一种高温高压晶体生长高温炉的制作方法

本技术涉及高温炉，更具体地说，涉及一种高温高压晶体生长高温炉。

背景技术：

1、晶体生长高温炉是一种用于高温下进行材料生长的设备，通常，这些设备使用的是电阻加热或电弧加热等方法，可以在高温下使材料熔化，并通过控制温度梯度来控制材料的结晶过程，常见的晶体生长高温炉包括布里奇曼炉、高频感应炉、定向凝固炉等，其中，布里奇曼炉是一种使用预制材料的设备，通过缓慢地下降材料来控制温度梯度，从而在高温下形成单晶。

2、公开号为cn202482484u的实用新型，公开了一种晶体生长炉，包括有固定于底座上的炉体，炉体的内部设有晶体生长模具，炉体的外壁上设有多级台阶，其中一级台阶的台阶面上设有开孔并安装有透明视窗，透明视窗位于晶体生长模具的上方，炉体的上端设有开口并安装有保温罩。本实用新型结构合理，观察窗的位置由炉体的正面改为炉体外壁的台阶面上，在不影响观察效果的前提下，观察窗的位置远离炉内核心高温区，并配合保温罩使用，有效减少了炉内热量的散失，保证了炉内温场的均匀性和稳定性。

3、对于上述方案，本申请人认为，上述方案虽能够实现观察窗的设置不易影响到炉内温度的情况，但现有大多数情况下高温炉在使用后往往需要进行冷却，并通过降温使高温炉内侧的晶体能够顺利生长，因此一般采用风冷或水冷的降温方式，实现对高温炉的降温，但现有大多数高温炉进行水冷降温时，需要采用大量的水资源，不仅会增加水资源的消耗，并且会因大量水资源的存储占用大量的空间。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种高温高压晶体生长高温炉，它可有效的解决现有大多数高温炉进行水冷降温时，需要采用大量的水资源，不仅会增加水资源的消耗，并且会因大量水资源的存储占用大量的空间的问题。

2、为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案：

3、一种高温高压晶体生长高温炉，包括高温炉本体和密封盖板，所述高温炉本体与所述密封盖板的外侧设置有第二法兰，所述高温炉本体的外侧设置有降温机构，所述高温炉本体的外侧还设置有调整机构。

4、作为本实用新型的一种优选方案，所述降温机构包括固定连接在所述高温炉本体外侧的保温管，所述保温管的一端固定连接有第一连通管，所述第一连通管的一端固定连接有水箱，所述水箱的一侧固定连接有水泵，且所述水泵设置在所述第一连通管的外侧，所述第一连通管的两端分别与所述保温管和所述水箱相连通，所述保温管的另一端固定连接有第二连通管，所述第二连通管的一端固定连接有连接箱体，所述第二连通管的外侧设置有第一单向阀，所述连接箱体的下侧固定连接有第三连通管，且所述第三连通管的两端分别贯穿所述连接箱体和水箱，所述保温管的外侧固定连接有防护板。

5、作为本实用新型的一种优选方案，所述调整机构包括设置在所述高温炉本体一侧的气体瓶，所述气体瓶的上侧设置有进气管，所述进气管与所述气体瓶之间设置有第一法兰，所述进气管的外侧设置有气泵，所述进气管的一端贯穿所述高温炉本体，所述高温炉本体的内部固定连接有出气管，所述出气管的一端贯穿所述高温炉本体，所述出气管的外侧设置有第一阀体。

6、作为本实用新型的一种优选方案，所述水箱的上侧通过合页活动铰接有第一铰轴门板，所述第一连通管的外侧设置有第二单向阀，且所述第二单向阀设置在所述水泵远离所述水箱的一侧。

7、作为本实用新型的一种优选方案，所述水箱的内部开设有安装槽，所述水箱位于所述安装槽的内部固定连接有半导体制冷片。

8、作为本实用新型的一种优选方案，所述第二连通管的外侧固定连接有连接块，所述连接块的上侧固定连接有放置块。

9、作为本实用新型的一种优选方案，所述出气管的一端设置有闭合环块，所述连接箱体的下侧固定连接有加固板，且所述加固板与所述水箱之间固定连接，所述连接箱体的上侧固定连接有排气管，所述排气管与所述连接箱体之间相互连通，所述排气管的上侧设置有第二阀体。

