用于增大微机电系统装置的产率和可靠性的气体的制作方法

例如集成电路的电子装置通常封装在密封罩壳中。这些罩壳保护装置免受原本将进入封装且机械地损害或电气地干扰装置的污染物、粒子和水蒸气的影响。各种mems(微机电系统)装置包含对mems装置放置在其中的环境提出独特要求的移动组件和结构(例如微小型化)。随着时间推移的mems装置的操作(甚至在密封的封装环境中)可以引起mems装置的各种结构的物理变化，这通常引起如此受到影响的mems装置的降级的性能或甚至故障。

技术实现要素：

在所描述的实例中，mems装置包封在包含在按体积浓度计大于1％的水平的非金属氧化物气体的密封封装内。在至少一个实例中，mems装置针对来自各种起因的早期故障受到保护，包含通过非金属氧化物气体的部分与在mems装置的暴露表面上的水的表面层的氢键反应的充电、粒子生长和静摩擦。

附图说明

图1是用于在根据实例实施例封装的mems装置内包含某些气体的流程图。

图2是根据实例实施例的微机电装置封装的截面图。

图3是根据实例实施例的mems装置的放大部分的截面图。

图4是根据实例实施例用于应用粘性吸气剂化合物的流程图。

图5是根据实例实施例用于应用单体化吸气剂化合物的流程图。

图6是根据实例实施例使用微镜的图像投影系统的示意图。

具体实施方式

在本说明书中，系统可以是另一系统的子系统。

并且，在本说明书中，如果第一装置耦合到第二装置，那么该连接可以通过直接电气连接形成，或者经由其它装置和连接通过间接电气连接形成。术语“部分”可以意味着整个部分或小于整个部分的部分。术语“气体”可以意味着能够以气体状态存在的元素或分子，甚至当此类元素或分子可以替代的状态被找到时，例如，在室温和压力下。术语“封装”可以意味着密封容器，其可包含裸片、晶片或在与外部环境密封的局部环境中包含mems装置的甚至更大的设备。

“非金属”是通常被视作选自周期表的所选择的族的以下所列的元素的元素(根据一般用途)：第1族所列元素包含氢(h)；第14族所列元素包含炭(c)；第15族(氮族元素)所列元素包含氮(n)和磷(p)；第16族(氧族元素)所列元素包含氧(o)、硫(s)和硒(se)；第17族(卤族元素)所列元素包含全部族元素氟(f)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)和砹(at)；以及第18族(惰性气体)所列元素包含全部族元素氦(he)、氖(ne)、氩(ar)、氪(kr)、氙(xe)和氡(rn)。

“非金属氧化物”通常是指按任何化学计量的非金属元素和氧之间的二元化合物。非金属元素通常形成酸性氧化物；相应地，它们是由非金属元素和氧组成的化合物，所述化合物在溶解于水中时引起具有ph<7的溶液。相比之下，金属通常形成碱性氧化物。

术语“酸性溶质”可以意味着非金属氧化物或它与水的反应产物。

根据通常接受的用途，术语“非金属氧化物气体”并不通常包含氧化二氢(水)、卤素氧化物(其中的大部分不是可分离的或稳定的)，以及惰性气体(其并不形成氧化物)。相应地，术语“非金属氧化物气体”包含碳的氧化物、氮的氧化物、氧的氧化物(例如，o2)和硫的氧化物(在标准压力和温度下它是具有相当大的蒸气压的气体或液体)及磷的氧化物以及硒的氧化物(在stp下它的氧化物是可升华的)。在一个实施例中，非金属氧化物气体的优选的物质包含碳的氧化物、氮的氧化物、氧的氧化物(例如，o2)和硫的氧化物，并且尤其优选的物质是二氧化碳co2(然而根据下文描述的阈值一氧化碳并不溶解到0.001摩尔)。

