一种显示面板和显示装置的制作方法

本申请涉及显示，特别是涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术：

1、显示面板的边框区域通常设置有sw(switch)区，sw区设置有多个测试晶体管，sw区用于在显示面板未绑定驱动ic之前，代替驱动ic向显示区域供给信号，以对显示面板进行良率检测。

2、特别是针对于电泳显示器(emissive projection display，简称epd)，由于其没有对盒技术，因此，需要通过sw区的测试晶体管进行at检测(array test，阵列检测)，并以at检测结果作为出货的基准，这样，可以拦截不良产品，降低后端模组资材如纸膜、驱动芯片等材料的浪费。

3、相关技术中，为了节省成本，在sw区的工艺过程中，会采用同一张掩膜板(mask)对测试晶体管的源漏极金属层和有源层进行曝光，但是在随后的显影过程中，时常会出现局部显影不均，导致在测试晶体管的源极和漏极之间本应正常形成的沟道出现搭桥(gtbridge)，造成源极和漏极连接在一起，发生短路，导致测试晶体管失效，进而导致无法正常检测产品品质，无法进行良品与不良品的区分，影响产品整体良率的评估，甚至导致不合格的产品流入后端，造成后端模组资材浪费，导致人力成本及资源成本大大上升。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种显示面板和显示装置，以解决测试晶体管容易失效的问题，保证良率检测正常进行。具体技术方案如下：

2、本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板，包括显示区域，所述显示区域具有多个子像素区，所述子像素区设置有第一晶体管；边框区域，围绕所述显示区域设置，所述边框区域包括检测区，所述检测区内设置有多个第二晶体管，所述多个第二晶体管与所述显示区域连接；所述第二晶体管的沟道长度大于所述第一晶体管的沟道长度；所述第一晶体管的沟道长度为所述第一晶体管的源极和漏极相对侧之间的距离，所述第二晶体管的沟道长度为所述第二晶体管的源极和漏极相对侧之间的距离。

3、在本申请的一些实施例中，所述第二晶体管的沟道长度为所述第一晶体管沟道长度的1.2-1.3倍。

4、在本申请的一些实施例中，所述第二晶体管的沟道长度为所述第一晶体管沟道长度的1.25倍。

5、在本申请的一些实施例中，所述第一晶体管的沟道长度为6μm，所述第二晶体管的沟道长度为7.5μm。

6、在本申请的一些实施例中，所述显示区域设置有多条扫描线和多条数据线，所述扫描线的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向，所述多条数据线和所述多条扫描线相互交叉限定出所述多个子像素区；所述检测区包括第一检测子区和第二检测子区，所述第一检测子区和所述第二检测子区分别位于所述显示区域的相邻两侧；所述第一检测子区沿第一方向延伸，所述第一检测子区内的多个第二晶体管沿所述第一方向排列，并与所述多个扫描线和所述多个数据线二者中的其中一个对应连接；所述第二检测子区沿第二方向延伸，所述第二检测子区内的多个第二晶体管沿所述第二方向排列，并与所述多个扫描线和所述多个数据线二者中的另外一个对应连接，所述第一方向垂直于所述第二方向。

7、在本申请的一些实施例中，所述第一方向为所述显示面板在制作过程中使用的显影液的行进方向，所述第一检测子区至少在背离所述第一方向的一侧设置有虚拟检测区，所述虚拟检测区设置有图案化结构，所述图案化结构与所述第二晶体管的源极和漏极同层设置。

8、在本申请的一些实施例中，所述图案化结构沿所述第一方向排列有多个，所述图案化结构包括虚拟源极和虚拟漏极。

9、在本申请的一些实施例中，在所述第一检测子区中，所述第二晶体管的源极和漏极的延伸方向均垂直于所述第一方向；所述虚拟源极和所述虚拟漏极的延伸方向也均垂直于所述第一方向，所述虚拟源极的延伸长度与所述第一检测子区内的所述第二晶体管的源极延伸长度相等，所述虚拟漏极的延伸长度与所述第一检测子区内的所述第二晶体管的漏极延伸长度相等。

