EUV光均匀性控制设备、EUV曝光装备和EUV光均匀性控制方法与流程

发明构思涉及极紫外(extreme ultra-violet，euv)曝光装备，并且具体地，涉及能够调节euv光的均匀性的euv光均匀性控制设备以及包括euv光均匀性控制设备的euv曝光装备。

背景技术：

1、随着半导体电路的线宽变得更细，更短波长的光源被需要。例如，euv光用作曝光源。由于euv光的吸收特性，通常在euv曝光工艺中使用反射型euv掩模。此外，用于将euv光传送到euv掩模的照明光学器件和用于将由euv掩模反射的euv光投射到曝光目标上的投射光学器件可包括多个反射镜。由于曝光工艺的增大的复杂性，即使在euv掩模或反射镜上发生的小误差也可导致在晶圆上形成图案时的严重误差。

技术实现思路

1、发明构思提供了一种能够均匀地调节投射到晶圆上的极紫外(euv)光的euv光均匀性控制设备、包括控制设备的euv曝光装备、以及通过使用控制设备来控制euv光均匀性的方法。

2、本领域普通技术人员将理解的是，可利用发明构思实现的目的和效果不限于以上具体描述的内容，并且从以下详细描述将更清楚地理解发明构思的其他目的。

3、根据发明构思的一方面，提供了一种极紫外(euv)光均匀性控制设备，所述euv光均匀性控制设备包括：多个纳米薄膜，每个纳米薄膜具有沿作为euv曝光装备的扫描方向的第一方向延伸的带状，并且沿与第一方向垂直的第二方向线性地布置在euv曝光装备的掩膜版下方。所述设备还包括：薄膜托架，在第一方向上的两侧上固定所述多个纳米薄膜；以及薄膜控制装置，连接到薄膜托架并控制所述多个纳米薄膜。来自euv曝光装备的euv光在通过入射到掩膜版并从掩膜版反射而穿过所述多个纳米薄膜两次之后被投射到作为曝光目标的晶圆上，并且投射在晶圆上的euv光通过使用薄膜控制装置被均匀地调节。

4、根据发明构思的一个方面，提供了一种极紫外(euv)曝光装备，所述euv曝光装备包括：euv源，生成并发射euv光；第一光学系统，传送来自euv源的euv光以入射在掩膜版上；掩膜版台，掩膜版被设置在掩膜版台上；第二光学系统，将由掩膜版反射的euv光传送到作为曝光目标的晶圆；以及euv光均匀性控制设备，被设置在掩膜版下方，包括euv光穿过的纳米薄膜，并且调节投射在晶圆上的euv光。

5、根据发明构思的一个方面，提供了一种极紫外(euv)曝光装备，所述euv曝光装备包括：euv源，生成并发射euv光；第一光学系统，传送来自euv源的euv光以入射在掩膜版上；掩膜版台，掩膜版被设置在掩膜版台上；第二光学系统，将由掩膜版反射的euv光传送到作为曝光目标的晶圆；晶圆台，晶圆被设置在晶圆台上；以及euv光均匀性控制设备，被设置在掩膜版下方，并且调节晶圆上的euv光的均匀性。euv光均匀性控制设备包括：多个纳米薄膜，每个纳米薄膜具有沿作为所述euv曝光装备的扫描方向的第一方向延伸的带状，并且沿与第一方向垂直的第二方向线性地布置在掩膜版下方；薄膜托架，在第一方向上的两侧上固定所述多个纳米薄膜；以及薄膜控制装置，连接到薄膜托架并控制所述多个纳米薄膜。euv光在通过入射在掩膜版上并从掩膜版反射而穿过所述多个纳米薄膜两次之后被投射到晶圆上，euv光均匀性控制设备通过使用薄膜控制装置将euv光调节为均匀的，euv光被投射在晶圆上，并且薄膜控制装置包括用于移动薄膜托架的位置调节装置或用于经由薄膜托架将电压施加到所述多个纳米薄膜的电压施加装置中的至少一个。

