通过纳米压印光刻工艺制造部件承载件的制作方法

本发明涉及一种通过纳米压印光刻(nil)工艺制造用于部件承载件的层结构的方法。此外，本发明涉及包括通过纳米压印光刻工艺制造的层结构的相应的部件承载件。

背景技术：

1、诸如印刷电路板(pcb)或基板之类的部件承载件机械地支撑并电连接有源和无源电子部件。电子部件安装在部件承载件上并且互连以形成工作电路或电子组件。

2、在芯片嵌入式pcb的制造过程中，嵌入式部件需要被连接至铜结构。通常这种连接是在芯片嵌入过程之后以及在压制过程之后完成的，通过压制过程，部件承载件的部件的层压层被压制在一起。压制过程后存在不同的生产路线来对部件进行连接。一种方法是在部件承载件的嵌入和压制过程中在具有临时保护件的情况下执行嵌置过程。压制和嵌置过程结束后，将临时保护件移除，并且可以在部件承载件的表面上看到芯片垫。部件垫可以通过例如钛和铜溅射工艺、然后进行铜工艺或直接进行铜镀覆工艺而被接触。

3、目前，通常通过光刻和随后的蚀刻工艺来制造精细线路结构、例如部件承载件的层中的嵌入式电传导线路结构。例如，可以应用激光直接成像(ldi)技术来实现精细的线路结构。然而，ldi成像像素尺寸会导致激光束尺寸的变化，从而导致精细线路尺寸的变化。ldi工艺后需要去除未固化的光刻胶(需要额外的工艺步骤)。紫外成像工艺后的未固化的光刻胶的显影对于精细线路结构来说可能是一个挑战，任何残留物都会导致精细线路结构中的开口。

4、然而，当应用ldi工艺时，需要多个制造步骤，以便在制造部件承载件的一个层结构之后进行进一步的制造步骤，例如对部件进行联接的步骤。例如，必须将相应的掩模或其他临时层清洗掉，以使制造的层保持清洁。

5、具体而言，在部件承载件的大规模生产中，需要非常精确且快速地进行对精细线路的制造。截至目前，在部件承载件的大规模生成中仅采用ldi工艺。因此，可能需要更快且更精确地制造具有部件承载件用的精细线路的层结构。

技术实现思路

1、该需求可以通过根据独立权利要求的主题来满足。本发明的有利实施方式由从属权利要求说明。

2、根据第一方面，一种制造用于部件承载件的层结构的方法。根据该方法提供了一种承载件层(例如电传导层或电绝缘层)。将压印抗蚀剂层添加到承载件层上。通过预限定的印模在压印抗蚀剂层中冲压出预限定结构，该预限定结构形成至少一个凹部。凹部在承载件层中或承载件层上限定出填充结构。

3、在相应的填充结构中填充电绝缘材料和电传导材料中的至少一者。

4、根据本发明的另一方面，提供了一种具有至少一个层结构(特别是用如上所述的方法制造)的部件承载件，该层结构具有至少一个承载件层(例如电传导层或电绝缘层)。所述至少一个层结构包括压印抗蚀剂层，其中该压印抗蚀剂层包括与所述至少一个承载件层接触的预限定压印结构，其中该预限定压印结构包括限定在承载件层中或承载件上限定出填充结构的至少一个曹部，该填充结构由电绝缘材料和电传导材料中的至少一者填充。

5、在示例性实施方式中，承载件层是电传导层，其中填充结构在电传导层中形成电绝缘图案，以用于限定由电传导层形成的电传导迹线的边界。

6、在本技术的上下文中，术语“部件承载件”可以特别表示能够在其上和/或其中容纳电子有源或无源部件以提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换句话说，部件承载件可以被构造为用于有源和无源部件的机械和/或电子承载件。具体地，部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层和ic(集成电路)基板中的一者。部件承载件还可以是组合上述类型的部件承载件中的不同部件承载件的混合板。

7、部件承载件包括层结构的叠置件，例如，至少一个电绝缘层结构及至少一个电传导层结构。例如，部件承载件可以是所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件，该层压件特别是通过施加机械压力形成，如果需要的话由热能支持。所提及的叠置件可以提供板状部件承载件，该板状部件承载件能够为另外的部件提供大的安装表面并且仍然非常薄且紧凑。术语“层结构”可以特别表示连续层、图案化层或在共用平面内的多个非连续岛状件。在本发明的上下文中，术语“层结构”可以是单层或多层组件。

8、承载件层可以是电传导层或电绝缘层，即介电层。承载件层可以布置在电绝缘基板上，例如包含玻璃材料的电绝缘基板上。承载件层还可以布置在另外的层叠置件、例如预制的层叠置件的另一暴露层上。具体地，在示例性实施方式中，承载件层是已经预先制造的层叠置件的暴露的外层。

9、限定承载件层的电传导层可以是例如由诸如铜的电传导金属材料制成的层。电传导层可以是例如厚度为1μm至10μm(微米)的电传导箔。电传导层可以施加在临时承载件结构、基板(例如由树脂制成)或由若干电传导层和电绝缘层叠置的叠置件制成的另外的层结构上。另外的层结构也可以通过根据本发明的nil制造方法来形成。

10、承载件层可以形成为施加在临时承载件上，临时承载件可以在制造过程结束时被去除。然而，替代地，承载件层可以形成在可以形成部件承载件的一部分的承载件上，在这种情况下，不从压印抗蚀剂层去除承载件。这样的承载件还可以——特别是直接——连接到压印抗蚀剂层(即，也可以设置成其间没有释放层)。形成根据本发明示例性实施方式的部件承载件的一部分的永久承载件可以优选地由玻璃制成。特别优选的是，这种具有玻璃承载件的部件承载件被构造为中介层。因此，特别是当玻璃用作绝缘层或绝缘承载件时，通过nil使用添加剂构建体来制造中介层可能是有利的。由于中介层可以有利地用玻璃作为绝缘材料制成，因此承载件结构(或另外的构建结构)可以有利地用于nil工艺。

