一种直插式封装结构的制作方法

本技术涉及功率器件封装，尤其涉及一种直插式封装结构。

背景技术：

1、功率器件应用于计算机领域、网络通信领域、家用电器和工业控制类等大电压大电流的场景中。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，功率器件市场一直保持较快的发展速度。功率器件内的芯片封装时，通常采用键合线将芯片连接至基板，再将键合线与芯片一同封装至基板。

2、随着功率器件的功率密度越来越高，通常采用粗引线键合，或者使用铝带、铜带键合。但功率器件还有小型化封装的需求，为了使功率器件体积越来越小，会减小功率器件的引脚尺寸，从而限制了引线的尺寸，使得引线安装工艺复杂，不方便装配。并且采用引线键合，会增加封装的寄生电感，降低封装结构的可靠性。同时大功率的功率器件工作是产生的热量较多，封装的散热性能不佳会影响封装结构的可靠性。

3、导致功率器件越容易热失效，功率器件对封装的散热要求更高。

4、在实现本实用新型过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：

5、现有封装结构的可靠性较低，寄生电感较大。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种直插式封装结构，以解决现有技术中存在的现有封装结构的可靠性较低，寄生电感较大的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

3、本实用新型提供的一种直插式封装结构，包括引脚框架、功率芯片和dpc基板，所述引脚框架包括第一引脚框架和第二引脚框架，所述第一引脚框架和所述第二引脚框架相对设置形成容置腔，所述容置腔用于容纳所述功率芯片和所述dpc基板；所述功率芯片的第一面焊接固定在所述第一引脚框架的第一面上，所述功率芯片的第二面通过所述dpc基板与所述第二引脚框架的第一面电连接。

4、优选的，所述dpc基板包括陶瓷基板和铜材，所述陶瓷基板上设置有至少一个通孔，所述陶瓷基板第一面上的所述铜材贯穿所述通孔与所述陶瓷基板第二面上的所述铜材相连。

5、优选的，所述第一引脚框架上设置有漏极引脚，所述第二引脚框架上设置有栅极引脚和源极引脚。

6、优选的，所述漏极引脚、栅极引脚和所述源极引脚错落设置。

7、优选的，所述漏极引脚与所述功率芯片的漏极相接，所述栅极引脚与所述功率芯片的栅极相接，所述源极引脚与所述功率芯片的源极相接。

8、优选的，所述dpc基板的第一面与所述功率芯片的第二面之间采用纳米银烧结连接，所述dpc基板的第二面与所述第二引脚框架的第一面之间采用纳米银烧结连接。

9、优选的，还包括第一dbc基板和第二dbc基板，所述第一dbc基板的第一面与所述第一引脚框架的第二面焊接固定，所述第二dbc基板的第一面与所述第二引脚框架的第二面焊接固定。

10、优选的，所述第二引脚框架包括相邻设置的栅极引脚框架和源极引脚框架，所述第二dbc基板第一面上的铜层结构与所述第二引脚框架相适配。

11、优选的，还包括塑封料，所述塑封料对所述引脚框架、功率芯片、dpc基板、第一dbc基板和所述第二dbc基板进行封装包裹。

12、优选的，所述引脚框架上的所述漏极引脚、栅极引脚和所述源极引脚，及所述第一dbc基板的第二面、所述第二dbc基板的第二面均裸露在所述塑封料外，并进行纯锡电镀；所述塑封料的材质为环氧树脂。

13、实施本实用新型上述技术方案中的一个技术方案，具有如下优点或有益效果：

14、本实用新型通过dpc基板将功率芯片连接至第二引脚框架，方便装配，能够降低引线带来的寄生电感，保证封装结构的可靠性。

技术特征：

1.一种直插式封装结构，其特征在于，包括引脚框架(1)、功率芯片(2)和dpc基板(3)，所述引脚框架(1)包括第一引脚框架(11)和第二引脚框架(12)，所述第一引脚框架(11)和所述第二引脚框架(12)相对设置形成容置腔，所述容置腔用于容纳所述功率芯片(2)和所述dpc基板(3)；所述功率芯片(2)的第一面焊接固定在所述第一引脚框架(11)的第一面上，所述功率芯片(2)的第二面通过所述dpc基板(3)与所述第二引脚框架(12)的第一面电连接。

