一种电子纸TFT栅极结构及生产方法与流程

本发明属于tft栅极，更具体地说，特别涉及一种电子纸tft栅极结构及生产方法。

背景技术：

1、电子书阅读器需具有高刷新率及组装前光模组后tft器件仍能稳定工作的特性，tft技术是一种液晶显示屏技术，常用于平板电脑、智能手机、计算机显示器等电子设备上。tft器件由一组薄膜晶体管组成，每个像素点都有一个薄膜晶体管来控制其亮度和颜色。薄膜晶体管涉及非常薄的半导体薄膜和电容层，可以以较低的电压控制每个像素点，实现高分辨率、快速响应和色彩准确度等优点。

2、现有的电子书阅读器的tft器件具有以下缺点：

3、1、tft器件核心性能(ion开态电流/ioff关态电流/ss亚阈值摆幅)需要进一步提升，tft ion开态电流低，pixel电压充电率低，画面会存在模糊和残影现象，导致显示的效果差；

4、2、传统电子纸tft栅极为bottom gate结构，驱动性能不能满足电子书阅读器的高阶要求，且不具备遮光功能，其会导致前光模组照射tft器件时光生漏电流，pixel电压保持率低。

5、于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种电子纸tft栅极结构及生产方法，以期达到更具有更加实用价值性的目的。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供一种电子纸tft栅极结构及生产方法，以解决上述的问题。

2、一种电子纸tft栅极结构，包括tft器件，所述tft器件上设有便于使用的栅极机构，所述栅极机构包括vcom信号走线、source信号走线、gate信号走线、topgate桥接孔、bottomgate桥接孔和cst电容，所述vcom信号走线的一侧设有第一gate，所述vcom信号走线和第一gate的上端部铺设于第一gi栅绝缘层，所述gate信号走线固定安装在tft器件的一侧，所述topgate桥接孔设置在gate信号走线上，所述bottomgate桥接孔设置在gate信号走线上所述第一gi栅绝缘层的上端部设有半导体层，所述第一gi栅绝缘层的上端部固定安装有sd-source，所述第一gi栅绝缘层的上端部还固定安装有sd-drain，所述sd-source和sd-drain位于半导体层的上端部所述sd-source和sd-drain的上端部铺设有第二gi栅绝缘层，所述第二gi栅绝缘层的上端部铺设有第二gate，所述第二gate的上端部铺设有pv钝化层，所述pv钝化层的上端部铺设有oc有机层。

3、优选的，所述oc有机层的上端部设有itopixel电极。

4、优选的，所述cst电容位于tft器件的一侧，所述source信号走线固定安装在tft器件的侧端部。

5、一种电子纸tft栅极结构生产方法，包括以下步骤：

6、s1：在glass无碱玻璃上铺设第一gi栅绝缘层，在第一gi栅绝缘层上设置半导体层、sd-source和sd-drain；

7、s2：在sd-source、sd-drain上铺设第二gi栅绝缘层，在第二gi栅绝缘层上铺设第二gate；

8、s3：在第二gate上铺设pv钝化层，在pv钝化层上铺设oc有机层，在oc有机层上铺设itopixel电极；

9、s4：进行tft电性测试；

10、s5：对tft的q板进行切割，对tft小片进行切割，得到tft成品

11、与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

12、本发明中，通过设有新的栅极机构，提升了tft的开启速度，提高了用户在使用时的体验，使得在使用电子书设备时能够更快的进入页面，提高了本装置的使用性。

13、本发明中，通过设有新的栅极机构，使得tftion开态电流变高，高ion开态电流可以提高tft的开关速度，使其可以更快速地响应输入信号，提高显示屏的刷新率和响应速度，高ion开态电流可以帮助tft显示屏实现更优质的画质，提升画面的清晰度、亮度和对比度，同时减少模糊和残影现象，提升显示效果。

14、本发明中，通过设有新的栅极机构，使得pixel电压充电率高，高pixel电压充电率可以提高像素的刷新速度，使显示屏响应更快，减少动态场景中的残影和模糊现象，提高图像的清晰度和流畅度，高pixel电压充电率可以让像素更快速地切换颜色和亮度，提升显示屏的色彩表现力和对比度，改善画面的细节展现和色彩准确性。

15、本发明中，通过设有新的栅极机构，使得pixel电压保持率高，高pixel电压保持率可以保持像素在特定电压水平上的稳定性，减少画面闪烁或扭曲现象，提高显示图像的稳定性和一致性，可以使像素在转换状态时能够更快地保持原有的电压水平，减少像素间的相互影响和交叉感应，降低图像残影现象，提高显示效果。

16、本发明中，通过将topgate和bottomgate通过via过孔桥接在一起，形成相同的加载相同电位，相较于现有的gate信号走线的bottomgate形式，形成dualgate的结构；既制备出了遮光层，又能提升tft器件的核心性能；tftdp侧及fanout区的gate走线无需额外增加，ic材料及fpc材料与原有型号均可兼容，在产品物料成本无需增加的基础上，即可有效提升tft器件的核心性能，提升itopixel电极电压充电率和保持率。

技术特征：

1.一种电子纸tft栅极结构，包括tft器件(2)，其特征在于：所述tft器件(2)上设有便于使用的栅极机构；

2.如权利要求1所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部设有半导体层(22)。

3.如权利要求2所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部固定安装有sd-source(23)，所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部还固定安装有sd-drain(24)；

4.如权利要求3所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述sd-source(23)和sd-drain(24)的上端部铺设有第二gi栅绝缘层(32)。

5.如权利要求4所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第二gi栅绝缘层(32)的上端部铺设有第二gate(33)。

6.如权利要求5所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第二gate(33)的上端部铺设有pv钝化层(25)。

7.如权利要求6所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述pv钝化层(25)的上端部铺设有oc有机层(8)。

8.如权利要求7所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述oc有机层(8)的上端部设有itopixel电极(9)。

9.如权利要求8所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述cst电容(7)位于tft器件(2)的一侧，所述source信号走线(3)固定安装在tft器件(2)的侧端部。

技术总结本发明提供一种电子纸TFT栅极结构及生产方法，涉及TFT栅极技术领域，包括TFT器件，所述TFT器件上设有便于使用的栅极机构，所述栅极机构包括Vcom信号走线、Source信号走线、Gate信号走线、TopGate桥接孔、BottomGate桥接孔和Cst电容，所述Vcom信号走线的一侧设有第一Gate，所述Vcom信号走线和第一Gate的上端部铺设于第一G I栅绝缘层，所述Gate信号走线固定安装在TFT器件的一侧，本发明中，通过设有新的栅极机构，使得TFT I on开态电流变高，高I on开态电流可以提高TFT的开关速度，使其可以更快速地响应输入信号，提高显示屏的刷新率和响应速度，高I on开态电流可以帮助TFT显示屏实现更优质的画质，提升画面的清晰度、亮度和对比度，同时减少模糊和残影现象，提升显示效果。技术研发人员：文云东,高亚楼受保护的技术使用者：蚌埠墨方光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5