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一种液晶显示屏的制作方法

  • 国知局
  • 2024-06-21 12:19:05

本技术涉及液晶显示技术,尤其涉及一种液晶显示屏。

背景技术:

1、液晶显示屏的公共电极与薄膜晶体管和像素电极之间采用绝缘层隔开,以避免所述公共电极与所述薄膜晶体管和所述像素电极之间发生短接,在使用时,所述公共电极与所述像素电极之间形成一存储电容,用于生成驱动液晶旋转的电场,所述存储电容的大小对显示效果起着关键作用。

2、比如申请号为cn201110226254.1的中国专利中公开了一种液晶显示装置,包括:第一基板,所述第一基板包括栅极区、存储电容区、位于所述栅极区和存储电容区表面上的第一保护层以及位于所述第一保护层上的非晶硅层和数据线层;在所述非晶硅层和数据线层上形成的硅岛和数据线,所述硅岛和数据线是在同一光刻过程中形成的;在所述第一保护层和数据线表面上形成的第二保护层,在所述第二保护层上形成的过孔;以及在所述第二保护层表面上形成的电极层,在所述电极层上形成的像素电极和共同电极,所述像素电极和共同电极在同一光刻过程中形成。

3、但是,由于显示屏空间有限,以及布线需求,所述公共电极与所述薄膜晶体管之间距离很近,甚至局部重叠,所述公共电极与所述薄膜晶体管之间会形成一寄生电容,该寄生电容会使显示信号严重变形,随着显示屏的尺寸越来越大,所述寄生电容对数据传输影响也越来越严重。

4、在现有技术中,为了降低所述公共电极与所述薄膜晶体管之间的寄生电容,一般会通过增加所述绝缘层的厚度,来增加所述公共电极与所述薄膜晶体管之间的距离,但是这样也会增加所述公共电极与所述像素电极之间的距离,导致所述公共电极与所述像素电极之间的存储电容也变小,反过来又影响了显示效果。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种液晶显示屏,在降低寄生电容的同时,不会对存储电容产生影响。

2、本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

3、一种液晶显示屏,包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和绝缘层,所述薄膜晶体管和所述像素电极相连接,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述绝缘层的一侧表面上,所述公共电极位于所述绝缘层的另一侧表面上;所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述公共电极与所述薄膜晶体管之间通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相隔开,所述公共电极与所述像素电极之间通过所述第一绝缘层相隔开。

4、进一步的,所述公共电极包括第一区域和第二区域,所述第一区域与所述像素电极相层叠,所述第二区域与所述薄膜晶体管相层叠。

5、进一步的,所述第一绝缘层包括第一间隔区域和第二间隔区域,所述第一间隔区域位于所述公共电极的第一区域与所述像素电极之间,所述第二间隔区域位于所述公共电极的第二区域与所述薄膜晶体管之间;所述第二绝缘层包括第三间隔区域和镂空区域,所述第三间隔区域位于所述公共电极的第二区域与所述薄膜晶体管之间,所述公共电极的第一区域位于所述镂空区域内。

6、进一步的,所述液晶显示屏包括像素区域和非像素区域,所述薄膜晶体管位于所述非像素区域内,所述像素电极位于所述像素区域内,所述公共电极和绝缘层同时位于所述像素区域和非像素区域内。

7、进一步的,所述像素区域由多个子区域构成,所述多个子区域排列为m行n列,其中m、n≥2;所述非像素区域设置于相邻的子区域之间,以将相邻的子区域相互隔开;所述薄膜晶体管和像素电极的数量有多个,且所述薄膜晶体管和像素电极成对的与各个子区域一一对应,每个像素电极位于对应的子区域内,每个薄膜晶体管位于对应的子区域旁的非像素区域内。

8、进一步的,所述第一绝缘层包括高折射率层和低折射率层,所述高折射率层位于靠近所述第二绝缘层的一侧,所述低折射率层位于靠近所述薄膜晶体管和所述像素电极的一侧。

9、进一步的,所述高折射率层为氮化硅层,所述低折射率层为二氧化硅层。

10、进一步的,所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极,所述栅电极形成于所述透明衬底上,所述栅绝缘层形成于所述栅电极以及位于所述栅电极外的透明衬底上,所述有源层形成于所述栅绝缘层上且位于所述栅电极上方,所述源电极和漏电极形成于所述有源层上且相对间隔并分别于所述有源层相连接;所述像素电极形成于所述栅绝缘层和所述源电极之间且与所述漏电极相连接。

11、进一步的,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极;所述液晶显示屏还包括扫描线和数据线,所述扫描线与所述薄膜晶体管的栅电极相连接,以向所述栅电极输出开关电压,所述数据线与所述薄膜晶体管的源电极相连接,以向所述源电极输出显示电压;所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极相连接。

