掩模版保护膜结构及掩模结构的制作方法

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种掩模版保护膜结构及掩模结构。

背景技术：

1、掩模版是集成电路光刻工艺生产的图案模板，为了确保在晶圆表面形成的刻蚀图案的准确性，需要确保掩模版上的有效图形区域不存在任何污染物颗粒。为了保护掩模版上的有效图形区域，通常需要在掩模版上安装覆盖所述有效图形区域的掩模版保护膜结构。掩模版保护膜结构通常包括支撑框架、位于所述支撑框架上方的保护膜和位于所述支撑框架下方的粘胶层。所述支撑框架为环形结构，且所述粘胶层覆盖环形的所述支撑框架的全部底面。

2、由于掩模版是高精度集成电路产品，掩模版轻微的形变都会影响后续在晶圆上形成的刻蚀图案的形貌或者特征尺寸。然而，在将所述掩模版保护膜结构通过位于其底端的粘胶层固定在掩模版上时，会使得所述掩模版产生轻微形变。而且，当所述掩模版需要修复或者所述掩模版保护膜结构需要更换时，则需要从所述掩模版表面拆除所述掩模版保护膜结构。但是，在拆除过程中，会有粘结层残留在所述掩模版表面。此时，则需要通过复杂的物理或者化学工艺去除粘胶层，去除工艺极易出现化学离子在所述掩模版上的残留、对所述掩模版的有效图形区域造成损伤等问题，从而对掩模版的性能造成影响。

3、因此，如何减少掩模版保护膜结构带来的掩模版形变问题，并降低从掩模版上去除掩模版保护膜结构的工艺难度，且减少掩模版上图形区域的损伤，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种掩模版保护膜结构及掩模结构，用于减少掩模版保护膜结构带来的掩模版形变问题，并降低从掩模版上去除掩模版保护膜结构的工艺难度，且减少掩模版上图形区域的损伤。

2、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种掩模版保护膜结构，包括：

3、支撑框架，包括框架本体和贯穿所述框架本体的开口，所述框架本体包括相对分布的第一表面和第二表面；

4、保护膜，位于所述框架本体的所述第一表面上且封闭所述开口的顶面；

5、粘结层，包括位于所述框架本体的所述第二表面上且间隔排布的多个子粘结层，多个所述子粘结层环绕所述开口的底面的外周分布。

6、在一些实施例中，多个所述子粘结层关于所述开口的底面的中心对称分布。

7、在一些实施例中，所述框架本体的所述第二表面呈矩形形状，且所述第二表面包括依次连接的多条侧边；

8、所述子粘结层呈长条状，且多个所述子粘结层一一分布于多条所述侧边上。

9、在一些实施例中，所述第二表面包括相对分布的两条长侧边、以及相对分布的两条短侧边；

10、位于所述长侧边上的所述子粘结层的长度大于位于所述短侧边上的所述子粘结层的长度。

11、在一些实施例中，所述框架本体的所述第二表面呈矩形形状；

12、所述子粘结层呈l型，且多个所述子粘结层一一分布于所述第二表面的多个拐角处。

13、在一些实施例中，还包括：

14、过滤网，包括位于所述框架本体的所述第二表面上且间隔排布的多个子过滤网，所述子过滤网位于相邻的两个所述子粘结层之间。

15、在一些实施例中，所述子过滤网的两端分别与相邻的两个所述子粘结层接触连接。

16、在一些实施例中，所述子粘结层的厚度大于所述子过滤网的厚度，且在沿所述框架本体的所述第一表面指向所述第二表面的方向上，所述子粘结层凸出于所述子过滤网。

17、为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种掩模结构，包括：

18、掩模版，所述掩模版包括图形区域；

19、如上所述的掩模版保护膜结构，位于所述掩模版的上方，所述开口在所述掩模版上的投影覆盖所述图形区域，所述粘结层与所述掩模版接触连接。

20、在一些实施例中，所述掩模版保护膜结构还包括过滤网，所述过滤网包括位于所述框架本体的所述第二表面上且间隔排布的多个子过滤网，所述子过滤网位于相邻的两个所述子粘结层之间；

21、所述子过滤网位于所述掩模版上，且所述子过滤网的底面与所述子粘结层的底面平齐。

22、本实用新型提供的掩模版保护膜结构及掩模结构，通过将粘结层设置为在支撑框架的第二表面上间隔排布的多个子粘结层，能够减少所述粘结层与掩模版之间的接触面积，从而减小了所述掩模版保护膜结构传导至掩模版上的应力，进而减小了因安装掩模版保护膜结构而产生的掩模版形变。同时，由于所述粘结层与所述掩模版之间的接触面积减小，在掩模版上去除所述掩模版保护膜结构后，残留的所述粘结层的量也相应减小，从而降低了去除掩模版上残留的所述粘结层的工艺难度，进而降低了因去除所述粘结层而对所述掩模版造成损伤的风险。

技术特征：

1.一种掩模版保护膜结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，多个所述子粘结层关于所述开口的底面的中心对称分布。

3.根据权利要求1所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，所述框架本体的所述第二表面呈矩形形状，且所述第二表面包括依次连接的多条侧边；

4.根据权利要求3所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，所述第二表面包括相对分布的两条长侧边、以及相对分布的两条短侧边；

5.根据权利要求1所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，所述框架本体的所述第二表面呈矩形形状；

6.根据权利要求1所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，所述子过滤网的两端分别与相邻的两个所述子粘结层接触连接。

8.根据权利要求6所述的掩模版保护膜结构，其特征在于，所述子粘结层的厚度大于所述子过滤网的厚度，且在沿所述框架本体的所述第一表面指向所述第二表面的方向上，所述子粘结层凸出于所述子过滤网。

9.一种掩模结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的掩模结构，其特征在于，所述掩模版保护膜结构还包括过滤网，所述过滤网包括位于所述框架本体的所述第二表面上且间隔排布的多个子过滤网，所述子过滤网位于相邻的两个所述子粘结层之间；所述子过滤网位于所述掩模版上，且所述子过滤网的底面与所述子粘结层的底面平齐。

技术总结本技术涉及一种掩模版保护膜结构及掩模结构。所述掩模版保护膜结构包括：支撑框架，包括框架本体和贯穿所述框架本体的开口，所述框架本体包括相对分布的第一表面和第二表面；保护膜，位于所述框架本体的所述第一表面上且封闭所述开口的顶面；粘结层，包括位于所述框架本体的所述第二表面上且间隔排布的多个子粘结层，多个所述子粘结层环绕所述开口的底面的外周分布。本技术减小了因安装掩模版保护膜结构而产生的掩模版形变，并降低了因去除粘结层而对掩模版造成损伤的风险。技术研发人员：李德建受保护的技术使用者：睿晶半导体（宁波）有限公司技术研发日：20231110技术公布日：2024/6/13