11、例如通过分配涂覆或通过旋涂将压印抗蚀剂层添加到承载件层上。压印抗蚀剂层可以涂覆在电传导层的整个区域中。该区域可以是电传导层的一部分或整个电传导层。因此，例如突出部——突出部不应被涂覆有例如电传导材料——可以被压印抗蚀剂层保护。在示例性实施方式中，压印抗蚀剂层选择性地添加在电传导层表面的特定位置上，使得电传导层表面的特定其他位置，例如过孔、通孔或其他功能位置，还可以在进行压印步骤之前不被压印抗蚀剂层覆盖。

12、例如，可以在压印抗蚀剂层与电传导层之间施加粘合促进剂层或屏障层。粘合促进剂层可以是任选的，因为压印抗蚀剂层可以在没有附加粘合促进剂的情况下粘合。粘合促进剂层包含例如硅烷或硅氧烷及其组合物以及金属如锡、锌、镍、铝铜及其混合物或合金。混合物可以是硅烷/硅氧烷与金属的组合，并且合金可以指金属的混合物。屏障层可用于防止(离子)迁移。因此，通过防止迁移，可以提高部件承载件的可靠性。

13、压印抗蚀剂层可以是电绝缘的介电层并且被构造为可通过相应的预限定印模而变形。因此，压印抗蚀剂层被构造为在压印步骤、特别是纳米压印光刻(nil)步骤中被压印。nil工艺是一种制造纳米级图案的方法。纳米光刻工艺通过压印抗蚀剂层的机械变形和后续工艺来创建图案。压印抗蚀剂层通常是单体或聚合物制剂，这种单体或聚合物制剂在压印期间或压印之后通过热或uv光被固化。可以控制抗蚀剂与印模之间的粘附力以允许适当的释放。

14、通过压印，可以将包括多个细线凹部的填充结构压印在压印抗蚀剂层中。压印抗蚀剂层中的凹部可以包括不同的深度，从而可以印刷定制且精细的线填充结构和过孔结构。凹部和填充结构在压印抗蚀剂层和/或承载件层中具有不同的深度和/或不同的长度。

15、凹部限定承载件层中或承载件层上的填充结构的位置。在第一实施方式中(参见例如图2d和图2e)，凹部提供穿过压印抗蚀剂层的通孔，使得通过该通孔可以到达承载件层且使得填充结构形成并限定在承载件层“上”。通过添加(例如镀覆)工艺，通孔和凹部可以分别填充有电传导材料(msap工艺(改进的半添加工艺)或电绝缘材料。

16、在第二实施方式中(参见例如图1d，凹部限定穿过压印抗蚀剂层的通孔，使得通过凹部可到达承载件层。接下来，在减成工艺(例如蚀刻)中，可以将承载件层结构化。因此，填充结构被形成并限定在承载件层“中”。例如并且可选地在去除压印抗蚀剂层之后，可以用电传导或绝缘材料来对填充结构进行填充。

17、填充结构形成至少一个电传导子结构，该电传导子结构的深度直径比大于1，特别是大于1.5。在本技术的上下文中，术语“在压印抗蚀剂层中压印预限定(填充)结构”可以表示在压印抗蚀剂层中压印或压制预限定表面图案的过程。例如，这可以通过将工作模具(或工作印模)压制在(特别是仍然的)可变形压印抗蚀剂层中或者通过沿着(特别是仍然)可变形压印抗蚀剂层引导工作模具来实现。这样的工作模具可以具有与被处理的压印抗蚀剂层的表面轮廓相比相反的表面轮廓。在开发和制造过程期间，首先可以例如通过灰度光刻来制造主模具。然后可以通过在透明硅酮材料等中压印几次来复制主模具，并且可以生成主工作模具。最后，可以通过复制主工作模具来制造工作模具。工作模具可以在批量生产期间使用并且可以被压印在面板表面上。

18、凹部可以填充有电传导材料以形成填充结构。填充结构形成电传导迹线型和/或过孔型子结构，特别是在压印抗蚀剂层中形成至少一个电传导迹线型子结构和至少一个过孔型子结构。因此，可以提供定制的过孔和细线迹线。

19、印模包括预限定的负图案，因此形成一种模具，该模具可以在压力和温度下施加在压印抗蚀剂层的表面上。由此，在压印抗蚀剂层上形成期望的凹部和突出部图案。印模可以选择性地涂覆有金属、例如镍，特别是在印模的突出部的区域中，以压印抗蚀剂层中形成相应凹部。因此，nil抗蚀剂不会在已进行涂覆的这些区域中硬化和/或发生交联反应。因此，剩余的底部残留物可以很容易地剥离并由此去除，从而提供通向nil抗蚀剂下方的电传导层的通路(access)。

20、因此，只形成一次“复杂的”主印模/模具制造，例如使用双光子灰度光刻。接下来，在批量生产中，可以用一个主印模形成多个部件层。因此，可以在一个通用的压印工艺步骤中压印具有不同高度的过孔和细线图案。相对于传统的光刻蚀刻工艺，多个加工步骤可以由一个印刷步骤代替。此外，可以提供小于1μm的对准精度，从而可以进行无焊盘的(landless)过孔制造。因此，ldi机器具有很高的精度。此外，通过nil工艺，可以形成预限定结构的2.5d和3d图案。

21、压印抗蚀剂层可以是uv(紫外线)可固化(nil)抗蚀剂层，其例如通过分配或旋涂而涂覆在电传导层的表面上。电介质可固化压印抗蚀剂层可以具有高达260摄氏度的温度稳定性和低于80、优选低于60的热膨胀系数(cte)。压印抗蚀剂层的厚度可以是0.1μm至25μm，优选为1μm至10μm。压印抗蚀剂层在硬化期间可以具有低收缩率，因为收缩率直接影响可实现的分辨率和精度。可以通过设计用于补偿硬化期间抗蚀剂收缩的特定模具——层结构在固化期间被放置在该模具中——来减少压印抗蚀剂层由于uv或热固化而产生的收缩。压印和固化的步骤可以同时进行。