10、在本申请的一些实施例中，所述虚拟源极和所述虚拟漏极在延伸方向上分别设置有断口区。

11、在本申请的一些实施例中，所述虚拟检测区在所述第一方向上的相对两侧分别向外延伸，且在垂直于所述显示面板厚度方向的投影平面上，所述虚拟检测区的图案化结构未覆盖所述显示面板的有效信号线。

12、在本申请的一些实施例中，所述第二检测子区内设置有多个辅助电极，所述多个辅助电极与所述多个第二晶体管一一对应连接，且各所述辅助电极与对应的所述第二晶体管沿所述第一方向排列。

13、在本申请实施例中，显示面板包括显示区域和边框区域，其中，显示区域设置有多个子像素区，每个子像素区设置有一个第一晶体管，第一晶体管可以作为开关控制对应的子像素区发光。边框区域设置有检测区，检测区设置有多个第二晶体管，通过设置第二晶体管，可以在边框区域未绑定驱动ic之前，代替驱动ic向显示区域输入信号，以对显示区域进行检测。在相关技术中，显示区域的晶体管的沟道尺寸与检测区的测试晶体管的沟道尺寸一致，但是由于二者的周围环境不同，且在显影过程中，显影液会朝着一个方向移动，因此，在保证显示区域的晶体管特性的同时，检测区处可能出现显影不均，导致在测试晶体管的源极和漏极之间本应正常形成的沟道出现搭桥，造成测试晶体管短路。与相关技术不同的是，在本申请实施例中，位于检测区的第二晶体管的沟道长度大于位于显示区域的第一晶体管的沟道长度，通过扩大第二晶体管的沟道长度即对第二晶体管的沟道长度进行补偿，可以在显影工艺中，改善由于显影不均所导致的第二晶体管的源极和漏极容易发生短路的情况，保证第二晶体管的沟道特性，从而可以有效改善第二晶体管也即测试晶体管容易失效的情况，保证显示面板良率检测如at、et检测(electric test，电学测试)的正常进行。

14、本申请第二方面的实施例提供了一种显示装置，包括第一方面任一实施例的显示面板。

15、由于本申请实施例的显示装置包括第一方面任一实施例的显示面板，因此，其也具有第一方面任一实施例的有益效果，本申请在此不做赘述。

16、当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管的沟道长度为所述第一晶体管沟道长度的1.2-1.3倍。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管的沟道长度为所述第一晶体管沟道长度的1.25倍。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管的沟道长度为6μm，所述第二晶体管的沟道长度为7.5μm。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一方向为所述显示面板在制作过程中使用的显影液的行进方向，所述第一检测子区至少在背离所述第一方向的一侧设置有虚拟检测区，所述虚拟检测区设置有图案化结构，所述图案化结构与所述第二晶体管的源极和漏极同层设置。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述图案化结构沿所述第一方向排列有多个，所述图案化结构包括虚拟源极和虚拟漏极。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，在所述第一检测子区中，所述第二晶体管的源极和漏极的延伸方向均垂直于所述第一方向；

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述虚拟源极和所述虚拟漏极在延伸方向上分别设置有断口区。

10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述虚拟检测区在所述第一方向上的相对两侧分别向外延伸，且在垂直于所述显示面板厚度方向的投影平面上，所述虚拟检测区的图案化结构未覆盖所述显示面板的有效信号线。

11.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二检测子区内设置有多个辅助电极，所述多个辅助电极与所述多个第二晶体管一一对应连接，且各所述辅助电极与对应的所述第二晶体管沿所述第一方向排列。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。

技术总结本申请实施例提供了一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示区域，所述显示区域具有多个子像素区，所述子像素区设置有第一晶体管；边框区域，围绕所述显示区域设置，所述边框区域包括检测区，所述检测区内设置有多个第二晶体管，所述多个第二晶体管与所述显示区域连接；所述第二晶体管的沟道长度大于所述第一晶体管的沟道长度。通过扩大第二晶体管的沟道长度即对第二晶体管的沟道长度进行补偿，可以在显影工艺中，改善由于显影不均所导致的第二晶体管的源极和漏极容易发生短路的情况，保证第二晶体管的沟道特性。技术研发人员：张勇,杨智超,邓祁,乜玲芳,郭赞武,王德生受保护的技术使用者：北京京东方光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27