10、相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

11、1.本装置中高温炉本体的外侧设置有降温机构，降温机构的设置，使得当高温炉本体在使用后需要进行降温时，不仅能够顺利的通过水源进行降温，并且降温时能够减少水资源的消耗。

12、2.本装置中调整机构的设置，能够有效的对高温炉本体内部的空气进行调整，使高温炉本体内部的含氧量能够根据需要进行降低，从而增加晶体生长时的纯净度和质量。

技术特征：

1.一种高温高压晶体生长高温炉，包括高温炉本体(1)和密封盖板(2)，其特征在于：所述高温炉本体(1)与所述密封盖板(2)的外侧设置有第二法兰(10)，所述高温炉本体(1)的外侧设置有降温机构，所述高温炉本体(1)的外侧还设置有调整机构。

2.根据权利要求1所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述降温机构包括固定连接在所述高温炉本体(1)外侧的保温管(31)，所述保温管(31)的一端固定连接有第一连通管(32)，所述第一连通管(32)的一端固定连接有水箱(34)，所述水箱(34)的一侧固定连接有水泵(33)，且所述水泵(33)设置在所述第一连通管(32)的外侧，所述第一连通管(32)的两端分别与所述保温管(31)和所述水箱(34)相连通，所述保温管(31)的另一端固定连接有第二连通管(35)，所述第二连通管(35)的一端固定连接有连接箱体(36)，所述第二连通管(35)的外侧设置有第一单向阀(39)，所述连接箱体(36)的下侧固定连接有第三连通管(38)，且所述第三连通管(38)的两端分别贯穿所述连接箱体(36)和水箱(34)，所述保温管(31)的外侧固定连接有防护板(9)。

3.根据权利要求2所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述调整机构包括设置在所述高温炉本体(1)一侧的气体瓶(61)，所述气体瓶(61)的上侧设置有进气管(62)，所述进气管(62)与所述气体瓶(61)之间设置有第一法兰(7)，所述进气管(62)的外侧设置有气泵(63)，所述进气管(62)的一端贯穿所述高温炉本体(1)，所述高温炉本体(1)的内部固定连接有出气管(64)，所述出气管(64)的一端贯穿所述高温炉本体(1)，所述出气管(64)的外侧设置有第一阀体(65)。

4.根据权利要求2所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述水箱(34)的上侧通过合页活动铰接有第一铰轴门板(42)，所述第一连通管(32)的外侧设置有第二单向阀(41)，且所述第二单向阀(41)设置在所述水泵(33)远离所述水箱(34)的一侧。

5.根据权利要求2所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述水箱(34)的内部开设有安装槽(131)，所述水箱(34)位于所述安装槽(131)的内部固定连接有半导体制冷片(132)。

6.根据权利要求2所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述第二连通管(35)的外侧固定连接有连接块(81)，所述连接块(81)的上侧固定连接有放置块(82)。

7.根据权利要求3所述的一种高温高压晶体生长高温炉，其特征在于：所述出气管(64)的一端设置有闭合环块(15)，所述连接箱体(36)的下侧固定连接有加固板(5)，且所述加固板(5)与所述水箱(34)之间固定连接，所述连接箱体(36)的上侧固定连接有排气管(12)，所述排气管(12)与所述连接箱体(36)之间相互连通，所述排气管(12)的上侧设置有第二阀体(16)。

技术总结本技术公开了一种高温高压晶体生长高温炉，涉及高温炉领域，包括高温炉本体和密封盖板，高温炉本体与密封盖板的外侧设置有第二法兰，高温炉本体的外侧设置有降温机构，高温炉本体的外侧还设置有调整机构，述降温机构包括固定连接在高温炉本体外侧的保温管，保温管的一端固定连接有第一连通管，改善了现有大多数高温炉进行水冷降温时，需要采用大量的水资源，不仅会增加水资源的消耗，并且会因大量水资源的存储占用大量的空间的问题，本装置中高温炉本体的外侧设置有降温机构，降温机构的设置，使得当高温炉本体在使用后需要进行降温时，不仅能够顺利的通过水源进行降温，并且降温时能够减少水资源的消耗。技术研发人员：毋俊颖,洪杨,苏江滨受保护的技术使用者：福州致卓晶体光电科技有限公司技术研发日：20230927技术公布日：2024/5/19