高深宽比图形的深孔去胶工艺方法与流程

本发明涉及半导体湿制程，特别是一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。

背景技术：

1、半导体湿制程设备中，随着工艺的不断进步，高深宽比图形工艺越来越多，对于去胶工艺的要求越来越高。现有的去胶方式，主要是浸泡去胶，高压去胶，常压喷淋去胶，这些方式无法对应高深宽比图形，药水因为图形张力原因，无法进入深孔图形内部，会有工艺结束后残胶情况。

技术实现思路

1、本发明为了有效的解决上述背景技术中的问题，提出了一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。

2、具体技术方案如下；

3、一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

4、步骤1：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；

5、步骤2：将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1-2mm范围内；

6、步骤3：基板上喷洒去胶液(兆声板边缘有去胶液喷嘴)，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间(5-30分钟时间)后，关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；

7、步骤4：关闭去胶液喷洒；

8、步骤5：移走兆声发生板，载台转速提高到300-500rpm之间(为使后面喷洒的液体均匀覆盖整个基板需提高转速，)，然后喷洒ipa和d iw(中文：异丙醇和水)，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留；

9、步骤6：在基板上表面喷洒n2(氮气)，吹干基板。

10、优选地，载台的转速小于100rpm(这样可以让液体充分作用基板)。

11、优选地，ipa和diw流量在500ml/min(既可以节省药水，又可以覆盖整个基板)。

12、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

13、本发明可以使去胶液完全进入深孔图形内部，溶解残胶，洗尽基板上的深孔图形。

技术特征：

1.一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，步骤1中，载台的转速小于100rpm。

3.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，ipa和diw流量在500ml/min。

技术总结本发明涉及半导体湿制程技术领域，特别是一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，包括以下步骤：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1‑2mm范围内；基板上喷洒去胶液，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间后关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；关闭去胶液喷洒；移走兆声发生板，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留；步骤6：在基板上表面喷洒N2，吹干基板。本发明可以使去胶液完全进入深孔图形内部，溶解残胶，洗尽基板上的深孔图形。技术研发人员：刘翠,王淑梅,包玉曼,蒋嘉受保护的技术使用者：浙江洁芯微电子设备有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29