术语“非金属”还可以意味着具有通常常见的光谱行为的元素，其中某些普通的性质被视作非金属的特征。

如本文中所描述，非金属氧化物气体被引入到mems装置的顶部空间中以增大mems装置的产率和可靠性。

许多mems装置(包含射频mems装置)经受来自包含充电、粒子生长和静摩擦的各种起因的早期故障。充电可以是在mems装置的处理(和/或致动)期间当电荷局部化(和/或移位)时引起的，因此可以出现自偏压、闭锁和永久性静摩擦。

粒子生长可以从由于结构的操作释放或形成的自由物质中出现，或从例如粘合剂、密封剂和吸气剂化合物的材料中出现。在mems装置中，一些零件意图移动，但是粒子可能不合期望地干扰移动(例如，减小移动的范围)。那些粒子通过以下项潜在地形成：经由封装过程的金属粒子的形成或由于操作期间的接触的剥离；由于剥离或腐蚀反应(例如，将零价金属转换成氧化物、氢氧化物或硫化物)的金属氧化物粒子；或在mems装置的处理和操作期间可以出现的其它条件。

静摩擦是由包含静电力、氢键和范德华力的力的组合引起的静态(或“粘性”)摩擦。如本文中所描述，根据各种行为，在mems装置的封装和操作期间在mems装置的封装顶部空间内包含(大于按体积计的1.0％浓度)的非金属氧化物(“包含气体”)改变结构的电化学和腐蚀行为。

根据第一行为，包含气体与在mems装置的表面上的所吸附的水的一部分反应以形成酸性物质。举例来说，封装空腔中的水分(例如，来自湿气)与mems装置的表面形成氢键以在mems装置的表面上形成氢键合水分子的格子(例如，表面层)。当所包含的部分是碳、硫或氮的氧化物时，所形成的酸可包含例如碳酸、磺酸、亚硝酸、硝酸和硫酸的酸。

根据第二行为，包含气体通过酸性分子的分解获得离子物质的表面平衡浓度，产生表面离子物质(例如，水合氢离子和碳酸盐物质)。举例来说，酸性分子可以分解，由此形成水合氢离子(例如，质子供体)和/或碳酸盐物质(质子受体)。此类物质可以与水分子的表面层相互作用(例如，通过溶解、分解和/或氢键键合)。根据例如勒夏特列原理的普通化学原理，在mems装置的顶部空间中的气体与表面层中的离子物质的相对浓度之间达到平衡。

根据第三行为，所包含的气体促进通过氢键的相对快速交换的电荷的转移。举例来说，电荷(例如，原本将局部化的电荷)引起氢键的快速形成和再形成，因此充电的mems装置中的那些电荷通过与(例如，邻近)溶质质子供体(例如，酸性物质)的新氢键的形成更快速地分散。

根据第四行为，所包含的气体减小吸附表明水层的德拜长度。举例来说，涉及气体物质的包含的平衡在表面层中引入质子供体，由此减小表明水层的德拜长度，因此mems装置的接触表面层之间的净范德华力减小。

根据第五行为，所包含的气体抑制或延迟由mems装置或封装的表面的化学(包含电化学)还原/氧化反应引起的mems装置或封装表面的腐蚀。举例来说，缓冲介质(例如，“溶液”)通过解离与表面氢氧化物(由在金属表面处的还原反应引起)组合的酸(由所包含的气体引起)形成。缓冲介质(例如，它是氢离子缓冲液)调节表面活性和ph值(例如，在暴露的mems中)，其减缓mems装置的表面内的材料的腐蚀反应速率。各种表面化学(和电化学)反应的产物之间的次级化学反应包含共轭碱(例如，氢氧根离子和碳酸氢盐离子)和酸(例如，甲酸)，其进一步用于缓冲或减少此类腐蚀反应。

如本文中所描述，所选择的非金属氧化物气体的包含(以至少1％的浓度)是容易溶解在水中以产生能够支持和/或参与电化学反应的离子物质的气体。此类气体的实例(适合于进行电化学氧化和还原)包含二氧化碳、硫的氧化物和氮的氧化物。在一个实施例中，适合于包含在如本文中所描述的mems装置封装中的气体的特征在于足以提供水中的至少0.001摩尔溶液的stp(标准温度和压力)下的水溶解度。