6、根据发明构思的一个方面，提供了一种极紫外(euv)光均匀性控制方法，所述euv光均匀性控制方法包括：将euv光均匀性控制设备布置在euv曝光装备的掩膜版下方，euv光均匀性控制设备包括euv光穿过的纳米薄膜；测量晶圆台上的euv光的强度，晶圆被设置在晶圆台上；基于所述强度分析晶圆上的euv光的均匀性；基于关于透射率的信息计算掩膜版下方的特定位置处的纳米薄膜需要的透射率；以及通过基于关于透射率的信息使用euv光均匀性控制设备，来控制纳米薄膜。

技术特征：

1.一种极紫外光均匀性控制设备，包括：

2.根据权利要求1所述的极紫外光均匀性控制设备，其中，每个纳米薄膜具有80％至99％的透射率，并且

3.根据权利要求1所述的极紫外光均匀性控制设备，其中，薄膜控制装置包括用于移动所述多个薄膜托架的位置调节装置，并且

4.根据权利要求3所述的极紫外光均匀性控制设备，其中，薄膜控制装置沿第二方向移动至少两个纳米薄膜以便彼此叠置。

5.根据权利要求1所述的极紫外光均匀性控制设备，其中，每个纳米薄膜包括透射率根据电压被改变的材料，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的极紫外光均匀性控制设备，其中，每个薄膜托架包括冷却装置。

7.一种极紫外曝光装备，包括：

8.根据权利要求7所述的极紫外曝光装备，其中，极紫外光均匀性控制设备包括：

9.根据权利要求8所述的极紫外曝光装备，其中，每个纳米薄膜具有80％至99％的透射率，并且

10.根据权利要求8所述的极紫外曝光装备，其中，薄膜控制装置包括用于移动所述多个薄膜托架的位置调节装置，并且

11.根据权利要求8所述的极紫外曝光装备，其中，每个纳米薄膜包括透射率根据电压被改变的材料，

12.根据权利要求8所述的极紫外曝光装备，还包括：

13.根据权利要求12所述的极紫外曝光装备，其中，晶圆台上的极紫外光的均匀性通过测量装置和信号处理单元被监测，并且

14.根据权利要求12所述的极紫外曝光装备，其中，当存在多个所述极紫外曝光装备时，信号处理单元分析由每个极紫外曝光装备生成的极紫外光的均匀性，基于关于由每个极紫外曝光装备生成的极紫外光的均匀性的信息控制每个极紫外曝光装备中的所述多个纳米薄膜，并且管理每个极紫外曝光装备的极紫外光的均匀性。

15.一种极紫外曝光装备，包括：

16.一种极紫外光均匀性控制方法，包括：

17.根据权利要求16所述的极紫外光均匀性控制方法，其中，极紫外光均匀性控制设备包括：

18.根据权利要求17所述的极紫外光均匀性控制方法，其中，薄膜控制装置包括用于移动所述多个薄膜托架的位置调节装置，并且

19.根据权利要求17所述的极紫外光均匀性控制方法，其中，每个纳米薄膜包括透射率根据电压被改变的材料，

20.根据权利要求16所述的极紫外光均匀性控制方法，其中，关于透射率的信息包括基于透射率计算的每个纳米薄膜的位置和将被施加到每个纳米薄膜的电压的大小中的至少一个。

技术总结公开了EUV光均匀性控制设备、EUV曝光装备和EUV光均匀性控制方法。所述极紫外(EUV)光均匀性控制设备包括：多个纳米薄膜，每个纳米薄膜具有沿作为EUV曝光装备的扫描方向的第一方向延伸的带状，并且沿与第一方向垂直的第二方向线性地布置在EUV曝光装备的掩膜版下方。所述设备还包括：薄膜托架，在第一方向上的两侧上固定所述多个纳米薄膜；以及薄膜控制装置，连接到薄膜托架并控制所述多个纳米薄膜。来自EUV曝光装备的EUV光在通过入射到掩膜版并从掩膜版反射而穿过所述多个纳米薄膜两次之后被投射到作为曝光目标的晶圆上，并且投射在晶圆上的EUV光通过使用薄膜控制装置被均匀地调节。技术研发人员：郑殷憙,金桢吉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2