覆于所述下部掺杂结构，其中所述上部掺杂体结构包括所述第二掺杂类型。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述多个掺杂柱结构接触所述上部掺杂体结构的底部表面。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述上部掺杂体结构的相对侧壁与所述下部掺杂结构的外部侧壁对准。5.一种光子器件，包括：输入端，配置成接收入射光；第一波导，具有耦合到所述输入端的第一输入区域，其中所述第一波导包括第一调制区域；第二波导，具有耦合到所述输入端的第二输入区域，其中所述第二波导包括第二调制区域，其中所述第一波导和所述第二波导分别包括在所述第一调制区域和所述第二调制区域中的上部掺杂结构和下部掺杂结构；以及其中所述上部掺杂结构包括延伸到所述下部掺杂结构中的多个掺杂柱结构，其中所述下部掺杂结构在pn结处邻接所述多个掺杂柱结构。6.根据权利要求5所述的光子器件，进一步包括：输出端，配置成提供出射光，其中所述输出端耦合到所述第一波导的第一输出区域和所述第二波导的第二输出区域。7.根据权利要求6所述的光子器件，其中所述上部掺杂结构和所述多个掺杂柱结构横向设置在所述输入端与所述输出端之间。8.根据权利要求5所述的光子器件，其中当从上方观察时，所述第一调制区域内的所述掺杂柱结构的形状与所述第二调制区域内的所述掺杂柱结构的形状不同。9.一种用于形成光子器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成包括第一掺杂类型的器件层；在所述器件层内形成多个掺杂柱结构，其中所述多个掺杂柱结构包括与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型；在所述多个掺杂柱结构上方形成上部掺杂体结构，其中所述上部掺杂体结构包括所述第二掺杂类型；以及图案化所述器件层以在所述上部掺杂体结构之下形成下部掺杂结构，其中所述多个掺杂柱结构设置于所述下部掺杂结构内。10.根据权利要求9所述的用于形成光子器件的方法，其中形成所述多个掺杂柱结构包
括：在所述器件层上方形成掩模层；根据所述掩模层刻蚀所述器件层，由此在所述器件层内形成多个开口；以及在所述器件层上方和所述开口内沉积多晶硅层。

技术总结
本公开的各种实施例涉及一种包括波导的半导体结构。波导具有输入区域和输出区域。输入区域配置成接收光。波导包括含有第一掺杂类型的下部掺杂结构和设置于下部掺杂结构内的多个掺杂柱结构。掺杂柱结构包括与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型。掺杂柱结构从下部掺杂结构的顶部表面延伸到下部掺杂结构的顶部表面下方的点。面下方的点。面下方的点。


技术研发人员：黄渊圣
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.10.12
技术公布日：2022/8/29