图1是用于在根据实例实施例封装的mems装置内包含某些气体的流程图100。在步骤110中，mems装置放置在封装中(例如，用于封装操作电子装置)，或替代地封装的元件在mems装置周围形成。在步骤120中，材料被引入封装中。此类材料包含增强水平的(例如，目标是高于按体积计1％浓度的)非金属氧化物气体分子以用于产生酸性和/或离子物质(例如，“溶质材料”)。在至少一个实施例中，步骤112任选地在步骤110之前发生。在步骤130中，封装被密封，因此mems装置的暴露表面保持暴露于在水平大于在封装中按体积计的1％的非金属氧化物气体。非金属气体氧化物分子可以在封装过程期间或在封装被密封之后在任何时间对上文命名的行为施加影响，服务于始终阻止某些化学反应。

在用于将所期望的气体或气体混合物引入到顶部空间中的“回填”实施例中，现有气体(例如，在封装中，其中发生密封步骤的过程空腔和/或腔室)被抽空并且在所期望的压力下通过所期望的气体混合物回填。在用于引入所期望的气体或气体混合物到顶部空间的“冲洗”实施例中，在密封操作之前的一段时间周期过程空腔和/或腔室填充有所期望的气体混合物。先前浓度被冲洗，例如，通过扩散到所引入的气体中用于所期望的气体混合物。

在各种实施例中，空气(例如，具有在典型大气压比例中的各种气体)和/或可以存在于封装空腔中的外来的气体通过引入具有增强水平(例如，具有高于按体积计1％浓度)的气体分子的材料被置换以用于在封装过程中产生酸(例如，溶质材料)。溶质材料包含非金属氧化物(酸性)气体(例如，二氧化碳)、非金属氧化物(酸性)气体前体(例如，用于释放和/或产生二氧化碳的一或多种材料)和增强型吸气剂(例如，用于携带酸性气体或酸性气体前体、表面张力调节剂和脱水剂)中的一或多种。用于产生酸性溶质部分的气体的类型选自非金属氧化物的族群，并且此类溶质部分包含碳酸、磺酸、亚硝酸、硝酸和硫酸。气体以足够(例如，高于1％)浓度包含，以便在封装式mems装置的预期的生命周期中提供气体质子供体物质的来源(例如，实际上无穷尽的来源)。

图2是根据实例实施例的微机电装置封装200的截面图。一般而言，封装衬底208、隔离环212和封装盖(或窗口)210是密封的以提供用于包封的mems装置206的密封环境。在密封封装200内的包封的mems装置206之前，顶部空间204中的至少一部分(例如，按标准比例)的大气压气体或其它外来的气体通过含有用于酸性溶质的材料的气体或气体混合物被置换或移除，所述气体或气体混合物的实例包含气体、前体(例如，固体二氧化碳)和吸气剂中的一或多种以用于在封装200的顶部空间204内轻易地释放可溶酸性溶质(例如，质子供体物质)。如上文所描述，轻易地可溶非金属氧化物物质的前体可以被包含为所包含的轻易地可溶非金属氧化物物质的一部分。此类前体可以包含在吸气剂化合物202中。举例来说，轻易地可溶非金属氧化物物质h是能够以至少0.001摩尔的浓度溶解在水中的物质，并且当以此浓度或更大浓度溶解时引起酸性ph。

举例来说，取决于吸气剂应用的方法，吸气剂化合物202任选地以前体液体或糊状物材料的形式挤出到任何合适的内部封装表面上。并且，举例来说，封装衬底208、封装盖(或窗口)210和/或隔离环212可以全部是上面分配有吸气剂前体材料的衬底。混合物202可以点、条带或并不干扰装置的正常操作的任何其它形状或形式应用。

