EUV - 技术新讯

EUV透过膜的制作方法

本发明涉及euv透过膜。背景技术：1、半导体制造工艺中的微细化逐年推进，各工序都在进行各种改良。特别是，光刻工序中，开始使用波长13.5nm的euv(极紫外线)光来代替以往的arf曝光的波长193nm......

2024-06-21 22

本发明有关一种如权利要求1的前言部分所述的euv多反射镜布置，以及有关一种用于具有至少一些euv多反射镜布置的euv装置的照明系统。背景技术：1、如今，微影投射曝光方法主要用于生产半导体部件和其他精细......

2024-06-21 93

本发明涉及euv透过膜。背景技术：1、半导体制造工艺中的微细化逐年推进，各工序都在进行各种改良。特别是，光刻工序中，开始使用波长13.5nm的euv(极紫外线)光来代替以往的arf曝光的波长193nm......

2024-06-21 2