半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具有：半导体芯片，在一方的面具有第1主电极，在另一方的面具有第2主电极以及栅电极；第1电极，经由第1接合材料而与所述半导体芯片的所述一方的面连接；以及第2电极，经由第2接合材料而与所述半导体芯片的所述另一方的面连接，其中，所述第1电极是板状的电极，在与所述半导体芯片重叠的区域中具有槽，所述槽具有在所述第1电极的厚度方向上贯通的结构，并且是在俯视观察时到达至所述第1电极的端部的形状。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽的宽度比所述第1接合材料的厚度宽。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽设置于与所述第2电极重叠的位置。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在将从所述第2电极中的与所述半导体芯片的连接面的端部至所述半导体芯片的端部为止的距离设为w、将从所述第2电极中的与所述半导体芯片的所述连接面的所述端部至所述槽的中心线为止的距离设为j、并将j/w定义为x时，所述槽的所述中心线的位置满足下述式(1)，－1.2<x<0.3
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(1)。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1接合材料以及所述第2接合材料是以sn为主成分的焊料。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极的端部相比于所述半导体芯片的端部而处于内侧，所述第1电极的所述端部相比于所述半导体芯片的所述端部而处于外侧。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极的端部相比于所述半导体芯片的端部而处于内侧，所述第1电极的所述端部相比于所述半导体芯片的所述端部而处于内侧。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽具有以与所述槽连通的方式设置且从所述槽分支的槽。

技术总结
提供一种半导体装置，降低在半导体元件中发生的应力，并且抑制热电阻的增加，可靠性高。半导体装置具有：半导体芯片，在一方的面具有第1主电极，在另一方的面具有第2主电极以及栅电极；第1电极，经由第1接合材料而与半导体芯片的一方的面连接；以及第2电极，经由第2接合材料而与半导体芯片的另一方的面连接，其中，第1电极是板状的电极，在与半导体芯片重叠的区域中具有槽，槽具有在第1电极的厚度方向上贯通的结构，并且是在俯视观察时到达至第1电极的端部的形状。极的端部的形状。极的端部的形状。


技术研发人员：武田直己 谷江尚史 芦田喜章 春別府佑 恩田智弘 中村真人
受保护的技术使用者：株式会社日立功率半导体
技术研发日：2022.07.28
技术公布日：2023/3/10