粘合片的制作方法

本发明涉及粘合片。

背景技术：

1、通常，粘合剂(也称为压敏粘接剂。以下相同。)在室温附近的温度区域内呈现柔软的固体(粘弹性体)的状态，具有利用压力而粘接于被粘物的性质。利用这种性质，粘合剂典型的是以具备粘合剂层的粘合片的形态广泛用于各种产业领域。作为粘合片的用途的一例，可举出在作为被粘物的各种物品的制造、加工、输送等时暂时贴附于该被粘物并在达成其目的后从被粘物去除的、作为所谓工序材料的用途。例如，在包含半导体芯片的半导体部件的制造中，在为了半导体芯片损伤的防止、金属布线的扩张等而对该半导体芯片进行树脂密封的树脂密封工序中，从操作性等观点出发，有时在粘合片上进行半导体芯片的树脂密封。例如，在作为临时固定材料的粘合片的粘合剂层上配置多个半导体芯片，在该粘合剂层上一并对半导体芯片进行密封。其后，在规定的后工序中，从包含密封树脂和半导体芯片的结构体中剥离上述粘合片。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2001-308116号公报

5、专利文献2：日本特开2001-313350号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、例如，对作为工序材料使用的粘合片要求在规定的工序中与被粘物良好地密合的性能、和自被粘物去除时能够从被粘物良好地去除的性能。关于与被粘物的密合性，例如，上述半导体芯片的树脂密封工序中使用的粘合片要求在没有偏移地将作为被粘物的半导体芯片固定的性能。另外，关于自被粘物的去除性，例如，理想的是具有适于防止剥离粘合片时的负荷所引起的被粘物的损伤的轻剥离性、在粘合片的剥离后被粘物上不产生粘合剂的残留(残胶)的性质。例如，对于假定如上述半导体芯片的树脂密封工序那样在贴附于被粘物的状态下对该被粘物施加伴随加热的加工的使用方式的粘合片，要求在加热后也发挥上述轻剥离性、防残胶性。

3、作为用于使粘合片轻剥离化的一种方法，可举出使粘合剂适度地变硬。从防止粘合剂的内聚破坏所引起的残胶的观点出发，使粘合剂硬也是有利的。但是，若使粘合剂变硬，则有与被粘物的密合性降低的倾向，有难以没有偏移地固定被粘物的倾向。例如，在上述半导体芯片的树脂密封工序用途中，若对被粘物的密合性不充分，则在树脂密封工序时等中，有时产生被称为芯片移位的几十微米左右的半导体芯片的位置偏移，会成为成品率降低、不良情况的原因。另外，对于在基材上具有粘合剂层的形态的粘合片，若使粘合剂变硬，则基材与粘合剂层的密合性降低，变得容易产生由锚固破坏(基材与粘合剂层的界面处的剥离)引起的残胶。

4、本发明人对上述残胶的防止进行了深入研究，结果发现，半导体芯片的树脂密封工序使用的粘合片中，作为密封树脂使用的环氧系树脂中的成分转移至粘合剂层，从而密封树脂与粘合剂的密合性上升，变得容易发生重剥离化、产生残胶。基于该见解，想到了通过降低粘合剂层表面中来自密封树脂的转移成分量，由此能够改善轻剥离性及防残胶性。因此，进一步进行了研究，结果完成了本发明。即，本发明的目的在于，提供即使是在半导体芯片的树脂密封工序中使用的情况下，也能对被粘物良好地密合、并且自被粘物的去除性好的粘合片。

5、用于解决问题的方案

6、通过该说明书提供的粘合片具备：基材、配置于该基材的一侧的第1粘合层、和配置于该基材的与该第1粘合层相反的一侧的第2粘合层。上述第2粘合层的至少表面由含有热膨胀性微球的粘合剂构成。另外，上述第1粘合层包含：构成该第1粘合层的表面的a层、和配置在上述a层与上述基材之间且与该a层邻接的b层。上述a层的厚度为2μm以上，上述b层的厚度为5μm以上。上述b层中存在的羧基的量比上述a层中存在的羧基的量多。而且，上述第1粘合层满足下述条件(1)及(2)。

