电光调制器及其形成方法与流程

本公开一般地涉及光子(光学和/或光电)电路，并且更一般地涉及电光调制器及其形成方法。

背景技术：

1、已知电光吸收调制器，其中根据由光信号穿过的材料的偏振，该材料的吸收系数以及因此的该信号的光学功率被调制。

技术实现思路

1、期望具有一种电光吸收调制器和一种制造这种调制器的方法，从而克服已知的电光吸收调制器及其制造方法的全部或者部分缺点。

2、一个实施例提供了与特别是cmos型的集成电路制造技术相兼容的制造电光吸收调制器的方法。

3、一个实施例提供了电光吸收调制器，其中损耗比已知的电光调制器小。

4、一个实施例提供了比已知的电光调制器紧凑的电光调制器。

5、一个实施例提供了电光吸收调制器，其能够调制具有1310nm量级的一个波长或多个波长的信号的光学功率。

6、因此，一个实施例提供了包括波导的电光调制器，该波导包括在波导的腔体中的多个量子阱。

7、根据一个实施例，腔体横向地穿过波导。

8、根据一个实施例，腔体在波导的下表面的水平处出现。

9、根据一个实施例，腔体具有相对于波导的下表面的法线倾斜的壁。

10、根据一个实施例，波导包括位于腔体任一侧、优选地由硅制成的两个半导体区域，该两个区域掺杂有不同的导电类型。

11、根据一个实施例，多个量子阱通过第一量子阻挡层和第二量子阱层的交替而形成。

12、根据一个实施例，第一层由硅-锗制成，第二层由锗制成。

13、根据一个实施例，第一层和第二层中的每层与波导的下表面齐平。

14、根据一个实施例，波导置于第三层上并且与第三层接触，第三层优选是绝缘体上半导体型结构的绝缘层。

15、根据一个实施例，波导包括被配置为引导通过波导而传播的光信号的波带(band)。

16、根据一个实施例，腔体穿过波带。

17、一个实施例提供了光子电路，其包括诸如上文限定的调制器。

18、另一实施例提供了一种制造诸如上文限定的调制器的方法，该方法包括以下的连续步骤：a)在波导中蚀刻贯通腔体；以及b)通过在其中形成多个量子阱来填充该腔体。

19、根据一个实施例，步骤b)包括以下的连续步骤：b1)通过从波导的材料的选择性外延，在腔体中形成第一材料的第一层；

20、b2)通过从先前层的外延，交替地形成第二材料的层和第一材料的层。

21、根据一个实施例，方法包括，在步骤b)之后的，对第一材料和第二材料的层从波导突出的部分的化学机械抛光的至少部分步骤。

22、在以下对特定实施例的非限制性描述中将结合附图详细讨论前述和其他特征和优点。

技术特征：

1.一种电光调制器，包括：

2.根据权利要求1所述的调制器，进一步包括：

3.根据权利要求1所述的调制器，其中所述腔体是从所述绝缘体上硅衬底的所述硅层的第一主表面向所述绝缘体上硅衬底的所述硅层的第二主表面延伸的贯通腔体。

技术总结本公开涉及电光调制器及其形成方法。在一个实施例中，电光调制器包括波导，波导具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。腔体被设置在波导中。多个量子阱被设置在腔体中。技术研发人员：C·鲍多特受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11