用于光源掩模优化的方法、设备和介质与流程

本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及版图处理方法、设备和介质。

背景技术：

1、电路版图（又可以简称为版图）是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形，其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。集成电路制造商根据这些数据来制造掩模。掩模上的版图图案决定着芯片上器件或连接物理层的特征尺寸。同时，光刻分辨率也决定着芯片上的这些特征尺寸。

2、光源掩模优化（smo）是一种针对超小尺寸图形光刻的分辨率增强技术。在smo过程中，通过对光刻工艺中的光源和掩模进行协同优化，来改善在超小尺寸节点中的光刻工艺窗口，从而增强光学表现。

技术实现思路

1、在本公开的第一方面中，提供了一种用于光源掩模优化的方法。该方法包括：获取包括多个掩模图形的掩模版图和光源的信息；通过光刻仿真，生成利用掩模版图和光源在晶圆上形成的多个晶圆图形，多个晶圆图形分别对应于多个掩模图形；确定与多个晶圆图形的形成相关联的成像成本；以及基于成像成本，通过改变多个掩模图形中的至少一个掩模图形的目标尺寸，确定光源的目标照明模式和掩模版图。

2、在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。

3、在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。

4、通过下文的描述将会理解，根据本公开的实施例，可以将掩模图形的目标尺寸作为一个变量，并通过调整目标尺寸来对光源和掩模版图进行优化。以此方式，后期工程师无需对目标尺寸进行人工调整，这有利地提高了smo的效率并进一步有利于提高晶圆的良品率。

5、应当理解，本技术实现要素：部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于光源掩模优化的方法，包括：

2. 根据权利要求1所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，确定与所述多个晶圆图形的形成相关联的成像成本包括：

3.根据权利要求2所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，确定误差成本分量包括：

4.根据权利要求3所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，所述确定与该掩模图形对应的成像误差包括：

5.根据权利要求4所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，确定误差调整因子包括：

6.根据权利要求5所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，所述第一调整值、所述第二调整值和所述阈值质量与光刻工艺相关。

7.根据权利要求2所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，所述成像质量包括所述晶圆图形的光强对数斜率（ils）。

8.根据权利要求1所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，所述方法还包括：

9. 根据权利要求8所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，从所述多个掩模图形中确定所述至少一个掩模图形包括：

10. 根据权利要求8所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，从所述多个掩模图形中确定所述至少一个掩模图形包括：

11.根据权利要求1所述的用于光源掩模优化的方法，其特征在于，确定所述光源的目标照明模式和所述掩模版图包括：

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

13.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至11中任一项所述的方法。

技术总结根据本公开的示例实施例提供了用于光源掩模优化的方法、设备和介质。该方法包括：获取包括多个掩模图形的掩模版图和光源的信息；通过光刻仿真，生成利用掩模版图和光源在晶圆上形成的多个晶圆图形，多个晶圆图形分别对应于多个掩模图形；确定与多个晶圆图形的形成相关联的成像成本；以及基于成像成本，通过改变多个掩模图形中的至少一个掩模图形的目标尺寸，确定光源的目标照明模式和掩模版图。以此方式，无需对目标尺寸进行人工调整，提高了SMO的处理效率。技术研发人员：请求不公布姓名受保护的技术使用者：全芯智造技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29