一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构及其制备方法与流程

本发明涉及镀膜，具体涉及一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构及其制备方法。

背景技术：

1、近年来，随着科技发展，越来越多的人对拍照技术提出了更高的要求，遮光片的遮光效

2、果越好，拍摄出的照片效果越好；同时在使用在某些特定场景的情况下，光线强度弱的环境情况下，发现光强不够，光源发射面亮度被吸收，现增加光源面的高反使光量增强，提升拍摄质量；类似发明结构的遮光片不仅能在相机上起作用，在有摄像等光线强度弱的环境下图像摄影场景。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构及其制备方法。

2、为实现上述目的，本发明提供一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其包括膜面部分和基底部分，所述膜面部分具有低透低反功能，所述基底部分具有低透高反功能。

3、优选的，所述基底部分的膜层结构包括基板层和基底金属层，所述基底金属层设置在所述基板层与所述膜面部分之间。

4、优选的，所述基板层和基底金属层之间设置介质膜层。

5、优选的，所述膜面部分的膜层结构包括介质膜和膜面金属层，所述膜面金属层设置在所述介质膜与所述基底部分之间。

6、优选的，所述基底金属层和膜面金属层可为同一层。

7、优选的，所述基底金属层和膜面金属层之间设置介质膜层。

8、优选的，最外层为介质膜层。

9、优选的，所述介质膜层、所述基底金属层或所述膜面金属层均可为复合层结构。

10、优选的，所述介质膜层的材质选自sio2、tio2、ti2o3、nb2o5、ta2o3、ta2o5中的一种或几种，所述基板层的材质选自玻璃基板、硅片、水晶基板、铌酸锂基板中的一种或几种，所述金属层的材质选自金属ti、cr、ag、au中的一种或几种。

11、本发明提供制备兼顾低透低反和低透高反的膜层结构的方法，其包括：根据各层需要的原料材质，在30℃-500℃，镀膜真空3.0×10-3pa以上，以速率0.1a-100a/s进行镀膜即可。

12、本发明的有益效果如下：

13、本发明性能优越，满足了膜层结构适用于环境多样场景，应用广泛，尤其是在使用时一侧需要较强光强度而另一侧降低杂光、漫反射等干扰的使用场景，在日常灯源，半导体，激光感应器领域都有应用，具有很好的应用价值。

技术特征：

1.一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：包括膜面部分和基底部分，所述膜面部分具有低透低反功能，所述基底部分具有低透高反功能。

2.根据权利要求1所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述基底部分的膜层结构包括基板层和基底金属层，所述基底金属层设置在所述基板层与所述膜面部分之间。

3.根据权利要求2所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述基板层和基底金属层之间设置介质膜层。

4.根据权利要求1所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述膜面部分的膜层结构包括介质膜和膜面金属层，所述膜面金属层设置在所述介质膜与所述基底部分之间。

5.根据权利要求4所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述基底金属层和膜面金属层可为同一层。

6.根据权利要求4所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述基底金属层和膜面金属层之间设置介质膜层。

7.根据权利要求4所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：最外层为介质膜层。

8.根据权利要求3-7任一项所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述介质膜层、所述基底金属层或所述膜面金属层均可为复合层结构。

9.根据权利要求8所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构，其特征在于：所述介质膜层的材质选自sio2、tio2、ti2o3、nb2o5、ta2o3、ta2o5中的一种或几种，所述基板层的材质选自玻璃基板、硅片、水晶基板、铌酸锂基板中的一种或几种，所述金属层的材质选自金属ti、cr、ag、au中的一种或几种。

10.制备权利要求1-9任一项所述的兼顾低透低反和低透高反的膜层结构的方法，其特征在于：根据各层需要的原料材质，在30℃-500℃，镀膜真空3.0×10-3pa以上，以速率0.1a-100a/s进行镀膜即可。

技术总结本发明提供一种兼顾低透低反和低透高反的膜层结构及其制备方法，该膜层结构包括膜面部分和基底部分，所述膜面部分具有低透低反功能，所述基底部分具有低透高反功能，所述基底部分的膜层结构包括基板层和基底金属层，所述基底金属层设置在所述基板层与所述膜面部分之间，所述膜面部分的膜层结构包括介质膜和膜面金属层，所述膜面金属层设置在所述介质膜与所述基底部分之间。根据各层需要的原料材质，在30℃‑500℃，镀膜真空3.0×10<supgt;‑3</supgt;Pa以上，以速率0.1A‑100A/S进行镀膜即可。本发明性能优越，满足了膜层结构适用于环境多样场景，应用广泛。技术研发人员：王刚,张亚星受保护的技术使用者：杭州美迪凯光电科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27