2.根据权利要求1所述的直插式封装结构，其特征在于，所述dpc基板(3)包括陶瓷基板(31)和铜材(32)，所述陶瓷基板(31)上设置有至少一个通孔(311)，所述陶瓷基板(31)第一面上的所述铜材(32)贯穿所述通孔(311)与所述陶瓷基板(31)第二面上的所述铜材(32)相连。

3.根据权利要求2所述的直插式封装结构，其特征在于，所述第一引脚框架(11)上设置有漏极引脚(111)，所述第二引脚框架(12)上设置有栅极引脚(121)和源极引脚(122)。

4.根据权利要求3所述的直插式封装结构，其特征在于，所述漏极引脚(111)、栅极引脚(121)和所述源极引脚(122)错落设置。

5.根据权利要求4所述的直插式封装结构，其特征在于，所述漏极引脚(111)与所述功率芯片(2)的漏极相接，所述栅极引脚(121)与所述功率芯片(2)的栅极相接，所述源极引脚(122)与所述功率芯片(2)的源极相接。

6.根据权利要求5所述的直插式封装结构，其特征在于，所述dpc基板(3)的第一面与所述功率芯片(2)的第二面之间采用纳米银烧结连接，所述dpc基板(3)的第二面与所述第二引脚框架(12)的第一面之间采用纳米银烧结连接。

7.根据权利要求6所述的直插式封装结构，其特征在于，还包括第一dbc基板(4)和第二dbc基板(5)，所述第一dbc基板(4)的第一面与所述第一引脚框架(11)的第二面焊接固定，所述第二dbc基板(5)的第一面与所述第二引脚框架(12)的第二面焊接固定。

8.根据权利要求7所述的直插式封装结构，其特征在于，所述第二引脚框架(12)包括相邻设置的栅极引脚框架(123)和源极引脚框架(124)，所述第二dbc基板(5)第一面上的铜层结构(51)与所述第二引脚框架(12)相适配。

9.根据权利要求8所述的直插式封装结构，其特征在于，还包括塑封料(6)，所述塑封料(6)对所述引脚框架(1)、功率芯片(2)、dpc基板(3)、第一dbc基板(4)和所述第二dbc基板(5)进行封装包裹。

10.根据权利要求9所述的直插式封装结构，其特征在于，所述引脚框架(1)上的所述漏极引脚(111)、栅极引脚(121)和所述源极引脚(122)，及所述第一dbc基板(4)的第二面、所述第二dbc基板(5)的第二面均裸露在所述塑封料(6)外，并进行纯锡电镀；所述塑封料(6)的材质为环氧树脂。

技术总结本技术公开了一种直插式封装结构，涉及功率器件封装技术领域，解决了现有封装结构的可靠性较低，寄生电感较大的技术问题。该结构包括引脚框架、功率芯片和DPC基板，所述引脚框架包括第一引脚框架和第二引脚框架，所述第一引脚框架和所述第二引脚框架相对设置形成容置腔，所述容置腔用于容纳所述功率芯片和所述DPC基板；所述功率芯片的第一面焊接固定在所述第一引脚框架的第一面上，所述功率芯片的第二面通过所述DPC基板与所述第二引脚框架的第一面电连接。本技术通过DPC基板将功率芯片连接至第二引脚框架，方便装配，能够降低引线带来的寄生电感，保证封装结构的可靠性。技术研发人员：杨承晋,李茜云,兰华兵受保护的技术使用者：深圳市森国科科技股份有限公司技术研发日：20231110技术公布日：2024/7/9