半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺的制作方法

本申请涉及纳米工艺，特别涉及为一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺。

背景技术：

1、半导体纳米发热板是一种能够通过电流发热的纳米材料，广泛应用于加热、保暖和热敏传感器等领域，在制作半导体纳米发热板的过程中，需要进行正面接地保护，以确保其安全和稳定性；

2、目前已有一些工艺用于制作半导体纳米发热板的正面接地保护，但存在一些问题，例如，工艺步骤繁琐、成本高昂、制作周期长等，因此，需要提出一种新的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本申请旨在解决目前已有一些工艺用于制作半导体纳米发热板的正面接地保护，但存在一些问题，例如，工艺步骤繁琐、成本高昂、制作周期长的技术问题，提供一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺。

2、本申请为解决技术问题采用如下技术手段：一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，

3、一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，所述工艺包括：

4、s1、将基材进行表面处理并清洗；

5、s2、再通过高温隧道炉加热进行镀膜；

6、s3、将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆；

7、s4、在非镀膜面上镀上低电阻值的导电电阻作为接地面；

8、s5、再接地面上印制网格导电银浆；

9、s6、再把接地点用银浆引至发热面的接地点上。

10、进一步地，在所述将基材进行表面处理并清洗的步骤之中，

11、基材选用微晶玻璃、石英玻璃或陶瓷。

12、进一步地，在所述再通过高温隧道炉加热进行镀膜的步骤之前，

13、在基材需要镀半导体纳米发热膜的一面进行喷沙处理，再通过100摄氏度～180摄氏度低温烘箱烘干待用。

14、进一步地，在所述再通过高温隧道炉加热进行镀膜的步骤之中，

15、在高温650摄氏度～780摄氏度隧道炉中加热，将基材表面活化准备镀膜。

16、进一步地，在所述将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆的步骤之中，

17、所述镀膜液的内部成分比例为四氯化锡70％～89％、氯化锑3％～9％、氯化铋1％～8％、氯化铵0.2％～1.3％、盐酸0.3％～1.5％、酒精10％～30％、水4～12％，将四氯化锡、水、酒精混合，通过加热到60～85摄氏度进行溶解，完全溶解后把其他组成按比例进行混合溶解，停止加热直至其他成分材料完全溶解即可。

18、进一步地，在所述将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆的步骤之中，

19、在镀膜面上的导电银浆含量在70％～85％，作为导电电极。

20、进一步地，在所述再把接地点用银浆引至发热面的接地点上的步骤之后，

21、在接地面覆盖一层紫砂绝缘层。

22、本申请提供了半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，具有以下有益效果：

23、通过将基材进行表面处理并清洗；再通过高温隧道炉加热进行镀膜；将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆；在非镀膜面上镀上低电阻值的导电电阻作为接地面；再接地面上印制网格导电银浆；再把接地点用银浆引至发热面的接地点上；具备解决目前所不能解决的目前已有一些工艺用于制作半导体纳米发热板的正面接地保护，但存在一些问题，例如，工艺步骤繁琐、成本高昂、制作周期长的技术问题。

技术特征：

1.一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，所述工艺包括：

2.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述将基材进行表面处理并清洗的步骤之中，

3.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述再通过高温隧道炉加热进行镀膜的步骤之前，

4.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述再通过高温隧道炉加热进行镀膜的步骤之中，

5.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆的步骤之中，

6.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆的步骤之中，

7.根据权利要求1所述的半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，在所述再把接地点用银浆引至发热面的接地点上的步骤之后，

技术总结本申请提供了一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，运用于纳米工艺技术领域，通过将基材进行表面处理并清洗；再通过高温隧道炉加热进行镀膜；将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆；在非镀膜面上镀上低电阻值的导电电阻作为接地面；再接地面上印制网格导电银浆；再把接地点用银浆引至发热面的接地点上；具备解决目前所不能解决的目前已有一些工艺用于制作半导体纳米发热板的正面接地保护，但存在一些问题，例如，工艺步骤繁琐、成本高昂、制作周期长的技术问题。技术研发人员：周德平受保护的技术使用者：中和纳米科技（广东）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19