22、接下来，可以在可印刷抗蚀剂层的通孔中填充相应的电绝缘材料或电传导材料。诸如铜的电传导材料可以通过镀覆和相应的填充过程被填充在相应的通孔中。在对通孔的填充过程(例如镀覆过程)中，电传导层的其他区域被涂覆有压印抗蚀剂层，而不会被电传导材料涂覆。因此，压印抗蚀剂层可以在镀覆期间同时用作掩模和保护膜。

23、通过本发明的方法，纳米压印光刻(nil)被用于部件承载件(例如pcb)的大规模生产。根据本发明的nil工艺流程能够实现减少工艺步骤。根据本发明，压印抗蚀剂层可以用作蚀刻保护和/或镀覆保护。此外，在示例性实施方式中，可能不再需要去除压印抗蚀剂层。在这样的实施方式中，在蚀刻期间用于保护不应被去除的区域的另外的工艺步骤可以被废弃。因此，如果压印抗蚀剂层在蚀刻之前已经施加到相应的表面，则没有必要添加另一抗蚀剂。

24、因此，不需要单独的附加保护层，从而提供了更有效的工艺，特别是对于大规模生产而言。此外，另一必要的蚀刻步骤可以与对底部残留物进行去除的步骤结合，使得在一个工艺步骤中，可以在一个步骤中去除多个不同的部分，例如过填充层和相应的底部残留物。

25、此外，传统ldi工艺的分辨率受到激光照射波长的穿透深度和像素尺寸的限制，激光会引起树脂的交联反应，特别是树脂的硬化。由于部分反射的激光导致可实现的最大穿透深度，因此所应用的设计的分辨率受到影响。通过应用根据本发明的方法的nil工艺，由于该工艺的分辨率由精确制造的模塑和印模限定，这使得能够制造具有精细分辨率的图案化结构。因此，相对于传统的ldi工艺，可以制造具有更小直径的明显更小的过孔。

26、概括而言，本发明涉及一种部件承载件及其经济的制造路径，部件承载件例如为包含嵌入式多晶片和精细互连结构的pcb。

27、根据另一示例性实施方式，电传导层被施加到临时承载件结构上，并且在压印预限定结构之后去除临时承载件结构，使得形成用于部件承载件的层结构。

28、临时承载件结构被构造为在部件层结构和部件承载件的制造期间分别提供足够的稳定性。临时承载件被临时安装到电传导层并且可以在传导层被制造之后被移除。电传导层可以直接固定至临时承载件结构。替代性地，电传导层可以间接固定至临时承载件结构，使得例如可以插入多个中间层结构。

29、临时承载件结构可以包括由玻璃材料制成的临时承载件，以便对于uv光而言是透明的。临时承载件可以涂覆有被布置在电传导层与临时承载件之间的释放层，特别是uv释放层。因此，例如可以去除临时承载件并施加uv光。

30、最后，例如在固化(通过电磁辐射、温度和/或压力)之后，可以去除临时承载件结构，使得形成用于部件承载件的层结构。因此，可以提供用于部件承载件的相应的层结构。

31、根据另一示例性实施方式，至少一个凹部包括对电传导层进行覆盖的底部残留物。压印步骤中产生的底部残留物可以在另外的蚀刻和填充(例如镀覆)步骤中起到保护的作用。

32、在压印步骤之后，预限定结构包括至少一个凹部，该凹部包括覆盖电传导层的底部残留物。凹部可以同时形成大而精细的结构。因此，还可以在一个步骤中同时形成从芯片到板的低密度区域的第一层互连结构。

33、例如，凹部可以形成通孔，也可以形成对要形成的电传导结构进行表示的盲孔、线或沟槽。相邻凹部之间的线/空间可以通过压印和随后的(即，微分的)蚀刻形成为小于1μm，特别是小于0.2μm或者甚至更小。

34、覆盖电传导层的底部残留物可以包括例如小于300nm、特别是小于100nm的厚度。通过减成去除工艺将凹部中的压印抗蚀剂层的底部残留物去除，使得相应的凹部提供穿过压印抗蚀剂层通向电传导层的通路。例如，可以通过等离子体支持蚀刻或通过蚀刻、特别是干法蚀刻来去除底部残留物。为了对蚀刻的凹部进行清洁，可以进行可选的清洁步骤、例如湿法或干法清洁步骤。例如，可以应用另外的等离子体去污处理。因此，提供了压印抗蚀剂层中的经清洁的通孔并因此提供了通向电传导层的通路。

35、根据另一示例性实施方式，凹部中的压印抗蚀剂层的底部残留物通过减成去除工艺被去除，使得相应的凹部提供穿过压印抗蚀剂层通向电传导层的通路。

36、根据另一示例性实施方式，该方法还包括：在去除凹部中的压印抗蚀剂层的底部残留物之后，对可穿过压印抗蚀剂层的区域中的电传导层进行蚀刻使得在电传导层中形成相应的填充结构的步骤。该示例性实施方式涉及减成工艺。因此，可以对电传导层进行选择性蚀刻。用电绝缘材料填充电传导层中的填充结构。因此，电传导结构被蚀刻(例如通过湿法蚀刻)并因此被蚀刻剂图案化。电传导层的蚀刻部分由形成填充结构的电绝缘材料填充。因此，在非电传导填充结构之间，诸如过孔、沟槽和线的电传导结构分别形成在电传导层中。

37、根据另一示例性实施方式，该方法还包括：在去除凹部中的压印抗蚀剂层的底部残留物之后，用电传导材料填充凹部使得在层结构中形成各个填充结构、特别是用电传导材料填充过孔的步骤。因此，可以形成层结构，其中过孔从电传导层延伸穿过绝缘压印抗蚀剂层。

38、根据另一示例性实施方式，另外的传导填充材料形成在过孔中和/或相应凹部中的电传导材料上以生成传导表面部分，特别是通过镀覆来形成。

39、根据另一示例性实施方式，在形成另外的传导填充材料之前，压印抗蚀剂层和/或过孔通过种子层被涂覆以用于形成另外的传导填充材料。因此，可以获得对过孔以及铜迹线本身的过度镀覆。该示例性实施方式涉及msap工艺(改进的半加成工艺)。

