制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法与流程

本发明构思的实施例涉及一种制造光掩模的方法，并且更特别地，涉及一种使用光学邻近校正(opc，optical proximity correction)制造光掩模的方法，该光掩模可以用于制造半导体器件。

背景技术：

1、至少由于诸如紧凑性、多功能性和/或低制造成本的特性，半导体器件通常被认为是电子工业中的基本元件。半导体器件可以被部署在多种应用中。例如，半导体存储器件可以用于存储逻辑数据或处理逻辑数据的运算，并且混合半导体器件可以具有存储元件和逻辑元件两者。随着电子工业的持续发展，半导体器件对于高集成度应用的需求日益增加。例如，半导体器件日益需要高可靠性、高速度和/或多功能应用。为了满足这些需求，半导体器件的改进导致日益复杂和集成的器件。

技术实现思路

1、本发明构思的一些实施例提供了一种能够进行一致的光学邻近校正的光学邻近校正方法。

2、本发明构思的一些实施例提供了一种制造具有增加的集成度和提高的可靠性的半导体器件的方法。

3、根据本发明构思的一些实施例，一种制造光掩模的方法可以包括：对设计图案执行光学邻近校正(opc)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述opc的步骤可以包括：将所述设计图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤可以包括：生成目标区段的关键区段；在所述关键区段周围创建查询区域；以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。

4、根据本发明构思的一些实施例，一种制造光掩模的方法可以包括：对线宽和间距图案执行opc(光学邻近校正)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述opc的步骤可以包括：将所述线宽和间距图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤可以包括：为所述多个区段中的在查询区域中具有相同图案图像的至少两个区段产生相同哈希值。

5、根据本发明构思的一些实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：对设计图案执行opc(光学邻近校正)以生成校正图案；使用所述校正图案来制造光掩模；在衬底上形成蚀刻目标层和光刻胶层；使用所述光掩模对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成多个光刻胶图案；以及使用所述光刻胶图案对所述蚀刻目标层进行图案化。执行所述opc的步骤可以包括：将所述设计图案划分为包括正常区段和异常区段的多个区段，所述异常区段的长度与所述正常区段的长度不同；创建所述正常区段的第一查询区域；创建所述异常区段的第二查询区域，所述第二查询区域具有与所述第一查询区域的图案图像相同的图案图像；为所述正常区段和所述异常区段产生相同哈希值；以及通过将相同校正偏移应用于具有相同哈希值的所述正常区段和所述异常区段，来生成所述校正图案。

技术特征：

1.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设计图案是线宽和间距图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述关键区段被生成为在所述目标区段的中央具有预定长度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述关键区段的长度为1dbu或2dbu，所述dbu即数据库单位。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述关键区段是在所述目标区段的端部周围生成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述哈希值是基于关于所述关键区段的长度和方向的第一信息以及关于所述关键区段周围的所述图案图像的第二信息而产生的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个区段包括正常区段和异常区段，所述异常区段的长度不同于所述正常区段的长度，

8.根据权利要求7所述的方法，其中，生成所述校正图案包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述opc还包括：对所述校正图案执行掩模规则检查。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

11.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，产生所述哈希值还包括：生成目标区段的关键区段，

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述关键区段被生成为在所述目标区段的中央具有预定长度。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个区段包括正常区段和异常区段，所述异常区段的长度不同于所述正常区段的长度，

15.根据权利要求14所述的方法，其中，生成所述校正图案包括：

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，执行所述opc还包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一关键区段的长度为1dbu或2dbu，并且所述第二关键区段的长度为1dbu或2dbu，所述dbu即数据库单位。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，执行所述opc还包括：对所述校正图案执行掩模规则检查。

20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：

技术总结提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。一种光掩模制造方法包括：对设计图案执行光学邻近校正(OPC)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述OPC的步骤包括：将所述设计图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤包括：生成目标区段的关键区段；在所述关键区段周围创建查询区域；以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。技术研发人员：吴兴锡,金周炳,金尚昱,李熙俊,郑芝银,韩奎斌受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2