7、(1)a1<b1；及

8、(2)a1≤0.050

9、此处，上述a1为：自上述第1粘合层的表面起位于深度1μm的测定位置a的ft-ir光谱中，以1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度为基准求出的、对该第1粘合层表面进行环氧系树脂处理前后的源自该环氧系树脂的峰强度的上升量a1。另外，上述b1为：在自上述第1粘合层的上述基材侧起位于深度5μm的测定位置b的ft-ir光谱中，以1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度为基准求出的、对该第1粘合层表面进行环氧系树脂处理前后的源自该环氧系树脂的峰强度的上升量b1。

10、上述第1粘合层中，通过上述环氧系树脂处理而转移至该第1粘合层的环氧系树脂中的成分在第1粘合层表层部分被抑制为规定量以下。具体而言，在测定位置a(自第1粘合层表面起深度1μm的位置)的ft-ir光谱中，上述环氧系树脂处理前后的源自环氧系树脂的峰强度上升量a1为0.050以下。另外，上述第1粘合层以通过上述环氧系树脂处理而转移至该第1粘合层的环氧系树脂中的成分在基材侧比第1粘合层的表层侧多的方式构成。具体而言，在测定位置b(自第1粘合层的基材侧起深度5μm的位置)的ft-ir光谱中，上述环氧系树脂处理前后的源自环氧系树脂的峰强度上升量b1比测定位置a的源自环氧系树脂的峰强度上升量a1大(即a1<b1)。上述峰强度上升量b1比上述峰强度上升量a1大是指，来自环氧系树脂的转移成分从第1粘合层的表面向基材侧转移并保持。利用上述构成时，使第1粘合层密合于被粘物后，在第1粘合层表面不易产生由来自被粘物侧的转移成分引起的残胶。上述ft-ir光谱的峰强度特性及基于该特性的效果可以通过对第1粘合层以使a层与b层邻接的方式配置、将各层的厚度设为规定值以上、进而使b层中存在的羧基的量比a层中多来适当地实现。上述的防残胶性可以通过在包含a层和b层的第1粘合层中的b层的设计来达成，因此，构成第1粘合层表面的a层的设计的自由度高，能够成为具有期望的被粘物密合性的设计。总之，利用上述构成时，可实现能对被粘物良好地密合、并且自被粘物的去除性好的粘合片。

11、另外，上述构成的粘合片具有第2粘合层，上述第2粘合层的至少表面由含有热膨胀性微球的粘合剂构成，因此例如可以利用上述第2粘合层而固定于适当的固定对象物(第2被粘物)上，在该状态下进行密合于第1粘合层表面的第1被粘物的加工(例如上述第1粘合层上的树脂密封工序)，因此使用方便。另外，通过根据需要在适当的时机对粘合片进行加热而使上述热膨胀性微球膨胀，从而可容易地将上述第2粘合层与第2被粘物的接合解除。

12、一些方式中，对于上述第1粘合层，在上述测定位置b的ft-ir光谱中，1700cm-1～1710cm-1的范围中存在的峰强度相对于1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度的比b2为0.15～0.50。通过使上述峰强度比b2为0.15以上，从而例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，该转移成分容易在第1粘合层的基材侧保持更多。因此，有第1粘合层表面的该转移成分量相对变低，更不易产生由第1粘合层表面的该转移成分引起的残胶的倾向。另外，通过使上述峰强度比b2为0.50以下，从而例如在成分从环氧系树脂向第1粘合层转移的情况下，来自环氧系树脂的转移成分量在第1粘合层的基材侧被抑制，因此第1粘合层与基材的密合性(锚固性)保持良好，有更不易产生锚固破坏的倾向。

13、一些方式中，对于上述第1粘合层，在上述测定位置b的ft-ir光谱中，2955cm-1～2965cm-1的范围中存在的峰强度相对于1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度的比b3为0.1～0.3。通过使上述峰强度比b3为0.10以上，从而例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，第1粘合层的基材侧的该转移成分的保持量得以适度地抑制，第1粘合层与基材的密合性(锚固性)保持良好，有更不易产生锚固破坏的倾向。另外，通过使上述峰强度比b3为0.30以下，从而第1粘合层的极性得以适度保持，因此有容易获得第1粘合层与基材的密合性，不易产生锚固破坏的倾向。

