降低POE受电设备能耗的整流电路的制作方法

本技术涉及一种降低poe受电设备能耗的整流电路，属于整流电路领域。

背景技术：

1、以太网供电(poe)是ieee 802.3af和802.3at标准定义的一种联网功能，一个完整的poe系统包括供电端设备(pse,powersourcingequipment)和受电端设备(pd,powerdevice)两部分。标准的五类网线有四对双绞线，ieee802.3af允许两种线序供电方法：一种是在4、5、7、8线对上传输电流，并且规定，4、5为正极，7、8为负极。另一种供电是在1、2、3、6线上传输电源，极性较为任意，1、2为正极，3、6为负极或是1、2为负极，3、6为正极。ieee802.3af主要供电参数：直流电压在44～57v之间，典型值为48v。典型工作电流为10～350ma，典型的输出功率：15.4w。超载检测电流为350～500ma。ieee802.3at(poe+)主要供电参数：直流电压在50～57v之间，典型值为50v。典型工作电流为10～600ma，典型的输出功率：30w。

2、为了兼容不同的poe标准，在设计pd时通常会使用二极管整流器对输入电流做极性识别。这种方法简单可靠，但是，当输入电流大于100ma时，二极管的功耗增加，并产生大量的热量，对系统造成影响。一种改善方式就是把普通二极管换成肖特基二极管，压降由0.5～0.7v降为0.3v左右，但依然有2个二极管同时发热的情况，改善效果有限。

技术实现思路

1、为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供一种降低poe受电设备能耗的整流电路，本实用新型既可以降低整流电路的功耗，又能保持电路的简单可靠。不用增加太多成本，到达降低能耗的目的。本实用新型的技术方案是：

2、一种降低poe受电设备能耗的整流电路，包括mos管q1、mos管q2、二极管d1、二极管d2、电阻r1、电阻r2、电阻r3和电阻r4，输入端ac1连接二极管d2正极、电阻r1的一端以及mos管q2的漏极，该mos管q2的源极连接电源输出端dc-、电阻r4的一端、电阻r2的一端和mos管q1的源极；mos管q2的栅极与电阻r4的另一端以及电阻r3的一端连接，该电阻r3的另一端与输入端ac2连接；所述mos管q1的栅极与电阻r1的另一端以及电阻r2的另一端连接，该mos管q1的漏极与输入端ac2、电阻r3的另一端以及二极管d1的正极连接，所述二极管d1负极连接到电源输出端dc+，二极管d2负极连接到电源输出端dc+。

3、所述的mos管q1、mos管q2为n沟道耗尽型场效应管。

4、所述的二极管d1、二极管d2为肖特基二极管。

5、所述的电阻r1和电阻r3的阻值为10k，电阻r2和电阻r4的阻值为100k。本实用新型的优点是：mos管的内阻很小，解决了现有采用二极管用于整流桥方案存在的压降和功耗过大的问题。将mos管整流桥用于pd接口，根据ieee802.3at(poe+)协议获知，最大电流600ma，仅用mos管替换整流通路中的一个二极管即可达到降低功耗的目的。因此，用mos管替代传统整流桥的下部两个二极管，既可以降低整流电路的功耗，又能保持电路的简单可靠。不用增加太多成本，到达降低能耗的目的。

技术特征：

1.一种降低poe受电设备能耗的整流电路，其特征在于，包括mos管q1、mos管q2、二极管d1、二极管d2、电阻r1、电阻r2、电阻r3和电阻r4，输入端ac1连接二极管d2正极、电阻r1的一端以及mos管q2的漏极，该mos管q2的源极连接电源输出端dc-、电阻r4的一端、电阻r2的一端和mos管q1的源极；mos管q2的栅极与电阻r4的另一端以及电阻r3的一端连接，该电阻r3的另一端与输入端ac2连接；所述mos管q1的栅极与电阻r1的另一端以及电阻r2的另一端连接，该mos管q1的漏极与输入端ac2、电阻r3的另一端以及二极管d1的正极连接，所述二极管d1负极连接到电源输出端dc+，二极管d2负极连接到电源输出端dc+。

2.根据权利要求1所述的降低poe受电设备能耗的整流电路，其特征在于，所述的mos管q1、mos管q2为n沟道耗尽型场效应管。

3.根据权利要求1或2所述的降低poe受电设备能耗的整流电路，其特征在于，所述的二极管d1、二极管d2为肖特基二极管。

4.根据权利要求3所述的降低poe受电设备能耗的整流电路，其特征在于，所述的电阻r1和电阻r3的阻值为10k，电阻r2和电阻r4的阻值为100k。

技术总结本技术涉及一种降低POE受电设备能耗的整流电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，输入端AC1连接二极管D2正极、电阻R1的一端以及MOS管Q2的漏极，该MOS管Q2的源极连接电源输出端DC‑、电阻R4的一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的源极；MOS管Q2的栅极与电阻R4的另一端以及电阻R3的一端连接，该电阻R3的另一端与输入端AC2连接；所述MOS管Q1的栅极与电阻R1的另一端以及电阻R2的另一端连接。本技术的优点是：用MOS管替换整流通路中的一个二极管即可达到降低功耗的目的。既可以降低整流电路的功耗，又能保持电路的简单可靠。不用增加太多成本，到达降低能耗的目的。技术研发人员：殷良策,张绪春,李树龙,张富兴受保护的技术使用者：青岛中科英泰商用系统股份有限公司技术研发日：20231121技术公布日：2024/7/11