40、在本技术的上下文中，术语“种子层”可以表示可以通过非电镀覆形成的薄金属层。非电镀覆可表示通过镀覆工艺形成种子层，该镀覆工艺不涉及向待镀覆有种子层的结构施加电力。例如，非电镀覆可以涉及形成化学金属膜作为种子层。另外或替代地，非电镀覆可以包括通过溅射形成种子层。

41、在本技术的上下文中，术语“电镀结构”可以表示通过电镀形成的金属结构。对于通过非电镀覆形成的种子层上的电传导材料的电镀、特别是流电镀覆，可以使用水基溶液或电解质，其包含待沉积为离子(例如作为溶解的金属盐)的金属。第一电极(特别是阳极)和待被制造为第二电极(特别是阴极)的部件承载件的预制件之间的电场可以迫使(特别是带正电的)金属离子移动到第二电极(特别是阴极)，在第二电极处，这些金属离子放弃电荷并将自己作为金属材料沉积在通孔的表面上。

42、在本技术的上下文中，术语“电镀保护结构”可以表示由在其上不能通过电镀沉积(或至少没有显著量的)金属的材料制成的结构。因此，电镀保护结构可以是抗镀覆介电结构，并且可以具体表示由在其上镀覆金属被抑制、不能或不可能在其上镀覆金属的材料制成的电绝缘结构。这可以通过提供由非粘性或粘性非常差的电介质材料制成的抗镀覆电介质结构来实现，该电介质材料优选具有疏水性，在该电介质材料上不粘附电镀金属。电镀保护结构的非极化特性也可能是有利的。例如，电镀保护结构可以具有包括脱模油墨、聚四氟乙烯和聚酰亚胺的组中的至少一者。更一般地，任何疏水材料可以适合于形成电镀保护结构。这种非粘合性或粘合性差的结构也可以由蜡质材料或合适的清漆制成。

43、根据另一示例性实施方式，临时承载件结构包括临时承载件层、特别是玻璃承载件层和联接至电传导层的释放层、特别是电磁辐射敏感释放层。因此，在层结构固化且稳固后，通过紫外线辐射对释放层进行处理时，释放层的粘合效果降低，从而可以将释放层与临时承载层一起去除。

44、根据另一示例性实施方式，电传导层包括铜。电传导层特别是厚度为1μm至10μm(微米)的铜箔。

45、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括0.1μm至50μm、特别是0.5μm至20μm、更特别是1μm至10μm的厚度。压印抗蚀剂层特别包括电磁辐射可固化材料、热可固化材料和/或uv可固化材料。例如，压印抗蚀剂层特别包括二氧化硅sio2、二氧化钛tio2、sio2-al2o3和玻璃化合物中的至少一者。因此，可以使用纳米填料例如sio2和沸石。相应的填料可以是可等离子体蚀刻的。此外，压印抗蚀剂层可以包括(除其他之外)基于su-8的环氧负性抗蚀剂和有机-无机杂化聚合物复合物、苯并环丁烯(bcb)、例如甲基环戊烯醇酮(cyclotene)。

46、根据另一示例性实施方式，通过涂覆、特别是通过分配涂覆或旋涂将压印抗蚀剂层添加至电传导层。旋涂是一种用于在平坦基材上沉积均匀薄膜的方法。通常在电传导层的中央施加少量的压印抗蚀剂材料。然后电传导层高速旋转，以通过离心力使涂覆材料铺展。此外，可以应用诸如喷墨印刷的印刷方法来添加压印抗蚀剂层。

47、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层中的预限定结构通过辊对板工艺(roll-to-plate process)或板对板工艺(plate-to-plate process)来压印。通过辊对板工艺，印模是筒形体，该筒形体在表面包括精细结构(负形)(即相应的凹部和突出部)。板状压印抗蚀剂层被驱动通过压印机，使得筒形体印模在压力下在压印抗蚀剂层上滚动，从而在压印抗蚀剂层中机械地形成相应的凹部。通过板对板工艺，印模是表面包含精细结构的面板。将板状印模压到压印抗蚀剂层的表面上，从而在压印抗蚀剂层中机械地形成相应的凹部。

48、根据另一示例性实施方式，电传导层中的填充结构彼此间隔开的距离小于25μm，特别是小于15μm，更特别是小于8μm，更特别是小于3μm，特别是小于2μm。例如，板对板nil压印可能实现至少2μm的对准精度。因此，形成电连接布线的填充结构可以通过无焊盘的过孔来实现(这对于高频应用尤其是有利的)。此外，填充结构的宽度与高度的宽高比的比率低于1，特别是低于0.5，更特别是低于0.2。

49、根据另一示例性实施方式，用于去除凹部中的底部残留物的减成去除工艺是湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺，特别是反应离子蚀刻工艺，或等离子体支持工艺，例如反应离子蚀刻或等离子体支持的蚀刻工艺。等离子除污使用受控化学反应从压印抗蚀剂层的凹部内部或电传导层中的相应孔内清除残留物。通过使用等离子体除污，可以使对压印抗蚀剂层的凹部周围的材料和电传导层的相应材料进行的不希望的去除最小化，因为可以选择所使用的等离子体(反应气体)来选择性地去除不同的材料。

50、根据另一示例性实施方式，填充结构涂覆有粘合促进剂层，以用于在随后的填充(例如镀覆)步骤中改进与电绝缘材料或电传导材料的结合。粘合促进剂层可以包含硅烷和硅氧烷、季铵聚合物及其组合物中的至少一者。屏障层包含硅氧烷、氮化硅及其组合物和金属如锡、锌、镍或铝、铜及其混合物或合金中的至少一者。

51、根据另一示例性实施方式，在对电传导层进行蚀刻之后，将压印抗蚀剂层去除，使得电传导层的表面不被覆盖。可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺来去除压印抗蚀剂层。因此，压印抗蚀剂层被用作临时牺牲层并且在另外处理层结构和进一步添加另外的功能区域之前被去除。

