EUV透过膜的制作方法

本发明涉及euv透过膜。

背景技术：

1、半导体制造工艺中的微细化逐年推进，各工序都在进行各种改良。特别是，光刻工序中，开始使用波长13.5nm的euv(极紫外线)光来代替以往的arf曝光的波长193nm。结果，波长一下子成为1/10以下，其光学特性完全不同。但是，没有针对euv光具有高透过率的物质，因此，例如作为光掩模(光网(reticle))的防颗粒附着膜的防护件(pellicle)尚不存在实用的部件。因此，目前器件制造商不使用防护件地进行半导体器件的制造。

2、于是，提出了poly-si基的防护膜。例如，专利文献1(日本特许第6858817号公报)中公开一种防护膜，该防护膜具备：芯层，其包含(poly)si等对于euv放射而言实质上透明的材料；以及上覆层，其包含吸收ir放射的材料。然而，poly-si基的防护膜在设为用于保持膜强度的厚度的情况下，euv透过率无法到达目标、即90％，至今并未实用。

3、另外，还开发了碳纳米管(cnt)基的防护膜(例如专利文献2(日本特开2018－194840号公报))，期待更高的euv透过率。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特许第6858817号公报

7、专利文献2：日本特开2018－194840号公报

技术实现思路

1、然而，cnt基的防护膜的实际情况是：缺乏对防护件使用环境(低压氢气氛)的耐久性，当为了使其具有耐久性而将防护膜以金属覆盖时，euv透过率降低，无法实现实用水平的透过率。因此，期望有一种具有实用水平的高euv透过率且具有针对低压氢气氛环境的耐久性的euv透过膜。

2、本发明的发明人最近得到如下见解，即，通过将由金属铍构成的主层和由氮化铍构成的保护层组合，能够提供兼备实用水平的高euv透过率和针对低压氢气氛环境的耐久性的euv透过膜。

3、因此，本发明的目的在于，提供兼备实用水平的高euv透过率和针对低压氢气氛环境的耐久性的euv透过膜。

4、根据本发明的一个方案，提供一种euv透过膜，其中，具备：

5、主层，该主层由金属铍构成；以及

6、保护层，该保护层将所述主层的至少单面覆盖，且由氮化铍构成。

技术特征：

1.一种euv透过膜，其中，具备：

2.根据权利要求1所述的euv透过膜，其中，

3.根据权利要求1或2所述的euv透过膜，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的euv透过膜，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的euv透过膜，其中，

6.根据权利要求5所述的euv透过膜，其中，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的euv透过膜，其中，

技术总结本发明提供兼备实用水平高的EUV透过率和低压氢气氛环境下的耐久性的EUV透过膜。该EUV透过膜具备：由金属铍构成的主层、以及将主层的至少单面覆盖的由氮化铍构成的保护层。技术研发人员：柏屋俊克,近藤厚男,茶园弘基,谷村昴受保护的技术使用者：日本碍子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/27