制造半导体装置及互补金属氧化物半导体影像感测器方法与流程

本揭露是关于用以制造半导体装置及金属氧化物半导体影像感测器的方法。

背景技术：

1、影像感测器装置广泛用于各种成像应用及产品中，诸如数字相机或手机相机应用。这些装置利用基板中的感测器元件(像素)阵列。像素可是光电二极管或其他光敏元件，其适于吸收朝向基板投射的光并将感测到的光转换成电信号。为了接收更多的光，增加影像感测器装置中像素的数目是有利的。

2、不断缩小的几何尺寸对影像感测器装置制造带来挑战。举例而言，制造工艺可能需要具有高深宽比的光阻剂遮罩以产生微米或次微米尺寸的像素。然而，具有超高深宽比的光阻剂遮罩更容易受到毛细管力的影响。随着遮罩的深宽比增大及/或随着间距减小，这些效应会加剧。结果，举例而言，由于相邻光阻剂遮罩之间毛细管力的牵引效应，光阻剂遮罩可能塌陷。此外，具有超高深宽比的光阻剂遮罩可能会受到t形顶轮廓的影响，这会导致蚀刻残留物在经蚀刻基板中随后形成的沟槽中形成。

技术实现思路

1、本揭露的实施例是一种制造半导体装置的方法，包括决定光阻剂成分中的副产物浓度。当副产物浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在基板上方形成光阻剂层。在光阻剂层中形成光阻剂图案，以露出基板的一部分，并对基板的露出部分执行操作。

2、本揭露的另一实施例是一种制造半导体装置的方法，包括决定光阻剂成分中三级胺氧化物的正规化浓度。当三级胺氧化物的正规化浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在下伏层上方形成光阻剂层。将光阻剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜伏图案。对经选择性曝光光阻剂层进行显影，以形成光阻剂图案，以露出下伏层的一部分。将离子布植至下伏层的露出部分中或蚀刻下伏层的露出部分。

3、本揭露的另一实施例是一种制造互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，包括决定光阻剂成分中三级胺氧化物的正规化浓度。当三级胺氧化物的浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在下伏层上方形成第一光阻剂层。将第一光阻剂层选择性地曝光于光化辐射以形成第一潜伏图案。对经选择性曝光第一光阻剂层进行显影，以形成第一光阻剂图案，第一光阻剂图案露出下伏层的第一部分。对下伏层的露出第一部分执行第一处理操作。移除第一光阻剂层。使用光阻剂成分在下伏层上方形成第二光阻剂层。将第二光阻剂层选择性地曝光于光化辐射以形成第二潜伏图案。对经选择性曝光第二光阻剂层进行显影，以形成第二光阻剂图案，第二光阻剂图案露出下伏层的第二部分。下伏层的第二部分是不同于下伏层的第一部分的下伏层的部分。对下伏层的露出的第二部分执行第二处理操作，其中第二处理操作是与第一处理操作不同的操作。

技术特征：

1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该操作是一离子布植操作。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该操作是一蚀刻操作。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该蚀刻操作在该基板中形成具有15至60的一深宽比的一沟槽。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该副产物为一三级胺氧化物。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中基于通过高效液相层析术决定的该光阻剂成分的一总浓度，该三级胺氧化物的一正规化浓度小于10％。

7.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中基于通过高效液相层析术决定的该光阻剂成分的一总浓度，该三级胺氧化物的该正规化浓度小于10％。

9.一种制造一互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中该第一处理操作是离子布植，而该第二处理操作是蚀刻。

技术总结一种制造半导体装置的方法及制造互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，制造半导体装置的方法包括决定光阻剂成分中副产物的浓度。当副产物的浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在基板上方形成光阻剂层。在光阻剂层中形成光阻剂图案，以露出基板的一部分，并对基板的露出部分执行操作。技术研发人员：邱威超,刘永进,张浚威,郭景森,许峰嘉受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13