52、此外，特别地，在未覆盖的电传导结构上形成另外的电绝缘层、特别是包含树脂或聚合物的层或另外的压印抗蚀剂层。

53、根据另一示例性实施方式，在另外的电绝缘层上形成另外的电传导层。因此，可以形成另外的堆积(buildup)结构，从而可以形成用于部件承载件的复杂的多层结构。本发明的实施方式可以与传统的减成工艺和/或msap工艺结合。因此，可以利用本发明的nil工艺来制造例如高密度层，而为实现最终构建体而添加的其他层可以利用传统工艺来制造。这使得能够生产廉价且经济友好的产品。

54、根据另一示例性实施方式，在将压印抗蚀剂层添加到电传导层之前，在电传导层中形成至少一个孔洞。为了保护孔洞，可以在印模上涂覆镍(ni)或铬(cr)，以避免孔中的抗蚀剂固化。未固化的抗蚀剂可以稍后被去除，例如通过清洗。压印抗蚀剂层被压印成使得压印抗蚀剂层包括抗蚀剂层通孔，其中压印抗蚀剂层与电传导层对准，使得电传导层的孔洞与抗蚀剂层通孔匹配。如果在压印步骤期间残留物落入先前在电传导层中形成的孔洞中，则可以应用例如等离子体支持的蚀刻工艺以对孔洞进行清理。因此，通过示例性实施方式，电传导结构中的各个凹部、沟槽、盲孔或通孔例如通过在施加压印抗蚀剂层之前的先前制造步骤中的蚀刻工艺来形成。

55、根据另一示例性实施方式，填充(例如通过镀覆)电传导材料以在电传导层的孔洞和抗蚀剂层通孔中形成过孔，使得电传导材料的过量部分(例如，过量的镀覆铜)被提供。

56、特别地，压印抗蚀剂层的仅一些凹部被填充有电传导材料，而其他凹部、特别是提供底部层的凹部保持没有电传导材料。

57、根据另一示例性实施方式，在去除压印抗蚀剂层的底部残留物的步骤中或之后，将压印抗蚀剂层的抗蚀剂层通孔中的过量部分去除，特别是通过蚀刻。因此，可以同时进行去除和蚀刻的步骤。特别地，将电传导材料的过量部分去除并另外将未填充的凹部中的压印抗蚀剂层的底部层以及位于下方的电传导层部分去除。特别地，可以通过湿法蚀刻来蚀刻电传导层，并通过干法蚀刻来蚀刻压印抗蚀剂层。

58、根据另一示例性实施方式，在压印绝缘层上形成另外的电绝缘层，特别是预浸料或另外的压印抗蚀剂层。压印抗蚀剂层的凹部填充有与另外的电绝缘层相同的材料或者与另外的电绝缘层不同的材料。因此，对迹线之间的凹部进行填充的介电材料包括nil压印抗蚀剂层和pcb工业中使用的常规树脂。

59、因此，通过本示例性实施方式，压印抗蚀剂层用作永久压印抗蚀剂(nil)层，其是最终部件承载件的一部分。例如，可以施加另外的压印抗蚀剂层并且可以应用相应的另外的纳米压印步骤以用于构造另外的压印抗蚀剂层。

60、根据另一示例性实施方式，将压印抗蚀剂层去除，并将另外的电绝缘层、特别是预浸料或另外的压印抗蚀剂层置于电传导层上，其中电传导层中的填充结构填充有与另外的电绝缘层相同的电绝缘材料或者由与另外的电绝缘层不同的材料填充。

61、通过本发明的方法制造的层结构可以与传统的减成和/或msap工艺结合。因此，可以利用本发明的nil工艺来制造例如高密度层，而为实现最终构建体而添加的其他层可以利用传统工艺来制造。这使得能够生产廉价且经济友好的产品。

62、下面将总结部件承载件的示例性实施方式。

63、根据示例性实施方式，填充结构的至少一个凹部形成部分包括渐缩侧壁。

64、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层的限定表面轮廓的表面、特别是侧壁表面的粗糙度ra不超过100nm，特别地不超过50nm，

65、根据另一示例性实施方式，所述至少一个凹部形成通孔，使得电传导层的至少一个表面部分在凹部处暴露。

66、根据另一示例性实施方式，至少一种另外的传导填充材料形成在被填充在形成填充结构的相应凹部中的电传导材料上。

67、根据另一示例性实施方式，部件承载件还包括选择性地对压印抗蚀剂层的填充结构进行加衬的电传导种子层，并且特别是填充在形成填充结构的相应凹部中的电传导材料。

68、根据另一示例性实施方式，电传导材料和另外的传导填充材料中的至少一者是镀覆层，其中电传导材料和另外的传导填充材料以无焊盘的方式连接。

69、根据另一示例性实施方式，部件承载件还包括另外的层结构，该另外的层结构上形成有层结构，其中另外的层结构特别包括至少一个层压印刷电路板层叠置件。

70、根据另一示例性实施方式，部件承载件还包括通过连接结构安装在压印抗蚀剂层上的部件，该部件特别地通过布置在部件与压印抗蚀剂层之间的焊料结构、烧结结构和热压结合结构中的一者来安装。

71、根据另一示例性实施方式，部件承载件还包括至少部分地并排布置在压印抗蚀剂层上并且通过压印抗蚀剂层处和/或压印抗蚀剂层侧向的电传导连接结构彼此电联接的两个部件，这两个部件特别是通过压印抗蚀剂层的突出部处和/或该突出部的侧向的电传导连接结构彼此电联接。

72、根据另一示例性实施方式，所述两个部件中的至少一个部件包括具有不同节距尺寸的垫，这些垫通过具有不同尺寸的连接结构、特别是焊料结构与具有不同节距尺寸的电传导连接结构电联接。

73、根据另一示例性实施方式，垫中的至少一个第一垫具有比具有较大节距尺寸的垫中的至少一个第二垫更小的节距尺寸，其中所述至少一个第一垫与压印抗蚀剂层上的至少一个第一电传导连接结构电联接，并且其中所述至少一个第二垫与远离压印抗蚀剂层的层压印刷电路板层叠置件上的至少一个第二电传导连接结构电联接。