举例来说，当混合物202被应用到封装窗口210时，封装窗口210的一部分被留下为透明的(例如，不受所应用的吸气剂化合物202的阻挡)，因此保持光可以通过的孔隙。通常，当吸气剂前体材料使溶剂进化(例如，除气)、固化或以其它方式达到其所期望的形状和组成时可以经过干燥或固化周期。任选地，吸气剂化合物202被直接应用到通过封装顶部空间包封的表面而不使用溶剂。在完成封装的密封之前(当在上文所描述的操作130中时)，额外的化学或物理调节被应用到吸气剂以根据包封在封装200内的特定种类的mems装置引入额外的所期望的组件(例如，润滑剂和表面张力调节剂)。在第5,939,785号美国专利中描述了此类额外的所期望的组件的引入，所述专利以引用的方式并入本文中。

非金属氧化物h与水分(例如，氢键合类似冰的网格)的表面层相互作用，所述水分的表面层形成在mems装置206的表面上(例如，暴露表面)。如本文中所描述，轻易地可溶非金属氧化物物质h促进由水分的吸附表面层覆盖的mems装置206的表面的保护。举例来说，mems装置206包含介电层214(例如，沉积在中心电极216之上并且覆盖中心电极216)和水平横杆218。水平横杆218是可操作的以相对于一或多个周围结构移动(例如，弯曲)，例如，响应于应用到介电层214下方的中心电极216的电荷。如下文中参考图3所描述，轻易地可溶非金属氧化物物质h与吸附在介电层214和水平横杆218的表面上的水分的表面层相互作用。

图3是根据实例实施例的mems装置206的放大部分300的截面图。举例来说，放大部分300包含水平横杆218和介电层214的部分。氢键合吸附表面层318和314(与顶部空间204中的水分子平衡)形成氢键合水分子的类似冰的格子。取决于封装内部的相对湿度，在水的表面张力引起表面层中的水分子的一部分的液化之前氢键合表面层318和314可以是一到若干水分子厚。

氢键合表面吸附水层形成在全部内表面(例如，暴露的内表面)上。此类层318和314相应地形成在水平横杆218和介电层214的暴露表面上。因为氢键合表面水层318和314的暴露表面保持暴露于顶部空间204，轻易地可溶酸性气体(例如，用于提供酸性溶质物质h)是自由的以分解到装置表面层318和314中的离子物质(“h+”)中，例如其中正离子物质h+形成并且随后进入氢键合表面层318和314以形成酸。当溶质材料溶解或与水的表面层混合时形成酸。

由于氢键的快速平衡，正离子物质h+不是局部化的。相应地，当随着时间推移氢键断裂并且重新形成时由于正离子物质h+电荷的一部分被释放(例如，穿过表面层318或314的至少一部分)。酸性溶质的第一部分返回到顶部空间204，并且根据mems装置的顶部空间中的气体和表面层中的离子物质的相对浓度达到平衡。释放离子物质的第二部分影响表面层的氢键的重新形成并且通过表面层中的氢键的重排(例如，断裂和重新形成)被重新俘获。

相应地，包含的非金属氧化物气体(例如，用于产生酸性物质)可以通过氢键的相对快速的交换促进电荷的转移。在操作中，mems装置的电容相对于横杆218与介电层216之间的距离的改变而变化。介电质214的残余电荷至少部分通过将所存储的电荷从介电质214转移到形成于表面层314中的氢键而减少。减少介电质214和水平横杆218中的残余电荷减少横杆218(例如，易弯曲的横杆)与介电质216之间的静摩擦的发生和粒子生长。在表面层318或314内不存在所述酸性溶质的情况中，由于横杆218的累积电荷引起的自身闭锁可以出现静电故障。

根据气体物质质子供体的包含静摩擦也得到减小。气体物质质子供体减小吸附水层的德拜长度，因此mems装置的表面水层之间的净范德华力减小(例如，减小由横杆218弯曲引起的表面层314和318的接触的粘附力)。

另外，介电质214和/或横杆218的腐蚀的速率通过包含mems装置206的密封空腔内的暴露表面的表面层(例如，314和318)内的气体物质质子供体的包含降低。举例来说，腐蚀的速率是通过由于轻易地可溶非金属氧化物物质h的包含形成于mems装置的表面中的酸性和离子物质减缓的。