12、进一步的,所述液晶显示屏还包括透明衬底,所述薄膜晶体管、像素电极、公共电极和绝缘层均设置于所述透明衬底上,其中所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述绝缘层朝向所述透明衬底的一侧表面上,所述公共电极位于所述绝缘层背向所述透明衬底的一侧表面上。

13、本实用新型具有如下有益效果:本专利的液晶显示屏通过设置所述第一绝缘层和第二绝缘层,将所述公共电极与所述薄膜晶体管之间通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相隔开,所述公共电极与所述像素电极之间通过所述第一绝缘层相隔开,由于所述公共电极与所述薄膜晶体管之间间隔有两层绝缘层,而所述公共电极与所述像素电极之间仅间隔有一层绝缘层,所述公共电极与所述像素电极之间的距离要小于所述公共电极与所述像素电极之间的距离,使得所述公共电极与所述薄膜晶体管之间的寄生电容较小,而所述公共电极与所述像素电极之间的存储电容较大,在降低所述寄生电容的同时,不会对所述存储电容产生影响。

技术特征:

1.一种液晶显示屏,包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和绝缘层,所述薄膜晶体管和所述像素电极相连接,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述绝缘层的一侧表面上,所述公共电极位于所述绝缘层的另一侧表面上;其特征在于,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述公共电极与所述薄膜晶体管之间通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相隔开,所述公共电极与所述像素电极之间通过所述第一绝缘层相隔开。

2.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述公共电极包括第一区域和第二区域,所述第一区域与所述像素电极相层叠,所述第二区域与所述薄膜晶体管相层叠。

3.根据权利要求2所述的液晶显示屏,其特征在于,所述第一绝缘层包括第一间隔区域和第二间隔区域,所述第一间隔区域位于所述公共电极的第一区域与所述像素电极之间,所述第二间隔区域位于所述公共电极的第二区域与所述薄膜晶体管之间;所述第二绝缘层包括第三间隔区域和镂空区域,所述第三间隔区域位于所述公共电极的第二区域与所述薄膜晶体管之间,所述公共电极的第一区域位于所述镂空区域内。

4.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述液晶显示屏包括像素区域和非像素区域,所述薄膜晶体管位于所述非像素区域内,所述像素电极位于所述像素区域内,所述公共电极和绝缘层同时位于所述像素区域和非像素区域内。

5.根据权利要求4所述的液晶显示屏,其特征在于,所述像素区域由多个子区域构成,所述多个子区域排列为m行n列,其中m、n≥2;所述非像素区域设置于相邻的子区域之间,以将相邻的子区域相互隔开;所述薄膜晶体管和像素电极的数量有多个,且所述薄膜晶体管和像素电极成对的与各个子区域一一对应,每个像素电极位于对应的子区域内,每个薄膜晶体管位于对应的子区域旁的非像素区域内。

6.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述第一绝缘层包括高折射率层和低折射率层,所述高折射率层位于靠近所述第二绝缘层的一侧,所述低折射率层位于靠近所述薄膜晶体管和所述像素电极的一侧。

7.根据权利要求6所述的液晶显示屏,其特征在于,所述高折射率层为氮化硅层,所述低折射率层为二氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极,所述栅电极形成于透明衬底上,所述栅绝缘层形成于所述栅电极以及位于所述栅电极外的透明衬底上,所述有源层形成于所述栅绝缘层上且位于所述栅电极上方,所述源电极和漏电极形成于所述有源层上且相对间隔并分别于所述有源层相连接;所述像素电极形成于所述栅绝缘层和所述源电极之间且与所述漏电极相连接。

9.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极;所述液晶显示屏还包括扫描线和数据线,所述扫描线与所述薄膜晶体管的栅电极相连接,以向所述栅电极输出开关电压,所述数据线与所述薄膜晶体管的源电极相连接,以向所述源电极输出显示电压;所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极相连接。

10.根据权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于,所述液晶显示屏还包括透明衬底,所述薄膜晶体管、像素电极、公共电极和绝缘层均设置于所述透明衬底上,其中所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述绝缘层朝向所述透明衬底的一侧表面上,所述公共电极位于所述绝缘层背向所述透明衬底的一侧表面上。

技术总结本技术公开了一种液晶显示屏,包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和绝缘层,所述薄膜晶体管和所述像素电极相连接,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述绝缘层的一侧表面上,所述公共电极位于所述绝缘层的另一侧表面上;所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述公共电极与所述薄膜晶体管之间通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相隔开,所述公共电极与所述像素电极之间通过所述第一绝缘层相隔开。该液晶显示屏在降低寄生电容的同时,不会对存储电容产生影响。技术研发人员:董欣,伍小丰,张东琪,付浩,王新志受保护的技术使用者:信利(仁寿)高端显示科技有限公司技术研发日:20231009技术公布日:2024/5/29

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