74、根据另一示例性实施方式，其中过孔的至少一部分突出超过压印抗蚀剂层，从而形成至少一个过孔突出部，以用于与电子外围电连接，特别是用于与表面安装部件电连接。

75、部件承载件可以包括至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构的叠置件。例如，部件承载件可以是所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件，特别是通过施加机械压力和/或热能而形成。所提及的叠置件可以提供板状部件承载件，该板状部件承载件能够为另外的部件提供大的安装表面并且仍然非常薄且紧凑。术语“层结构”可以特别表示连续层、图案化层或在共用平面内的多个非连续岛状件。

76、在实施方式中，部件承载件被成形为板状。这有助于紧凑的设计，其中部件承载件仍然为在其上安装部件提供了大的基部。此外，特别是作为嵌入式电子部件示例的裸芯片，由于其较小的厚度，可以方便地被嵌入到诸如印刷电路板的薄板中。

77、在实施方式中，部件承载件构造为包括选自以下各者中的一者：印刷电路板、基板(特别是ic基板)和中介层。

78、在本技术的上下文中，术语“印刷电路板”(pcb)可以特别地表示通过例如通过施加压力和/或通过供给热能而将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构进行层压而形成的板状部件承载件。作为用于pcb技术的优选材料，电传导层结构是由铜制成的，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸材料或fr4材料。通过例如激光钻孔或机械钻孔形成穿过层压件的通孔，并且通过用电传导材料(特别是铜)部分地或完全地填充这些通孔从而形成过孔或任何其他的通孔连接部，可以以期望的方式将各个电传导层结构彼此连接。经填充的孔将整个叠置件连接(通孔连接部延伸穿过若干层或整个叠置件)，或者经填充的孔将至少两个电传导层连接，该经填充的孔被称为过孔。类似地，可以通过叠置件的各个层形成光学互连以接收光电电路板(eocb)。除了可以被嵌置在印刷电路板中的一个或更多个部件，印刷电路板通常被构造成用于在板状印刷电路板的一个表面或相反的两个表面上容纳一个或更多个部件。所述一个或更多个部件可以通过焊接而连接至相应的主表面。pcb的介电部分可以包括具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂。

79、在本技术的上下文中，术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于pcb而言，基板可以是相对较小的部件承载件，该部件承载件上可以安装一个或更多个部件并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与另外的pcb之间的连接介质。例如，基板可以具有与待安装在该基板上的部件(特别是电子部件)大致相同的尺寸(例如，在芯片级封装(csp)的情况下)。更具体地，基板可以理解为这样的承载件：用于电连接件或电网的承载件以及与印刷电路板(pcb)相当但具有相当高密度的侧向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。侧向连接件例如是传导通道，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些侧向连接件和/或竖向连接件布置在基板内并且可以用于提供已容置部件或未容置部件(比如裸晶片)——特别是ic芯片——与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“ic基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(比如，增强球状件，特别是玻璃球状件)的树脂。

80、基板或中介层可以包括至少一层以下各者或由至少一层以下各者构成：玻璃；硅(si)；和/或感光的或可干蚀刻的有机材料、如环氧基积层材料(比如，环氧基积层膜)；或者聚合物化合物(聚合物化合物可能包括也可能不包括光敏和/或热敏分子)、如聚酰亚胺或聚苯并恶唑。

81、在实施方式中，至少一个电绝缘层结构包括以下各者中的至少一者：树脂或聚合物，比如环氧树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂、三聚氰胺衍生物、双马来酰亚胺-三嗪树脂、聚苯衍生物(例如基于聚苯醚、ppe)、聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、液晶聚合物(lcp)、聚四氟乙烯(ptfe)和/或其组合。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构，比如网状物、纤维、球状件或其他种类的填充颗粒以形成复合物。与增强剂结合的半固化树脂，例如用上述树脂浸渍的纤维称为预浸料。这些预浸料通常以它们的特性命名、例如命名为fr4或fr5来描述它们的阻燃性能。尽管预浸料、特别是fr4对于刚性pcb而言通常是优选的，但是也可以使用其他材料、特别是环氧基积层材料(比如积层膜)或感光介电材料。对于高频应用，高频材料、比如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂可以是优选的。除这些聚合物之外，低温共烧陶瓷(ltcc)或其他低的、非常低的或超低的dk材料可以作为电绝缘层结构被施用在部件承载件中。

82、在实施方式中，至少一个电传导层结构包括以下各者中的至少一者：铜、铝、镍、银、金、钯、钨、镁。尽管铜通常是优选的，但是其他材料或其涂覆变型、特别是涂覆有超导材料或传导性聚合物、比如石墨烯或聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot)也是可以的。

83、所述至少一个部件可以选以下各者：非电传导嵌体、电传导嵌体(比如，金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如，热管)、光引导元件(例如，光波导或光导体连接件)、电子部件或其组合。嵌体可以是例如带有或不带有绝缘材料涂覆部(ims-嵌体)的金属块，该金属块可以嵌置或表面安装以用于促进散热的目的。合适的材料是根据所述材料的热传导率限定的，热传导率应为至少2w/mk。这种材料通常基于但不限于金属、金属氧化物和/或陶瓷，例如铜、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)。为了增加热交换能力，也经常使用具有增加的表面面积的其他几何形状。此外，部件可以是有源电子部件(实现了至少一个p-n结)、诸如电阻器、电感器或电容器之类的无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如，dram或其他数据存储器)、滤波器、集成电路(比如现场可编程门阵列(fpga)、可编程阵列逻辑(pal)、通用阵列逻辑(gal)和复杂可编程逻辑器件(cpld))、信号处理部件、功率管理部件(比如场效应晶体管(fet)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、互补金属氧化物半导体(cmos)、结型场效应晶体管(jfet)或绝缘栅场效应晶体管(igfet)，全部基于半导体材料，比如碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、氧化镓(ga2o3)、砷化铟镓(ingaas)和/或任何其他合适的无机化合物)、光电接口元件、发光二极管、光联接器、电压转换器(例如，dc/dc转换器或ac/dc转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(mems)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，其他部件也可以嵌置在部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(比如，铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体芯)或者可以是顺磁性元件。然而，该部件还可以是ic基板、中介层、或例如呈板中板构型的另外的部件承载件。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或该部件可以嵌置在部件承载件的内部。此外，还可以使用其他部件、特别是那些产生和发射电磁辐射和/或对从环境传播的电磁辐射敏感的部件来作为部件。在实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这种实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而被叠置并且连接在一起的多层结构的复合物。

