使用基于聚合物晶体的标线的EUV光刻的制作方法

背景技术：

1、euv光掩膜通过反射光来工作。典型的euv光掩膜(也称为掩膜或标线)是由多层的硅和钼组成的复杂叠置体。光掩膜对于在晶圆(例如，硅/iii-v晶圆)上生成晶体管和金属迹线图案至关重要。像14nm或7nm这样的先进技术节点可能需要约50到100个光掩膜，其中，每个光掩膜的成本通常在35万美元($350k)至75万美元($750k)之间。因此，从技术开发的角度来看，在进入大批量生产之前，需要投入大量资金来优化制造工艺。光学邻近校正(optical proximity correction，opc)是光掩膜开发的关键方面，它根据光波长、衍射补偿等来优化掩膜上的图案。如果完成不当，可能需要重新设计掩膜，而设计和制造新掩膜所花费的成本和时间可能会非常高。

技术实现思路

1、本发明的实施例呈现了一种基于聚合物晶体的光掩膜，该基于聚合物晶体的光掩膜允许用户在光刻工艺期间优化opc(或其它与图案相关的问题)。该光掩膜可以根据opc、使用的euv光的角度以及待使用光刻胶转移在晶圆上的图案的类型来进行原位修改。

2、在一方面中，本公开涉及一种用于euv光刻的光掩膜。该光掩膜可以包括：衬底；以及一个或多个像素单元，该一个或多个像素单元形成在该衬底上。每个像素单元可以包括：至少一个聚合物晶体元件，该至少一个聚合物晶体元件被配置为基于该聚合物晶体元件的取向与极紫外(euv)光相互作用；以及多个电极，该多个电极被配置为通过在该聚合物晶体元件上施加电压来控制该聚合物晶体元件的取向。每个像素单元由相应的该多个电极独立地控制，并且该一个或多个像素单元在暴露于该euv光时生成用于光刻的图案。

3、在一些实施例中，该多个电极可以通过施加第一电压将该聚合物晶体元件设置为处于第一取向，并且该聚合物晶体元件被配置为处于该第一取向时吸收该euv光。

4、在一些实施例中，该多个电极可以通过施加第二电压将该聚合物晶体元件设置为处于第二取向，并且该聚合物晶体元件被配置为处于该第二取向时反射该euv光。

5、在一些实施例中，该光掩膜还可以包括薄膜层，该薄膜层覆盖该一个或多个像素单元，以防止污染。

6、在一些实施例中，该光掩膜还可以包括有源层，该有源层位于该衬底与该一个或多个像素单元之间，其中，该有源层包括电路，该电路连接到该多个电极。

7、在一些实施例中，该聚合物晶体元件可以是胆甾相液晶(cholesteric liquidcrystal，clc)材料。

8、在一些实施例中，该光掩膜还可以包括背板，该背板被配置为冷却该一个或多个像素单元。

9、在一些实施例中，该光掩膜还可以包括一个或多个滑块轨道和电机，该电机被配置为使该光掩膜旋转。

10、在一些实施例中，该光掩膜进一步包括多层像素单元，该多层像素单元堆叠在该衬底上，各层像素单元被配置为与不同波长的该euv光相互作用。

11、在一些实施例中，该光掩膜还可以包括温度控制部件，该温度控制部件用于监测和控制该光掩膜的温度。

12、在另一方面中，本公开涉及一种用于euv光刻的方法。该方法可以包括：接收包括目标光掩膜设计的指令；基于该光掩膜设计，生成经opc调整后的掩膜图案；基于该经opc调整后的掩膜图案，确定像素图案；以及基于该确定的像素图案，配置基于聚合物晶体的光掩膜的一个或多个像素单元。该一个或多个像素单元中的每个像素单元可以包括：至少一个聚合物晶体元件，该至少一个聚合物晶体元件被配置为基于该聚合物晶体元件的取向与极紫外(euv)光相互作用；以及多个电极，该多个电极被配置为通过在该聚合物晶体元件上施加电压来控制该聚合物晶体元件的取向。每个像素单元可以由相应的多个电极独立地控制，并且该一个或多个像素单元在暴露于该euv光时生成所确定的像素图案，以用于光刻。

