硅基显示芯片的制造方法、装置、相关设备以及硅基显示芯片与流程

本技术涉及电子元器件制造，尤其一种涉及硅基显示芯片的制造方法、装置、相关设备以及硅基显示芯片。

背景技术：

1、硅基液晶显示芯片具有集成度高、开口率高、分辨率高以及功耗低等优点，因此广泛应用在生产液晶显示器、便携激光投影以及ar(augmented reality，增强现实)眼镜等领域。

2、在硅基液晶显示芯片的制造过程中，通常需要先制造硅基显示芯片，然后再通过巨量转移技术把液晶晶粒转移到硅基显示芯片上得到硅基液晶显示芯片。其中，由于液晶具有易流动的物理特性以及巨量转移技术的技术要求，均需要硅基显示芯片的顶侧表面具有非常高的平整度才能保证得到具有良好使用性能的硅基液晶显示芯片。

3、在现有的硅基显示芯片制造过程中，通常需要在硅衬底层中制造显示芯片电路，然后再在硅衬底层上对应于显示芯片电路的信号连接层的多个位置处依次制造像素电极层、焊盘等结构；其中，在焊盘制造完成后，为了防止焊盘被损坏或者污染，通常需要在硅衬底层上积淀用于完全覆盖住焊盘的介电层，然后在介电层中再制造像素电极层，待像素电极层制造完成后，再对覆盖在焊盘顶侧的介电层进行局部刻蚀用于露出焊盘。

4、在实际的操作中，虽然上述制造过程能够制造出包括像素电极层、焊盘等结构的硅基显示芯片，但是制造得到的硅基显示芯片最多能保证介电层的顶侧与像素电极层的顶侧是平齐的，而单独对“覆盖在焊盘顶侧的介电层进行局部刻蚀”的操作必然导致介电层的顶侧与焊盘的顶侧不平齐，由此导致根本无法达到液晶转移的过程中对硅基显示芯片的表面平整度的技术要求，最终必然会影响到在此基础上制造出的硅基液晶显示芯片的使用性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术的目的在于提供一种硅基显示芯片的制造方法、装置、相关设备以及硅基显示芯片，用于解决现有技术制造出的硅基显示芯片的表面平整度较低的技术问题。

2、第一方面，本技术提供了一种硅基显示芯片的制造方法，所述方法包括：

3、在硅衬底层中露出有显示芯片电路的信号连接层的延展面上积淀第一介电层；所述第一介电层中设置有与所述信号连接层进行连接的金属连接区层；

4、在所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面上以第一预设厚度积淀第二介电层；

5、在所述第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面上确认对应于所述金属连接区层的像素电极层目标位置、焊盘目标位置；

6、分别对所述第二介电层中的所述焊盘目标位置、所述像素电极层目标位置进行局部刻蚀得到凹槽并且向所述凹槽中填充金属；

7、以第二预设厚度对填充金属后的第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行全面刻蚀得到远离所述硅衬底层的延展面为平坦的硅基显示芯片；所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度。

8、优选地，所述在硅衬底层中露出有显示芯片电路的信号连接层的延展面上积淀第一介电层之后，所述方法还包括：

9、在所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面上确认对应于所述信号连接层的金属连接区层目标位置；

10、对所述第一介电层中的所述金属连接区层目标位置进行局部刻蚀得到露出所述信号连接层的第一凹槽；

11、在所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面上积淀第一金属层，用于在所述第一凹槽中形成金属连接区层；

12、对积淀所述第一金属层后的第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行全面刻蚀，用于去除所述第一金属层。

13、优选地，所述分别对所述第二介电层中的所述焊盘目标位置、所述像素电极层目标位置进行局部刻蚀得到凹槽并且向所述凹槽中填充金属，包括：

14、对所述第二介电层中的所述像素电极层目标位置进行局部刻蚀得到露出所述金属连接区层的第二凹槽；

15、在所述第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面上积淀第二金属层，用于在所述第二凹槽中形成所述像素电极层；