84、在对部件承载件的内部层结构进行加工之后，可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构将经加工的层结构的一个主表面或相反的两个主表面对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)。换句话说，可以持续堆叠，直到获得期望的层数为止。

85、在完成电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成之后，可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处理。

86、特别地，就表面处理而言，可以将电绝缘的阻焊剂施加至层叠置件或部件承载件的一个主表面或相反的两个主表面。例如，可以在整个主表面上形成比如阻焊剂并且随后对阻焊剂的层进行图形化，以使一个或更多个电传导表面部分暴露，所述一个或更多个电传导表面部分将用于使部件承载件电耦接至电子外围。部件承载件的保持被阻焊剂覆盖的表面部分、特别是包含铜的表面部分可以被有效地保护以免受氧化或腐蚀。

87、就表面处理而言，还可以选择性地将表面处理部施加至部件承载件的暴露的电传导表面部分。这种表面处理部可以是部件承载件的表面上的暴露的电传导层结构(比如，垫、传导迹线等，特别是包括铜或由铜组成)上的电传导覆盖材料。如果不对这种暴露的电传导层结构进行保护，则暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)会被氧化，从而使部件承载件的可靠性较低。然后，表面处理部可以形成为例如表面安装部件与部件承载件之间的接合部。表面处理部具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)的功能，并且表面处理部可以例如通过焊接而实现与一个或更多个部件的接合过程。用于表面处理部的合适材料的示例是有机可焊性防腐剂(osp)、无电镍浸金(enig)、无电镍浸钯浸金(enipig)、金(特别是硬金)、化学锡(化学和镀覆的)、镍金、镍钯等。

88、根据另一示例性实施方式，在去除临时承载件结构之后，电传导层包括部件可接触的未覆盖的电传导垫。

89、根据本发明的另一示例性方面，提供了一种压印抗蚀剂材料，该压印抗蚀剂材料被配置为用于部件承载件的层结构的压印抗蚀剂层。

90、具体地，压印抗蚀剂材料被配置为用于预聚物组合物，其特征在于压印抗蚀剂材料用于nil压印工艺中的连续结构化和原位uv固化，优选地在辊对板工艺中，其保持在最后的构建体中。

91、特别地，压印抗蚀剂材料被配置为在用于对表面进行结构化的蚀刻工艺期间用作蚀刻产物。

92、特别地，压印抗蚀剂材料被配置为用作部件承载件中的至少另外的介电材料中的一者。

93、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括电绝缘材料。

94、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层具有大于600nm的粘附力。粘附力是不同颗粒或表面相互粘附的趋势。引起粘合的力可能是分子间作用力，负责用于各种贴纸和胶带的功能，分子间作用力被分为化学粘合、分散粘合和扩散粘合的类别。

95、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括200℃至300℃之间、特别是230℃至260℃之间的耐温性。压印抗蚀剂层可以特别是具有230℃至260℃之间的耐温性的固化的交联抗蚀剂材料。取决于所使用的基础低聚物，交联度越高，模量越高。

96、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括阻燃等级4(fr4)的材料。fr4可以是由玻璃纤维编织布与环氧树脂粘合剂组成的复合材料，且具有阻燃性(自熄性)。fr-4玻璃环氧树脂是一种高压热固性塑料层压板，其具有良好的强度重量比。fr-4的吸水率接近于零，由此可用作具有相当大机械强度的电绝缘体。

97、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括玻璃化转变温度在120℃与200℃之间、特别是在135℃与170℃之间的材料。

98、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层在低于玻璃化转变温度(在完全固化阶段)时具有1000mpa至14000mpa、特别是5000mpa至13000mpa的(杨氏)模量。

99、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层在高于玻璃化转变温度(即，在回流状态下)时具有60mpa至800mpa、特别是100mpa至600mpa的(杨氏)模量。玻璃-液体是无定形材料(或半结晶材料内的无定形区域)随着温度升高从坚硬且相对脆的“玻璃”态到粘性或橡胶态的逐渐且可逆的转变。表现出玻璃化转变的无定形固体称为玻璃。通过将粘性液体过冷至玻璃态而实现的逆转变称为玻璃化。材料的玻璃化转变温度tg表征了发生玻璃化转变的温度范围。材料的玻璃化转变温度低于熔融温度。

100、这些特性可以确保压印抗蚀剂层的材料具有足够的机械强度，以实现对压印抗蚀剂层中的电传导迹线、竖向贯通连接部等的精确设计。同时，这些特性可以确保压印抗蚀剂层的材料具有足够的弹性以缓冲热和/或机械应力。

101、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层在低于玻璃化转变温度时具有10ppm/k至40ppm/k、特别是20ppm/k至40ppm/k的热膨胀系数。这些值可以抑制部件承载件内部的热应力。

102、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层在高于玻璃化转变温度时具有50ppm/k至100ppm/k、特别是60ppm/k至85ppm/k的热膨胀系数。这些值可以抑制部件承载件内部的热应力。在高于tg时的热膨胀系数(cte)值越高，可靠性问题就越高。压印抗蚀剂层可以包括非织造玻璃纤维，使得热膨胀发生在所有方向上。热膨胀系数也由填料的量决定。如果填料量增加，则热膨胀系数降低。压印抗蚀剂层可以具有80％填料的填料含量。

103、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层在低于玻璃化转变温度下形成为具有2％的断裂应变。这可以导致压印抗蚀剂层和相应制造的部件承载件的有利的机械特性。

104、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层形成为具有低于3％的化学收缩率。因此，可以避免部件承载件内部中基于收缩的固化应力。

