半片电池的制备设备的制作方法

本技术涉及光伏电池，尤其是涉及一种半片电池的制备设备。

背景技术：

1、太阳能电池是利用半导体材料的pn结分离电子和空穴，并通过电极导出的装置。印刷为最常用的金属电极制作方法。常规太阳电池使用准方硅片，最终的成品电池也为准方。而在组件端将准方电池划为半片或多片小电池，以减小组件发热导致的功率损失。

2、另外，随着太阳能产业的发展，降本为所有太阳能企业必须面临的问题，硅片的大尺寸化和薄片化成为近年行业发展的趋势。

3、电池划半或多片小电池将增加切割损失，尤其不利于高voc的高效电池，而且大尺寸薄片电池变形量大，易碎片和镀膜均匀性下降带来良率和效率的下降。将大尺寸硅片切半后进行电池工艺流程可以减少组件划片工序，且不存在功率损失，同时半片硅片变形量大大下降。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出了一种半片电池的制备设备，所述半片电池的制备设备具有良品率高、成本低的优势。

2、根据本实用新型实施例的半片电池的制备设备，包括：工作台，所述工作台包括拍照台面、印刷台面、出板台面、预留台面，所述拍照台面上适于收纳两片半片硅片，两片所述半片硅片为切割成型的半片硅片；上料机构，所述上料机构设于所述拍照台面处，以将所述半片硅片运送至所述拍照台面；拍照设备，所述拍照设备设于所述拍照台面处，以确定所述半片硅片的位置信息；印刷设备，所述印刷设备设于所述印刷台面处，所述印刷设备适于对对应的所述半片硅片印刷；

3、下料机构，所述下料机构设于所述出板台面处，以将位于所述出板台面处的所述半片硅片取下；其中，所述半片硅片从所述拍照台面进入所述工作台，并从所述出板台面上从所述工作台上移出，所述预留台面为所述半片硅片提供预留位置。

4、根据本实用新型实施例的半片电池的制备设备，通过将对半片硅片直接进行印制，以制备半片电池，也即在印刷之后对半片硅片不再进行分割工艺，由此可以避免经过印刷后的硅片出现形变、破碎等现象，从而可以提升产片的良品率，易于实现硅片的薄片化设计。

5、在一些实施例中，所述工作台呈圆盘状，所述拍照台面、所述印刷台面、所述出板台面、所述预留台面分别设于所述工作台的边缘处，所述工作台通过转动以将所述半片硅片运送至所述印刷台面、所述出板台面、所述预留台面。

6、在一些实施例中，位于所述拍照台面的两片所述半片硅片之间的距离大于等于10mm。

7、在一些实施例中，所述印刷设备包括间隔开的第一印刷设备和第二印刷设备，所述第一印刷设备适于对其中一个所述半片硅片印刷，所述第二印刷设备适于对其中另一个所述半片硅片印刷。

8、在一些实施例中，所述第一印刷设备的印刷头上设有第一网版，所述第一网版适于根据所述半片硅片的位置信息移动，以使所述第一网版与对应的所述半片硅片对齐；所述第二印刷设备的印刷头上设有第二网版，所述第二网版适于根据所述半片硅片的位置信息移动，以使所述第二网版与对应的所述半片硅片对齐。

9、在一些实施例中，所述预留台面为多个。

10、在一些实施例中，所述拍照设备为定位相机。

技术特征：

1.一种半片电池的制备设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半片电池的制备设备，其特征在于，所述工作台呈圆盘状，所述拍照台面、所述印刷台面、所述出板台面、所述预留台面分别设于所述工作台的边缘处，所述工作台通过转动以将所述半片硅片运送至所述印刷台面、所述出板台面、所述预留台面。

3.根据权利要求1所述半片电池的制备设备，其特征在于，位于所述拍照台面的两片所述半片硅片之间的距离大于等于10mm。

4.根据权利要求1所述半片电池的制备设备，其特征在于，所述印刷设备包括间隔开的第一印刷设备和第二印刷设备，所述第一印刷设备适于对其中一个所述半片硅片印刷，所述第二印刷设备适于对其中另一个所述半片硅片印刷。

5.根据权利要求4所述半片电池的制备设备，其特征在于，所述第一印刷设备的印刷头上设有第一网版，所述第一网版适于根据所述半片硅片的位置信息移动，以使所述第一网版与对应的所述半片硅片对齐；

6.根据权利要求1所述半片电池的制备设备，其特征在于，所述预留台面为多个。

7.根据权利要求1所述半片电池的制备设备，其特征在于，所述拍照设备为定位相机。

技术总结本技术公开了一种半片电池的制备设备。半片电池的制备设备包括工作台、上料机构、拍照设备、印刷设备和下料机构。拍照设备设于拍照台面处，以确定半片硅片的位置信息，印刷设备设于印刷台面处，印刷设备适于对对应的半片硅片印刷。其中，半片硅片从拍照台面进入工作台，并从出板台面上从工作台上移出，预留台面为半片硅片提供预留位置。根据本技术的半片电池的制备设备，通过将对半片硅片直接进行印制，以制备半片电池，也即在印刷之后对半片硅片不再进行分割工艺，由此可以避免经过印刷后的硅片出现形变、破碎等现象，从而可以提升产片的良品率，易于实现硅片的薄片化设计。技术研发人员：吴华德,姚铮,张达奇,吴坚,蒋方丹受保护的技术使用者：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司技术研发日：20210201技术公布日：2024/6/2