14、一些方式中，对于上述第1粘合层，上述测定位置a的ft-ir光谱中的峰强度比a2与上述测定位置b的ft-ir光谱中的峰强度比b2的比(b2/a2)为1.01～3.00。此处，上述峰强度比a2及上述峰强度比b2为在上述各ft-ir光谱中，1700cm-1～1710cm-1的范围中存在的峰强度相对于1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度的的比。通过使上述比(b2/a2)为1.01以上，从而例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，该转移成分容易在第1粘合层的基材侧保持更多。因此，有第1粘合层表面的该转移成分量相对变低，第1粘合层表面更不易产生由该转移成分引起的残胶的倾向。另外，通过使上述比(b2/a2)为3.00以下，从而例如在成分从环氧系树脂第1粘合层向转移的情况下，来自环氧系树脂的转移成分量在基材侧容易被抑制，第1粘合层与基材的密合性(锚固性)保持良好，有更不易产生锚固破坏的倾向。

15、一些方式中，对于上述第1粘合层，上述测定位置a的ft-ir光谱中的峰强度比a3与上述测定位置b的ft-ir光谱中的峰强度比b3的比(b3/a3)为0.75～2.00。此处，上述峰强度比a3及上述峰强度比b3为在上述各ft-ir光谱中，2955cm-1～2965cm-1的范围中存在的峰强度相对于1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度的比。通过使上述比(b3/a3)处于0.75～2.00的范围内，从而有容易获得a层与b层的密合性、粘合片自被粘物去除时在a层与b层之间不易发生层间破坏的倾向。

16、一些方式中，上述a层的厚度为2～30μm、前述b层的厚度为5～40μm。通过将a层及b层的厚度分别设为上述的范围，从而例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，容易在使a层中的转移成分浓度降低的同时、在b层中适度地保持转移成分，容易获得优异的防残胶性。

17、一些方式中，上述第1粘合层的厚度为7～70μm。通过将第1粘合层的厚度设为上述范围内，从而容易获得对被粘物的密合性，并且不易产生第1粘合层的内聚破坏所引起的残胶。

18、一些方式中，对于上述第1粘合层，在对该第1粘合层表面进行环氧系树脂处理后在100℃下测定的对环氧系树脂的密合力(对环氧系树脂密合力)为0.01n/10mm以上且3.00n/10mm以下，并且在23℃、50％rh的环境下测定的对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的粘合力(对pet粘合力)为1.00n/20mm以上且10.0n/20mm以下。利用第1粘合层的对环氧系树脂密合力处于上述范围内的粘合片时，例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，有第1粘合层与密封树脂良好地密合、并且在自密封树脂剥离时不易产生残胶的倾向。另外，利用第1粘合层的对pet粘合力处于上述范围内的粘合片时，能够优选利用第1粘合层来固定被粘物(例如半导体芯片)，并且将粘合片的第1粘合层侧从被粘物剥离时被粘物不易产生残胶。在半导体芯片的树脂密封工序用途中，芯片保持性良好，可优选防止芯片移位。

19、一些方式中，上述b层包含具有羧基的丙烯酸系聚合物和异氰酸酯系交联剂。利用具备这样的b层的粘合片时，在第1粘合层的交联反应后，b层中也存在一定量的羧基。由此，例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，该转移成分被b层的羧基吸引，从而容易在b层保持更多。因此，有第1粘合层表面的该转移成分量相对变低，第1粘合层表面更不易产生由该转移成分引起的残胶的倾向。

20、一些方式中，对于上述第1粘合层，在上述测定位置a的ft-ir光谱中，1700cm-1～1710cm-1的范围中存在的峰强度相对于1725cm-1～1750cm-1的范围中存在的峰强度的比a2为0.325以下。通过使上述比a2为0.325以下，从而例如在半导体芯片的树脂密封工序中使用粘合片的方式中，成分自密封树脂向第1粘合层转移的情况下，第1粘合层表层部分的来自环氧系树脂的转移成分量容易被抑制，有第1粘合层表面更不易产生由该转移成分引起的残胶的倾向。

21、此处公开的粘合片在半导体芯片的树脂密封工序中使用的情况下，可与作为被粘物的半导体芯片良好地密合，因此芯片保持性良好，并且密封树脂的去除性良好。因此，特别适于半导体芯片的树脂密封工序。需要说明的是，此处公开的粘合片的用途不限定于半导体芯片的树脂密封工序用途，可以应用于各种用途。例如，此处公开的粘合片与以往的粘合片相比，弹性较低，可发挥防残胶性等自被粘物的良好的去除性，因此利用其柔软性、被粘物密合性，也适合作为在对小型器件、具有表面凹凸的器件等各种器件进行加工的用途中使用的加工用粘合片。