105、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层形成为具有低于0.1％的吸湿率和/或低于0.006g/min的3％的除污率。

106、压印抗蚀剂层的材料(特别是其树脂)的dk值可以不大于3，特别是对于高频应用而言。压印抗蚀剂层的材料(特别是其树脂)的df值可以不大于0.003，特别是对于高频应用而言。结果，所获得的部件承载件在高频行为方面可以具有优异的特性。如果填料含量增加，则dk和df的值也会增加。

107、压印抗蚀剂层的材料可以承受的压制循环的次数可以在介于1至10的范围内。压印抗蚀剂层的材料可以承受的回流测试的次数可以是至少6。这可以允许使用压印抗蚀剂层来制造部件承载件，其叠置厚度可以在足够宽的范围内选择。压印抗蚀剂层的材料可以通过以至少600n/m对铜进行剥离的测试来表征。％。压印抗蚀剂层的压制周期可承受6至10次。

108、压印抗蚀剂层的材料的去污速率可以是至少0.006g/min。压印抗蚀剂层的材料可以通过v1至v0(可确保防燃安全)的ul列表来表征(根据在本技术的优先权日期生效的最新版本的工业标准iec/din en 60695-11-10和20)。所提及的材料特性可以简化对压印抗蚀剂层的处理。压印抗蚀剂层包括芳族烃，例如ppe(聚(对亚苯基醚)ppe、bcb(苯并环丁烯)、环氧树脂和/或卤化聚酰亚胺。具体地，压印抗蚀剂层被配置用于在slid焊接工艺中使用，其中应用25℃的温度持续0.5小时至1小时。

109、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包含基于包含以下各者的组中的至少一者的完全固化的聚合物：环氧树脂、丙烯酸酯、聚苯醚、聚酰亚胺、聚酰胺和聚醚醚酮、聚(对苯醚)(ppe)、双苯并环丁烯(bcb)、和/或聚苯并恶苯(pbo)。

110、具体地，上面列出的低聚物的组合可以用于(特别是永久的)压印抗蚀剂层(即uv-nil抗蚀剂)。例如，基于bcb、ppe和su8的组合可以与超过80％的封装无机、圆形的大量sio2纳米填料和无卤材料一起使用。

111、例如，bcb(二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(dvs-双-bcb，或bcb)，例如cyclotenetm杜邦系列高级电子树脂)是光聚合物。这些聚合物源自b阶段双苯并环丁烯(bcb)化学。

112、例如，ppe(例如sabic noryl sa9000树脂)是一种基于带有乙烯基端基(用于megtron 6和7材料)的聚苯醚(ppe)的改性低分子量双官能低聚物。

113、例如，su-8(例如kayaku advanced materials su-8)是一种设计成用于微加工和其他微电子应用的高对比度、环氧基光刻胶。

114、树脂的氯化物含量可以低于30ppm。具体地，压印抗蚀剂层可以几乎不含卤素(例如，小于30ppm)，而卤素是离子的并且不与聚合物键合。可以通过多个水洗步骤洗掉卤素。

115、有利的是，在树脂加工过程中不应发生盐形成。此外，树脂的高交联能力可能是有利的。低孔隙率可能是优选的，以避免不期望的现象，例如裂纹、迁移等。

116、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括基于聚合物或低聚物的构建块，其中构建块中的至少一者基于上述聚合物中的一者。

117、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层的至少一个构建块具有至少一个共价键合到至少一个构建块中的另一者的官能团。共价键合的官能团负责交联连接。

118、根据另一示例性实施方案，至少一个官能团选自硫醇基团和/或双键中的一者，硫醇基团选自3-巯基丙酸酯、3-巯基乙酸酯、巯基乙酸酯和烷基硫醇，双键选自丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、乙烯基醚、烯丙基醚、丙烯基醚、烯烃、二烯、不饱和酯和烯丙基三嗪、异氰酸烯丙酯和n-乙烯基酰胺。

119、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包含具有至少一种光引发剂的预聚物，光引发剂的含量为0.1wt.％至10wt.％，特别是0.5wt.％至5wt.％。

120、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层特别是完全固化的树脂，其中压印抗蚀剂层还包括填料颗粒，填料颗粒的量例如为1wt.％至10wt.％，特别是1wt.％至3wt.％。

121、根据另一示例性实施方式，填料颗粒包含无机填料，其中无机填料处于结晶状态并且特别是被封装的。无机填料可以是纳米填料，该纳米填料可以被涂覆以避免附聚并降低触变性。由于空气的存在，多孔填料的dk可能较低，但它们可以吸收化学物质。因此，多孔填料具有疏水性硅烷涂覆部，就像rogers 3000材料的情况一样，同时填料在树脂基体中的混合更容易。卤代有机物、疏水性聚合物和共价键卤素可以用作填料，从而可以获得高阻燃性。压印抗蚀剂层可以包括具有芳香族成分的高无机填料。无机填料可以具有圆形光滑形状，这比针形形状更好。

122、根据另一示例性实施方式，填料颗粒的尺寸(例如根据算术平均值计算的平均尺寸)小于0.1μm。

123、根据另一示例性实施方式，填料颗粒包含滑石(即层状硅酸盐)、沸石和/或熔融sio2。sio2或沸石纳米填料通常会团聚，但通过涂覆可以减少这种团聚，并且也可以减少触变性。

124、根据另一示例性实施方式，填充颗粒是等离子体可蚀刻材料。

125、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层包括小于相对于压印抗蚀剂层的材料的总重量的95％(重量百分比)的填料颗粒，特别是80％至95％的填料颗粒。例如，更多的填料颗粒可以减少uv固化过程中油墨的收缩，同时带来更好的cte。此外，同时还实现了更好的阻燃性。

126、根据另一示例性实施方式，压印抗蚀剂层具有0.01pas至1pas的粘度。

127、本发明的上述方面和其他方面从下文中描述的实施方式的示例中是明显的，并且参考实施方式的示例进行解释。下面将结合实施方式对本发明进行更详细的描述，但本发明并不限于此。