以下实例描述mems装置的损害的贡献机制。在mems装置的相对表面移动和/或接触的操作期间，小裂缝可以形成在保护性自然氧化物(其通常覆盖金属层)中。新近形成的裂缝暴露下方金属原子。包含设想的mems装置的结构性金属的许多金属经受与水的自发性氧化还原反应。在此类反应中，形成氢气和氢氧根离子。这些氢氧根离子可以继而进一步攻击自然氧化物表面，这暴露了甚至更大量的零价金属。相应地，降解反应变为自催化的，这极大地促进了性能下降并且通常引起较差质量且不太可靠的mems装置。

举例来说，轻易地可溶非金属氧化物物质h可以与碱反应，所述碱原本将已经与mems装置206的暴露结构反应(例如，如上文所描述引起mems装置206的暴露结构的腐蚀)。氧气(o2)也可以通过与暴露的零价金属反应而加强此类反应。氧和零价金属的反应可以直接地出现，或者它可以通过表面水层调节或增强。通常，氧与零价金属和水与相同零价金属的反应的产物在组成上是不同的。然而，这些金属氧化物产物中的任一个可以造成上文所描述的裂缝的修复或掩蔽。

图4是根据实例实施例用于应用吸气剂化合物的流程图400。吸气剂化合物(吸气剂)任选地是聚合物-沸石混合物。聚合物-沸石混合物是包含聚合物、沸石和可选溶剂的化合物，所述化合物在操作402中混合并且在操作404中应用到封装或盖的表面(例如，以在操作412中密封在封装内)。在组装完成之后混合物可以分配在待包含在封装内部内的任何表面上，包含mems装置的非移动区域和/或区段(例如，因此mems装置的功能性并不基本上降级)。在操作406中固化聚合物-沸石混合物。固化过程406用于硬化聚合物-沸石混合物，因此(在至少一个实例中)经硬化混合物并不流动或以其它方式从意图的位置移动。

在操作406中固化聚合物-沸石混合物之后(其中在步骤410中聚合物-沸石混合物任选地进一步经调节)，在操作408中非金属氧化物气体被引入到封装。非金属氧化物气体材料(例如，包含相对轻易地溶解在水中以用于提供离子物质以用于产生酸性溶质的气体)可应用于封装的吸气剂和/或顶部空间作为蒸气、作为液体或作为可升华的固体(例如，固体co2-“干冰”)。相应地，吸气剂和酸(相对轻易地溶解在水中以用于提供离子物质以用于产生酸性溶质)可以在相同时间或在不同时间引入。

在操作410中调节聚合物-沸石混合物以凝固沸石混合物的初始酸性内容物。调节操作410通常包含将吸气剂暴露于溶质材料或它们的前体一段时间周期以将气体内容物引入到吸气剂的聚合物中(例如，因此，在mems装置的实际使用期间，吸气剂可以充当酸性溶质材料的来源和吸收器)。

在这段时间周期之后，如由操作412所指示密封封装。封装任选地是密闭性密封的，以便防止水分(例如，来自周围大气中的湿气)的渗透和酸性溶质材料的部分的漏出。密闭性密封的封装可以任选地经过渗漏测试，方法是混合一定量的氦与所需的酸溶质材料。包含的氦快速地穿透小渗漏、是化学惰性的，并且通过质谱法容易地被检测到。在优选的实施例中，氦在按体积计1％到按体积计20％的范围中存在。在密封操作之后，加热封装，这有助于在封装顶部空间内的物质之中建立化学平衡。

图5是根据实例实施例用于应用单体化吸气剂化合物的流程图500。吸气剂化合物(吸气剂)任选地是聚合物-沸石混合物。聚合物-沸石混合物是包含聚合物、沸石和可选溶剂(例如，己醇)的化合物，所述化合物在操作502中混合以形成粘性吸气剂化合物。虽然依序描述流程图500的操作，但是操作的部分是可以不同次序组合和/或执行的以获得类似于所描述的操作的结果。

