一种改善LPCVD沉积均匀性的炉管的制作方法

本技术涉及太阳能电池生产设备，尤其涉及一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管。

背景技术：

1、目前topcon太阳能电池的核心结构层为lpcvd沉积所得的sio层(遂穿层)和poly硅层，其工艺流程大致为：先使用lpcvd机台，通入反应气体氧气，使用其与电池背面的si发生化学反应，得到所需要的遂穿层sio2；再通入sih4气体，通过高温裂解，在sio2的表面沉积一层非晶si层。这两个膜的均匀性品质直接影响整个电池片的品质。

2、现有技术中，使用的lpcvd机台使用的炉管为一头进气、一头出气的方式，而这种方式的问题是炉口前驱气体的浓度与炉尾的浓度相差较大，由于化学反应受到温度、气体浓度的影响较大，因此随着气体从炉口进入炉管，经过近3米的运输（炉管长度大概在3米左右），到炉尾的浓度已经降低很多，炉管内反应的前驱气体浓度前后差异较大，从而使用沉积膜的均匀性受到影响。

3、虽然可以通过调节炉口与炉尾的温度来改善膜层厚度的均匀性，然而这种方式得到的膜层虽然厚度均匀性虽得到一定的改善，但其品质（如膜层的密度、折射率等）却存在差异，直接影响整片电池片的发电效率，而且炉管局部温度升高后会降低炉管的使用寿命。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，通过使用风淋墙的方法，将气源释放的前驱气体通过管道输送到工艺小舟一侧的风淋墙，通过风淋的方式均匀的经过衬底片表面，这样所得到的反应沉积物就可以均匀地沉积在衬底片的表面，得到均匀的膜层，工艺小舟的另一侧对称设置风淋墙，这样可以保证进、出气流的均匀性；同时可以通过阀门的控制，让两侧的风淋墙交替成为进气口和出气口，来控制工艺小舟两侧膜层的均匀性，以到达整片膜层可控，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，包括炉管本体，舟桨伸入炉管本体中，数个用于承载原料的工艺小舟安装于舟桨上；还包括主管道、真空泵、气源、数个风淋墙及匀气罩；所述主管道为两根且两端封闭，主管道的一端对称的伸入炉管本体内侧，另一端位于炉管本体外侧；所述匀气罩连接于炉管本体内的主管道上，风淋墙连接于匀气罩的开口端，且两根主管道上的匀气罩开口相向设置；所述气源通过吹气管分别连接于主管道，真空泵通过吸气管分别连接于主管道。

4、本实用新型的进一步改进方案是，所述匀气罩的内壁呈凹弧状，炉管本体内的主管道上并列连接有数根支管，匀气罩连接于支管的一端。

5、本实用新型的进一步改进方案是，所述风淋墙上设有若干个通风孔，且通风孔在风淋墙上呈矩形阵列排布。

6、本实用新型的进一步改进方案是，所述吹气管为两根，两根吹气管上分别连接有阀a与阀d。

7、本实用新型的进一步改进方案是，所述吸气管为两根，两根吸气管上分别连接有阀b与阀c。

8、本实用新型的进一步改进方案是，所述主管道在炉管本体内上下设置或左右设置。

9、本实用新型的进一步改进方案是，所述匀气罩内连接有匀气板。

10、本实用新型的进一步改进方案是，所述匀气板通过支架连接于匀气罩内侧。

11、本实用新型的有益效果：

12、本实用新型的改善lpcvd沉积均匀性的炉管，在炉管内设置风淋墙，改善反应前驱气体的均匀性，同时使用管内进、出气体气流得到很好的控制，使用衬底片能得到均匀的沉积膜层，预计可将现有片内的厚度均匀性控制在2%以内。

13、本实用新型的改善lpcvd沉积均匀性的炉管，该结构能获得均匀的遂穿层sio层和poly硅层，从而提升电池片的整体开路电压和短路电流，从而提升电池片的整体发电效率，预计可在现有基础上提升0.1%发电效率。

技术特征：

1.一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，包括炉管本体（1），舟桨（3）伸入炉管本体（1）中，数个用于承载原料的工艺小舟（2）安装于舟桨（3）上；其特征在于：还包括主管道（4）、真空泵（5）、气源（6）、数个风淋墙（7）及匀气罩（8）；所述主管道（4）为两根且两端封闭，主管道（4）的一端对称的伸入炉管本体（1）内侧，另一端位于炉管本体（1）外侧；所述匀气罩（8）连接于炉管本体（1）内的主管道（4）上，风淋墙（7）连接于匀气罩（8）的开口端，且两根主管道（4）上的匀气罩（8）开口相向设置；所述气源（6）通过吹气管（9）分别连接于主管道（4），真空泵（5）通过吸气管（10）分别连接于主管道（4）。

2.如权利要求1所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述匀气罩（8）的内壁呈凹弧状，炉管本体（1）内的主管道（4）上并列连接有数根支管（11），匀气罩（8）连接于支管（11）的一端。

3.如权利要求1或2所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述风淋墙（7）上设有若干个通风孔（701），且通风孔（701）在风淋墙（7）上呈矩形阵列排布。

4.如权利要求3所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述吹气管（9）为两根，两根吹气管（9）上分别连接有阀a（12）与阀d（15）。

5.如权利要求3所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述吸气管（10）为两根，两根吸气管（10）上分别连接有阀b（13）与阀c（14）。

6.如权利要求1所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述主管道（4）在炉管本体（1）内上下设置或左右设置。

7.如权利要求4-6中任一项所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述匀气罩（8）内连接有匀气板（16）。

8.如权利要求7所述的一种改善lpcvd沉积均匀性的炉管，其特征在于：所述匀气板（16）通过支架连接于匀气罩（8）内侧。

技术总结本技术公开了一种改善LPCVD沉积均匀性的炉管，包括主管道、真空泵、气源、数个风淋墙及匀气罩；所述主管道为两根且两端封闭，主管道的一端对称的伸入炉管本体内侧，另一端位于炉管本体外侧；所述匀气罩连接于炉管本体内的主管道上，风淋墙连接于匀气罩的开口端，且两根主管道上的匀气罩开口相向设置；所述气源通过吹气管分别连接于主管道，真空泵通过吸气管分别连接于主管道。本技术将气源释放的前驱气体通过管道输送到工艺小舟一侧的风淋墙，通过风淋的方式均匀的经过衬底片表面，这样所得到的反应沉积物就可以均匀地沉积在衬底片的表面，得到均匀的膜层，工艺小舟的另一侧对称设置风淋墙，这样可以保证进、出气流的均匀性。技术研发人员：许元飞,付少剑,张明明,郭世成,范洵,毛雨,吕佳丽受保护的技术使用者：淮安捷泰新能源科技有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/6/11