13、在一些实施例中，配置该一个或多个像素单元可以包括施加第一电压，以将该聚合物晶体元件设置为处于第一取向，使得该聚合物晶体元件处于该第一取向时吸收该euv光。

14、在一些实施例中，配置该一个或多个像素单元可以包括施加第二电压，以将该聚合物晶体元件设置为处于第二取向，使得该聚合物晶体元件处于该第二取向时反射该euv光。

15、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜还可以包括：衬底，该一个或多个像素单元形成在该衬底上；薄膜层，该薄膜层覆盖该一个或多个像素单元，以防止污染。

16、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜还可以包括有源层，该有源层位于该衬底与该一个或多个像素单元之间，并且该有源层包括电路，该电路连接到该多个电极。

17、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜还可以包括一个或多个滑块轨道和电机，该电机被配置为使该基于聚合物晶体的光掩膜旋转。

18、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜可以进一步包括多层像素单元，该多层像素单元堆叠在该衬底上，各层像素单元被配置为与不同波长的该euv光相互作用。

19、在一些实施例中，该聚合物晶体元件可以是胆甾相液晶(clc)材料。

20、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜还可以包括背板，该背板被配置为冷却该一个或多个像素单元。

21、在一些实施例中，该基于聚合物晶体的光掩膜还可以包括温度控制部件，该温度控制部件用于监测和控制该光掩膜的温度。

22、应当理解的是，本文中描述为适合于结合到本公开的一个或多个方面或一个或多个实施例中的任何特征旨在可通用于本公开的任何和所有方面以及任何和所有实施例。本领域技术人员根据本公开的说明书、权利要求书和附图可以理解本公开的其它方面。前面的笼统性描述和以下详细描述仅是示例性和说明性的，而不是对权利要求进行限制。

技术特征：

1.一种光掩膜，包括：

2.根据权利要求1所述的光掩膜，其中，所述多个电极通过施加第一电压将所述聚合物晶体元件设置为处于第一取向，并且所述聚合物晶体元件被配置为处于所述第一取向时吸收所述euv光。

3.根据权利要求1或2所述的光掩膜，其中，所述多个电极通过施加第二电压将所述聚合物晶体元件设置为处于第二取向，并且所述聚合物晶体元件被配置为处于所述第二取向时反射所述euv光。

4.根据权利要求1、2或3所述的光掩膜，还包括薄膜层，所述薄膜层覆盖所述一个或多个像素单元，以防止污染。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，还包括有源层，所述有源层位于所述衬底与所述一个或多个像素单元之间，其中，所述有源层包括电路，所述电路连接到所述多个电极。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，其中，所述聚合物晶体元件是胆甾相液晶(clc)材料。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，还包括背板，所述背板被配置为冷却所述一个或多个像素单元。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，还包括一个或多个滑块轨道和电机，所述电机被配置为使所述光掩膜旋转。

9.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，进一步包括多层像素单元，所述多层像素单元堆叠在所述衬底上，各层像素单元被配置为与不同波长的所述euv光相互作用。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光掩膜，还包括温度控制部件，所述温度控制部件用于监测和控制所述光掩膜的温度。

11.一种方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，配置所述一个或多个像素单元包括以下项中的一项或多项：

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述基于聚合物晶体的光掩膜还包括：

14.根据权利要求11、12或13所述的方法，其中，所述聚合物晶体元件是胆甾相液晶(clc)材料。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，其中，所述基于聚合物晶体的光掩膜还包括以下项中的一项或多项：

技术总结本公开的实施例涉及一种光掩膜。该光掩膜可以包括：衬底；以及一个或多个像素单元，该一个或多个像素单元形成在该衬底上。每个像素单元可以包括：至少一个聚合物晶体元件，该至少一个聚合物晶体元件被配置为基于该聚合物晶体元件的取向与极紫外(EUV)光相互作用；以及多个电极，该多个电极被配置为通过在该聚合物晶体元件上施加电压来控制该聚合物晶体元件的取向。每个像素单元由相应的该多个电极独立地控制，并且该一个或多个像素单元在暴露于该EUV光时生成用于光刻的图案。技术研发人员：桑迪普·雷基,托马斯·约翰·法雷尔·沃林,普拉迪普·赛拉姆·皮丘马尼受保护的技术使用者：元平台技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2