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一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法及系统与流程

  • 国知局
  • 2024-07-27 10:36:06

本发明属于测井解释,具体涉及一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法及系统。

背景技术:

1、低阻油层形成原因多样,有时多种影响因素共同作用,使其测井响应特征多样,直接按照常规测井响应特征进行评价,效果并不理想。目前,国内外关于低阻油层的识别与评价方法有交会图法、重叠法、可动水分析法、电阻率推移测井识别法等,涉及核磁共振测井、阵列感应测井等新技术,但这些成果大多带有一定的“区域性”和“个案性”。

2、对于一些碎屑岩油藏储层具有低成熟度、低成岩作用、低强度、高粘土含量的“三低一高”特点的地区,由于近物源、多水系和快速多变的沉积环境导致储层非均质性严重,测井资料特征多样。在上述多种因素叠合影响的背景下,低阻油层难以准确识别与评价。

3、利用以往的识别方法,基本可以区分出油水层;但是低阻油层、差油层难以区分,容易将低阻油层解释为差油层,从而漏失油气层。不能准确识别储层类型,对于低电阻率的油层难以发现,导致不能准确评价低电阻率的油层饱和度,对区域解释的符合率存在较大的偏差。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中的问题,本发明提供一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法及系统,能够对低电阻油层进行准确评价。

2、为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,包括;

4、识别储层中不同深度电阻率的数据点,得到储层中不同深度电阻率数据点的t2谱;

5、获取储层中t2谱所对应孔隙度数据,建立电阻率校正模型;

6、根据所建立的电阻率校正模型对电阻率进行校正。

7、进一步地,所述校正模型为rt校=-3.2×φ细+19.4,其中φ细为储层中细孔的孔隙度,rt校为校正电阻率。

8、进一步地,校正后的电阻率若所得的电阻率值差值小于等于3ω.m则为低电阻率,若计算所得的电阻率差值大于3ω.m则为高电阻率。

9、进一步地,所述校正模型为预设时间内核磁共振测井数据中不同组分孔隙度与地层电阻率之间的校正模型。

10、进一步地,所述预设时间为t2谱组分孔隙度中32ms前的谱段所对应的电阻率。

11、进一步地,校正模型中32ms前细组分孔隙度到达预定值时,地层电阻率为定值。

12、进一步地,所述预定值为3.0-4.0%。

13、进一步地,所述定值为5ω·m。

14、一种基于孔隙结构的储层电阻率校正系统,包括;

15、t2谱构建模块,用于识别储层中不同深度电阻率的数据点,得到储层中不同深度电阻率数据点的t2谱;

16、校正模型建立模块,用于获取储层中t2谱所对应孔隙度数据,建立电阻率校正模型;

17、校正模块,用于根据所建立的电阻率校正模型对电阻率进行校正。

18、相较于现有技术,本发明的优点在于:

19、本发明的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,通过识别储层中不同深度电阻率的数据点,得到储层中不同深度电阻率数据点的t2谱;并获取储层中t2谱所对应孔隙度数据,建立电阻率校正模型;随后根据所建立的电阻率校正模型对电阻率进行校正的方式,在低电阻率储层成因及识别方法的基础上,对深探测电阻率进行基于孔隙结构的电阻率校正,构建出标准t2谱小孔隙组分对地层电阻率影响的效果模型,通过计算的方式得到校正后的电阻率,提高储层饱和度计算的准确度,不仅能够准确识别储层类型,发现低电阻率油层,准确评价低电阻率油层的饱和度,从而提高了区域解释符合率。

技术特征:

1.一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,包括

2.根据权利要求1所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,所述校正模型为rt校=-3.2×φ细+19.4,其中φ细为储层中细孔的孔隙度,rt校为校正电阻率。

3.根据权利要求1所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,校正后的电阻率若所得的电阻率值差值小于等于3ω.m则为低电阻率,若计算所得的电阻率差值大于3ω.m则为高电阻率。

4.根据权利要求1所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,所述校正模型为预设时间内核磁共振测井数据中不同组分孔隙度与地层电阻率之间的校正模型。

5.根据权利要求1所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,所述预设时间为t2谱组分孔隙度中32ms前的谱段所对应的电阻率。

6.根据权利要求1所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,校正模型中32ms前细组分孔隙度到达预定值时,地层电阻率为定值。

7.根据权利要求6所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,所述预定值为3.0-4.0%。

8.根据权利要求6所述的一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法,其特征在于,所述定值为5ω·m。

9.一种基于孔隙结构的储层电阻率校正系统,其特征在于,包括;

技术总结本发明属于测井解释技术领域,公开了一种基于孔隙结构的储层电阻率校正方法及系统。包括识别储层中不同深度电阻率的数据点,得到储层中不同深度电阻率数据点的T2谱;获取储层中T2谱所对应孔隙度数据,建立电阻率校正模型;根据所建立的电阻率校正模型对电阻率进行校正。在低电阻率储层成因及识别方法的基础上,对深探测电阻率进行基于孔隙结构的电阻率校正,构建出标准T2谱小孔隙组分对地层电阻率影响的效果模型,通过计算的方式得到校正后的电阻率,提高储层饱和度计算的准确度,不仅能够准确识别储层类型,发现低电阻率油层,准确评价低电阻率油层的饱和度,从而提高了区域解释符合率。技术研发人员:蔡文渊,张伟,罗安银,胡少华,蔡军,于伟高,杨芸伊,张伟伟,李鹏涛,王之贵,李欢,叶磊,李利杰受保护的技术使用者:中国石油天然气集团有限公司技术研发日:技术公布日:2024/6/26

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