EUV透过膜的制作方法

本发明涉及euv透过膜。

背景技术：

1、半导体制造工艺中的微细化逐年推进，各工序都在进行各种改良。特别是，光刻工序中，开始使用波长13.5nm的euv(极紫外线)光来代替以往的arf曝光的波长193nm。结果，波长一下子成为1/10以下，其光学特性完全不同。但是，没有针对euv光具有高透过率的物质，因此，例如作为光掩模(光网(reticle))的防颗粒附着膜的防护件(pellicle)尚不存在实用的部件。因此，目前器件制造商不使用防护件地进行半导体器件的制造。

2、于是，提出了poly-si基的防护膜。例如，专利文献1(日本特许第6858817号公报)中公开一种防护膜，该防护膜具备：芯层，其包含(poly)si等对于euv放射而言实质上透明的材料；以及上覆层，其包含吸收ir放射的材料。

3、另外，还开发了碳纳米管(cnt)基的防护膜(专利文献2(日本特开2018－194840号公报))，期待更高的euv透过率。

4、此外，例如专利文献3(日本特表2017－522590号公报)中公开了具备高掺杂区域和低掺杂区域的针对euv放射为透过性的膜，期待膜的温度特性得到改善。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特许第6858817号公报

8、专利文献2：日本特开2018－194840号公报

9、专利文献3：日本特表2017－522590号公报

技术实现思路

1、然而，euv光中的没有从防护膜透过的光线被防护膜反射或吸收，若防护膜吸收euv光则会发热。如果发热量变大，则防护膜因热膨胀而产生褶皱，使得euv透过率形成分布，有时曝光时的电路形成产生偏差，导致电路不良。另外，根据防护膜的材质，还有可能超过耐热极限温度，导致防护膜破损。因此，必须利用某些方法从防护膜进行散热，但是，由于防护膜的厚度过薄且小于100nm，所以，在热传导过程中无法充分散热。另外，纵使euv曝光装置内导入氢，由于在真空下，所以几乎不发生对流散热。因此，防护膜的散热通常为放射(辐射)散热。专利文献1(日本特许第6858817号公报)中公开了光刻装置用的防护膜，其具备主层和用于提高ir放射率的保护层，特别是，作为主层为si时的保护层，记载了pd、ag等金属。即，提出了利用来自保护层的ir放射而不是来自主层的ir放射进行散热的防护膜。不过，被作为ir放射率高的保护层的pd、ag等金属的euv透过率较低，并未成为兼具有实用的euv透过率和高ir放射率的防护膜。

2、此处，在放射散热的情况下，各种波长的光线中，主要放射出ir光。这是由根据物体的温度而放射的光线的波长决定的。事实上，曝光时，防护膜升温到500～800℃左右的温度，此时，在该温度域内，最常放射出波长1～2μm的光线。因此，期望不仅euv透过率高、而且波长2μm左右的ir光的放射率高的防护膜。

3、本发明的发明人最近得到如下见解，即，通过将ir放射率高的主层和ir透过率高的保护层组合而构成euv透过率80.0％以上的euv透过膜，能够提供euv透过率及ir放射率均较高的euv透过膜。

4、因此，本发明的目的在于，提供euv透过率及ir放射率均较高的euv透过膜。

5、根据本发明，提供以下方案。

6、[方案1]

7、一种euv透过膜，其波长13.5nm处的euv透过率为80.0％以上，所述euv透过膜的特征在于，具备：

8、波长2μm处的ir放射率为2.0％以上的主层、

9、将所述主层的至少单面覆盖的波长2μm处的ir透过率为70％以上的保护层。

10、[方案2]

11、根据方案1所述的euv透过膜，其特征在于，

12、所述主层的两面由1对所述保护层覆盖。

13、[方案3]

14、根据方案1或2所述的euv透过膜，其特征在于，

15、所述主层包含选自由be、si及b4c构成的组中的至少一种作为主成分。

16、[方案4]

17、根据方案1～3中的任一项所述的euv透过膜，其特征在于，

18、所述保护层由选自由氟化钙、二氧化硅及氮化铍构成的组中的至少一种构成。

19、[方案5]

20、根据方案1～4中的任一项所述的euv透过膜，其特征在于，

21、所述主层包含添加物。

22、[方案6]

23、根据方案5所述的euv透过膜，其特征在于，

24、所述添加物的构成元素的电负度比所述主层的主要构成元素的电负度高0.3以上或低0.3以上。

25、[方案7]

26、根据方案5或6所述的euv透过膜，其特征在于，

27、所述添加物包含选自由rb、sr、y、nb、mo、si、k、ca、b及c构成的组中的至少一种元素。

28、[方案8]

29、根据方案5～7中的任一项所述的euv透过膜，其特征在于，

30、所述主层包含be作为主成分，所述添加物的含量相对于所述主层中的be的含量而言为5～40at％。

31、[方案9]

32、根据方案1～8中的任一项所述的euv透过膜，其特征在于，

33、所述主层的厚度为10～70nm。

34、[方案10]

35、根据方案1～9中的任一项所述的euv透过膜，其特征在于，

36、所述保护层的厚度为5nm以下。

技术特征：

1.一种euv透过膜，其波长13.5nm处的euv透过率为80.0％以上，所述euv透过膜的特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的euv透过膜，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的euv透过膜，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的euv透过膜，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的euv透过膜，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的euv透过膜，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的euv透过膜，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的euv透过膜，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的euv透过膜，其特征在于，

10.根据权利要求1或2所述的euv透过膜，其特征在于，

技术总结本发明提供EUV透过率及IR放射率均较高的EUV透过膜。该EUV透过膜为波长13.5nm处的EUV透过率为80.0％以上的EUV透过膜，其具备：波长2μm处的IR放射率为2.0％以上的主层、以及将主层的至少单面覆盖的波长2μm处的IR透过率为70％以上的保护层。技术研发人员：柏屋俊克,近藤厚男,茶园弘基,谷村昴,強力尚纪受保护的技术使用者：日本碍子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/5