一种半导体器件及其制备方法与流程

本发明涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术：

1、化学镀是一种不需要通电，依据氧化还原反应原理，利用强还原剂在含有金属离子的溶液中将金属离子还原成金属而沉积在各种材料表面形成致密镀层的方法，广泛应用于半导体的封装。

2、目前在化学镀ni(镍)/pd(钯)/au(金)时，化学镀镍ni过程在会产生氢气，而pd层具有易吸收氢气的特性，容易导致镀镍过程中产生的氢气吸附在pd层中。在进行后续的封装工艺时，pd层中吸附的氢气在剧烈的升温过程中可能发生爆炸性的排气过程，这种剧烈的排气可能引发正处在熔融状态中的焊接点内部的小爆炸，从而导致溅锡问题。

3、因此需要进行改进，以解决上述问题。

技术实现思路

1、在技术实现要素：部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、针对目前存在的问题，本发明实施例一方面提供一种半导体器件的制备方法，包括：

3、提供晶圆，在所述晶圆的顶层金属上化学镀镍，形成镍层；

4、在所述镍层上形成钝化保护层，其中，所述钝化保护层用于防止所述镍层被氧化；

5、对所述晶圆进行烘干；

6、在所述钝化保护层上化学镀钯，形成钯层；

7、在所述钯层上化学镀金，形成金层。

8、在一个实施例中，所述钝化保护层为金层。

9、在一个实施例中，所述钝化保护层的厚度为10-20nm。

10、在一个实施例中，在对所述晶圆进行烘干之前，所述制备方法还包括：

11、对形成有钝化保护层所述晶圆进行清洗；

12、对清洗后的所述晶圆进行脱水。

13、在一个实施例中，所述对清洗后的所述晶圆进行脱水，包括：

14、通过旋转脱水或ipa脱水的方式对清洗后的所述晶圆进行脱水。

15、在一个实施例中，所述对所述晶圆进行烘干，包括：

16、使用预设温度的惰性气体对所述晶圆进行吹扫；或，

17、将所述晶圆放置于真空烘箱中，以预设温度进行烘烤。

18、在一个实施例中，所述预设温度为50℃-150℃。

19、在一个实施例中，所述在所述晶圆的顶层金属上化学镀镍，形成镍层，包括：

20、在所述顶层金属上形成锌层；

21、通过置换反应将所述锌层置换为第一镍层；

22、通过还原反应在所述第一镍层上形成第二镍层。

23、在一个实施例中，所述顶层金属的材质为铝或铜。

24、本发明实施例另一方面，提供一种半导体器件，所述半导体器件采用如上所述的方法制成。

25、根据本发明所提供的半导体器件的制备方法，通过在化学镀镍后对晶圆进行烘干，可以有效避免镀镍过程中产生的氢气残留在镍层中，从而避免后续镀钯时钯层吸附氢气，进而可以有效避免半导体器件在后续封装过程中出现因氢气外溢而导致的溅锡问题，提升产品良率。

技术特征：

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备。

技术总结一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供晶圆，在所述晶圆的顶层金属上化学镀镍，形成镍层；在所述镍层上形成钝化保护层，其中，所述钝化保护层用于防止所述镍层被氧化；对所述晶圆进行烘干；在所述钝化保护层上化学镀钯，形成钯层；在所述钯层上化学镀金，形成金层。根据本发明所提供的半导体器件的制备方法，通过在化学镀镍后对晶圆进行烘干，可以有效避免镀镍过程中产生的氢气残留在镍层中，从而避免后续镀钯时钯层吸附氢气，进而可以有效避免半导体器件在后续封装过程中出现因氢气外溢而导致的溅锡问题，提升产品良率。技术研发人员：眭小超,孙国栋受保护的技术使用者：芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11