16、对积淀所述第二金属层后的第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行全面刻蚀，用于去除所述第二金属层。

17、优选地，所述对积淀所述第二金属层后的第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行全面刻蚀之后，所述方法还包括：

18、对所述第二介电层中的所述焊盘目标位置进行局部刻蚀得到露出所述金属连接区层的第三凹槽；

19、在所述第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面上积淀第三金属层，用于在所述第三凹槽中形成所述焊盘。

20、优选地，所述在硅衬底层中露出有显示芯片电路的信号连接层的延展面上积淀第一介电层之后，所述方法还包括：

21、对所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行平坦化处理；

22、所述在所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面上以第一预设厚度积淀第二介电层之后，所述方法还包括：

23、对所述第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行平坦化处理。

24、第二方面，本技术提供了一种硅基显示芯片的制造装置，所述装置包括：铺层模块、位置模块和刻蚀模块；

25、所述铺层模块，用于在硅衬底层中露出有显示芯片电路的信号连接层的延展面上积淀第一介电层；所述第一介电层中设置有与所述信号连接层进行连接的金属连接区层；

26、所述铺层模块，还用于在所述第一介电层中远离所述硅衬底层的延展面上以第一预设厚度积淀第二介电层；

27、所述位置模块，用于在所述第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面上确认对应于所述金属连接区层的像素电极层目标位置、焊盘目标位置；

28、所述刻蚀模块，用于分别对所述第二介电层中的所述焊盘目标位置、所述像素电极层目标位置进行局部刻蚀得到凹槽并且向所述凹槽中填充金属；

29、所述刻蚀模块，还用于以第二预设厚度对填充金属后的第二介电层中远离所述硅衬底层的延展面进行全面刻蚀得到远离所述硅衬底层的延展面为平坦的硅基显示芯片；所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度。

30、第三方面，本技术提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的硅基显示芯片的制造方法。

31、第四方面，本技术提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储程序，所述存储程序被处理器执行时实现上述的硅基显示芯片的制造方法。

32、第五方面，本技术提供了一种包含指令的计算机程序产品，当所述指令被计算机设备集群运行时，使得所述计算机设备集群实现上述的硅基显示芯片的制造方法。

33、第六方面，本技术提供了一种硅基显示芯片，所述芯片包括：从下至上依次叠设的硅衬底层、第一介电层和第二介电层；

34、所述硅衬底层中设置有显示芯片驱动电路，所述显示芯片驱动电路具有信号连接层；所述硅衬底层的一个主要延展面露出所述信号连接层；

35、所述第一介电层中设置有金属连接区层，所述金属连接区层与所述信号连接层连接；

36、所述第二介电层中设置有像素电极层、焊盘，所述像素电极层、所述焊盘均与所述金属连接区层连接。

37、有益效果：

38、本技术提供了一种硅基显示芯片的制造方法、装置、相关设备以及硅基显示芯片，通过在硅衬底层中露出有显示芯片电路的信号连接层的延展面上积淀第一介电层；第一介电层中设置有与信号连接层进行连接的金属连接区层；在第一介电层中远离硅衬底层的延展面上以第一预设厚度积淀第二介电层；在第二介电层中远离硅衬底层的延展面上确认对应于金属连接区层的像素电极层目标位置、焊盘目标位置；分别对第二介电层中的像素电极层目标位置、焊盘目标位置进行局部刻蚀得到凹槽并且向凹槽中填充金属；以第二预设厚度对填充金属后的第二介电层中远离硅衬底层的延展面进行全面刻蚀得到远离硅衬底层的延展面为平坦的硅基显示芯片；综上可知，本技术通过对已对在像素电极层目标位置、焊盘目标位置上局部刻蚀得到的凹槽内填充金属后的第二介电层中远离硅衬底层的延展面进行全面刻蚀，既可避免像素电极层、焊盘在构造过程中的相互污染，还能够保证第二介电层中远离硅衬底层的延展面为平整，因此可得到表面平整度符合硅基液晶显示芯片的要求的硅基显示芯片。