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一种减反射涂层、制备方法及其应用与流程

  • 国知局
  • 2024-08-02 17:39:12

本发明涉及一种减反射涂层涂布液、制备方法及其应用,属于光学纳米薄膜。

背景技术:

1、近年来,大型显示屏演示逐渐取代投影仪。直接在平板显示器屏幕上进行演示可以提供明亮清晰的图像。然而,显示屏表面的反射光会使显示图像与外界反射影像相互交叠,造成图像清晰度下降。另外,激光笔的光线照射到显示屏后大部分光直接透过,导致难以看清激光笔的光斑。

2、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)是显示器中常用的衬底,可以在其表面涂布减反射膜来减少光的反射。目前常用的减反射膜材料有很多,例如sio2、zno、mgf2和tio2等等。减反射膜虽然可以减少光的反射,增加显示屏的清晰度,但是,减反射膜也会使激光笔的光线照射到显示屏后大部分光直接透过,导致难以看清激光笔的光斑。因此,如何在保证涂布膜能减少反射的同时还能够清楚显示激光笔的光斑成为本领域的技术难点。

技术实现思路

1、本发明为克服现有技术弊端,提供一种减反射涂层涂布液、制备方法及其应用,在减反射涂层中添加经表面修饰后的c量子点,保证涂布涂层后的基材具备减反射性的同时增加涂层的光致发光性,pet基板在400~780nm波段的反射光从5.30%降低到2.76%,用450nm的激光笔照射复合涂层,会在照射区域留下明亮的黄色光斑。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

3、一种减反射涂层,所述涂层为sio2溶胶涂层,所述sio2溶胶涂层中包含硅烷偶联剂修饰后的c量子点,所述c量子点在sio2溶胶中的浓度为0.02~0.5mol/l。

4、上述减反射涂层,所述c量子点与硅烷偶联剂的质量比为2:(0.5~2),所述c量子点的粒径为2~10nm。

5、上述减反射涂层,所述硅烷偶联剂为kh570。

6、一种减反射涂层的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:

7、s1、制备c量子点:采用溶剂热法制备c量子点;

8、s2、制备sio2溶胶:以正硅酸四乙酯(teos)作为硅源、氨水作为催化剂、无水乙醇作为溶剂,通过水解聚合反应制备碱性sio2溶胶;

9、s3、c量子点表面修饰:将步骤s1中的c量子点用硅烷偶联剂修饰其表面;

10、s4、sio2溶胶中掺入c量子点:将步骤s3中修饰后的c量子点滴加入到sio2溶胶中,边滴加边搅拌,制得混合溶胶;

11、s5、涂布:在pet基材上涂布步骤s4中制得的混合溶胶,根据涂布机的涂布速度,控制涂层的厚度,涂布结束之后,放在烘箱中烘干得到具有减反射和光致发光双重性能的涂层。

12、上述减反射涂层的制备方法,所述步骤s3中,c量子点用硅烷偶联剂修饰的过程为:将c量子点分散在无水乙醇中,然后向其中添加硅烷偶联剂kh570,并在室温下进行磁力搅拌3~6h。

13、上述减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤s5中涂层的厚度为80~120nm。

14、上述减反射涂层的制备方法,所述步骤s1中,c量子点的制备包括如下步骤:

15、a、将柠檬酸、尿素、cacl2和甲苯按照1:6:(0.2~2):(10~25)的摩尔比混合,搅拌30分钟得到混合溶液;

16、b、将混合溶液加入反应釜中,加热到160~240℃,制得c量子点;

17、c、向c量子点中加入水,超声混合均匀后离心,获得纯净的c量子点。

18、上述减反射涂层的制备方法,所述步骤s2中碱性sio2溶胶的制备步骤为:

19、a、将正硅酸四乙酯即teos和无水乙醇按照1:8~12的摩尔比混合,在室温条件下磁力搅拌,配成a溶液;

20、b、将水、氨水和无水乙醇按照5:(0.3~0.5):10的摩尔比混合,并在室温下搅拌2~3min,配成b溶液;

21、c、将相同体积的步骤a制得的a溶液缓慢滴加到步骤b制得的b溶液中制成反应前驱溶液;

22、d、将反应前驱溶液放于30~60°c的恒温水浴锅中,并进行磁力搅拌,反应4~7h,制得碱性sio2溶胶。

23、上述减反射涂层的应用,所述减反射涂层用于显示屏上。

24、本发明的有益效果是:

25、本发明通过溶胶凝胶法合成sio2纳米颗粒和溶剂热法合成c量子点。将提纯后的c量子点经过表面修饰后加入sio2溶胶中。然后通过辊涂法涂布成复合涂层,涂层无需退火处理,可使pet基板在400~780nm波段的反射光从5.30%降低到2.76%;而且用450nm的激光笔照射复合涂层,会在照射区域留下明亮的黄色光斑。即,本发明涂层可以同时改善显示屏表面的反射光和激光笔在显示屏上光斑暗淡的问题。

技术特征:

1.一种减反射涂层,其特征在于:所述涂层为sio2溶胶涂层,所述sio2溶胶涂层中包含硅烷偶联剂修饰后的c量子点,所述c量子点在sio2溶胶中的浓度为0.02~0.5mol/l。

2.根据权利要求1所述的减反射涂层,其特征在于:所述c量子点与硅烷偶联剂的质量比为2:(0.5~2),所述c量子点的粒径为2~10nm。

3.根据权利要求1所述的减反射涂层,其特征在于:所述硅烷偶联剂为kh570。

4.一种如权利要求1所述的减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤s3中,c量子点用硅烷偶联剂修饰的过程为:将c量子点分散在无水乙醇中,然后向其中添加硅烷偶联剂kh570,并在室温下进行磁力搅拌3~6h。

6.根据权利要求4所述的减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤s5中涂层的厚度为80~120nm。

7.根据权利要求4所述的减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤s1中,c量子点的制备包括如下步骤:

8.根据权利要求4所述的减反射涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤s2中碱性sio2溶胶的制备步骤为:

9.一种如权利要求1所述的减反射涂层的应用,其特征在于:所述减反射涂层用于显示屏上。

技术总结一种减反射涂层,所述涂层为SiO2溶胶涂层,所述SiO2溶胶涂层中包含硅烷偶联剂修饰后的C量子点,所述C量子点在SiO2溶胶中的浓度为0.02~0.5mol/L。本发明涂层应用至显示器上,保证涂布涂层后的基材具备减反射性的同时增加涂层的光致发光性,PET基板在400~780nm波段的反射光从5.30%降低到2.76%,用450nm的激光笔照射复合涂层,会在照射区域留下明亮的黄色光斑。技术研发人员:黄建勇,陈众联,刘玉磊,李超,齐海潮,陈延彪,朱业建,郑子银,徐江慧,周迪受保护的技术使用者:合肥乐凯科技产业有限公司技术研发日:技术公布日:2024/6/18

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