对衍射效应处理的方法、装置、电子设备以及存储介质与流程

本技术涉及全息光刻领域，尤其涉及一种对衍射效应处理的方法、装置、电子设备以及存储介质。

背景技术：

1、伴随着集成电路制造的特征尺寸越来越小，传统投影式光刻面临的技术挑战也越来越多。全息光刻是基于全息掩模的新型光刻系统，具有光路设计相对轻量化、制造环节相对精简的优点，具有广阔的发展前景。

2、在探测光照射掩模后，探测光会发生衍射，继续向像面传播，在一定的像距处，使用光阻来承接衍射光场，完成光刻工艺中的曝光过程。全息光刻技术在重建过程中，所有曝光显像在探测光照射后会一同向后传播到达像面，这为曝光显影带来了大量干扰。

3、为降低孪生像以及杂散光的影响，需要在曝光区域上方添加视场光阑。但这不可避免地会引入光经过该光阑的衍射效应，最终在光阻成像界面上需要的图形边界外形成光圈，影响了制造精度。当前还未有相关技术提出一种对视场光阑的衍射效应的有效处理方法。

技术实现思路

1、本技术提供了一种对衍射效应处理的方法、装置、电子设备以及存储介质，以至少解决相关技术未提出一种对视场光阑的衍射效应的有效处理方法的问题。

2、根据本技术实施例的一个方面，提供了一种对衍射效应处理的方法，该方法包括：

3、获取目标掩模面的预设复光场分布、所述目标掩模面的坐标、照射所述目标掩模面后得到的垂直光轴的光阻面的坐标；

4、根据所述目标掩模面的坐标、所述光阻面的坐标、所述预设复光场分布以及目标函数，得到所述光阻面的当前光强分布，其中，所述目标函数用于得到输入光束对应的输出像的光场分布，其中，所述输出像为所述光束通过所述目标掩模面呈现在硅片表面的成像图像；

5、根据所述光阻面的坐标落在多个区域的位置信息和所述当前光强分布，确定光强分布的约束条件，其中，所述区域是由衍射效应产生的；

6、根据所述约束条件调整所述目标掩模面中的多个掩模孔的尺寸参数。

7、根据本技术实施例的另一个方面，还提供了一种对衍射效应处理的装置，该装置包括：

8、第一获取模块，用于获取目标掩模面的预设复光场分布、所述目标掩模面的坐标、照射所述目标掩模面后得到的垂直光轴的光阻面的坐标；

9、第一得到模块，用于根据所述目标掩模面的坐标、所述光阻面的坐标、所述预设复光场分布以及目标函数，得到所述光阻面的当前光强分布，其中，所述目标函数用于得到输入光束对应的输出像的光场分布，其中，所述输出像为所述光束通过所述目标掩模面呈现在硅片表面的成像图像；

10、确定模块，用于根据所述光阻面的坐标落在多个区域的位置信息和所述当前光强分布，确定光强分布的约束条件，其中，所述区域是由衍射效应产生的；

11、第一调整模块，用于根据所述约束条件调整所述目标掩模面中的多个掩模孔的尺寸参数。

12、可选地，确定模块包括：

13、确定单元，用于确定所述光阻面的坐标落在晶片曝光的第一区域或光圈的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域均是由衍射效应产生的；

14、第一设置单元，用于在所述光阻面的第一数量个坐标落在所述第一区域的情况下，以所述当前光强分布与实际光强分布之间的误差值小于等于预设阈值作为第一约束条件；或者，

15、第二设置单元，用于在所述光阻面的第二数量个坐标落在所述第二区域的情况下，以所述当前光强分布设置为0作为第二约束条件。

16、可选地，第一调整模块包括：

17、求解单元，用于将所述第一约束条件结合目标优化算法，求解最优解，其中，所述最优解对应所述掩模孔的所述尺寸参数，使得掩模基于所述尺寸参数生成符合所述第一约束条件的光强；或者，

18、第三设置单元，用于基于所述第二约束条件调整所述掩模孔的所述尺寸参数，使得所述光阻面的坐标对应的光强为0。

19、可选地，第一得到模块包括：

20、第一得到单元，用于根据所述目标掩模面的坐标、所述光阻面的坐标、所述预设复光场分布以及目标函数，得到所述光阻面的光场分布；

21、第二得到单元，用于根据所述光阻面的光场分布得到所述当前光强分布。

22、可选地，该装置还包括：

23、第一比较模块，用于在所述根据所述光阻面的光场分布得到所述当前光强分布之后，将所述当前光强分布与实际光强分布进行比较；

24、第二调整模块，用于在所述当前光强分布与所述实际光强分布之间的误差值小于等于预设阈值的情况下，不再调整所述预设复光场分布，并将所述预设复光场分布作为目标复光场分布；在所述当前光强分布与所述实际光强分布之间的误差值大于所述预设阈值的情况下，调整所述预设复光场分布，直到所述当前光强分布与所述实际光强分布之间的误差值小于等于所述预设阈值，得到所述目标复光场分布；

25、第二得到模块，用于利用所述目标复光场分布、所述目标掩模面的坐标、所述光阻面的坐标以及所述目标函数，得到下一轮迭代的所述光阻面的光场分布。

26、可选地，该装置还包括：

27、第二获取模块，用于在所述根据所述光阻面的坐标落在多个区域的位置信息和所述当前光强分布，确定光强分布的约束条件之前，获取由衍射效应产生的光圈的宽度；

28、第二比较模块，用于比较所述宽度与预设显像分辨率尺寸之间的大小；

29、第三获取模块，用于在所述宽度大于所述预设显像分辨率尺寸的情况下，获取所述光阻面的坐标落在多个区域的所述位置信息。

30、可选地，该装置还包括：

31、设置模块，用于在根据所述光阻面第一区域内所有坐标的每个所述第一约束条件求解出所述最优解之后，再基于每个第二约束条件设置所述光阻面第二区域内的所有坐标对应的光强数值。

32、根据本技术实施例的又一个方面，还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器、通信接口和存储器通过通信总线完成相互间的通信；其中，存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于通过运行所述存储器上所存储的所述计算机程序来执行上述任一实施例中的方法步骤。

33、根据本技术实施例的又一个方面，还提供了一种计算机可读的存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述任一实施例中的方法步骤。

34、在本技术实施例中，通过获取目标掩模面的预设复光场分布、目标掩模面的坐标、照射目标掩模面后得到的垂直光轴的光阻面的坐标；根据目标掩模面的坐标、光阻面的坐标、预设复光场分布以及目标函数，得到光阻面的当前光强分布，其中，目标函数用于得到输入光束对应的输出像的光场分布；根据光阻面的坐标落在多个区域的位置信息和当前光强分布，确定光强分布的约束条件，其中，区域是由衍射效应产生的；根据约束条件调整目标掩模面中的多个掩模孔的尺寸参数。由于本技术实施例在根据目标掩模面的坐标、光阻面的坐标、预设复光场分布以及目标函数，得到光阻面的当前光强分布之后，基于光阻面的坐标位置和当前光强分布，设置光强分布的约束条件，既扩展了光阻面上需要求解的光强分布区间，又能根据约束条件调整目标掩模面中的多个掩模孔的尺寸参数，消除全息光刻中引入视场光阑导致的衍射效应，提高集成电路制造精度和质量，进而解决了相关技术未提出一种对视场光阑的衍射效应的有效处理方法的问题。