在操作504中，将粘性吸气剂化合物模制(例如，铸造)成意图的形状。在操作506中，粘性吸气剂化合物经硬化，例如，通过蒸发溶剂(例如，因此经硬化混合物可以被切割、移动和安装而基本上不改变经硬化混合物的形状)。在操作508中，经硬化吸气剂化合物通过将经硬化吸气剂化合物切割成小块(或替代地，操作504的意图形状可以是小块自身)。

在操作510中，顶部空间的大气通过将含有非金属氧化物气体的材料引入到封装空腔(例如，含有mems装置)中而被置换。此材料包含非金属氧化物气体材料(例如，包含相对轻易地溶解在水中以用于提供离子物质以用于产生酸性溶质的气体)。在灌注实施例中，与非金属氧化物气体一起灌注小块，之后将灌注的小块放置到封装空腔中。在替代实施例中，小块放置(例如，附着)在封装空腔中并且在安装在适当的位置之后与非金属氧化物气体一起灌注(例如，通过下文在操作512中描述的气体蒸气过程)。在替代实施例中，在封装空腔中维持非金属氧化物气体的提高的浓度直至在后续操作514中密封封装。在组合的实施例中，与非金属氧化物气体一起灌注小块，之后将小块放置在封装空腔中，并且在将小块放置在封装空腔中之后小块进一步暴露于非金属氧化物气体蒸气。

操作510任选地包含促进封装与所期望的非金属氧化物气体材料的密封性的步骤序列。这些步骤可包含：将封装(例如，包含mems装置和附着小块)放置到真空/净化腔室中，从封装空腔的顶部空间抽空空气或其它外来的气体，并且以所期望的(例如，可选的)比例通过一或多个净化阀将含有非金属氧化物气体的材料引入到顶部空间。可以维持顶部空间的气体内容物，例如，通过在过程腔室(例如，真空/净化腔室)中维持封装直至封装被密封(在下文描述的操作514中)。虽然水分(例如，水、水蒸气和湿气)通过真空泵被抽空，但是水的吸附表面层通常将仍然存在。并且，在装置的使用期限，水分可以穿透(例如，逐渐地)封装的密封。

相应地，用于提供离子物质以用于产生酸性溶质的小块和非金属氧化物气体可以在相同时间或在不同时间引入。当在相同时间引入小块和非金属氧化物气体时(用于提供离子物质以用于产生酸性溶质)，操作510和512(其在下文中描述)组合(例如，因此操作510并不完成直至执行操作512的至少一些部分)。非金属氧化物气体选自足以提供至少0.001摩尔水溶液的酸性溶质。术语“酸性溶质”可以指非金属氧化物气体自身(尤其在引入非灌注小块时)和/或非金属氧化物气体和小块(例如，灌注小块)两者的组合。

在操作512中调节聚合物-沸石混合物(例如，呈一或多个小块形式)以凝固沸石混合物的初始非金属酸性内容物。调节过程通常包含将吸气剂暴露于液体或酸性蒸气一段时间周期以将气体内容物引入到吸气剂的聚合物中(例如，因此在mems装置的实际使用期间，吸气剂可以充当酸性溶质材料的来源和吸收器)。

在这段时间周期之后，如由操作514所指示密封封装(例如，密闭性密封)，以便防止水分(例如，来自周围大气中的湿气)的渗透和酸性溶质材料的部分的漏出。在密封封装之后，加热封装，这促进通过吸气剂的干燥化合物的气体酸性溶质材料的吸收。

图6是根据实例实施例使用微镜602的图像投影系统600的示意图。在一个实施例中，微镜602代表mems装置(例如，图2的mems装置206)内的许多镜子中的一个。在图6中，来自光源604的光通过透镜606聚焦在改进的微镜602上。虽然在图6中示出为单个透镜，但是透镜606通常是透镜和/或滤波器的群组，它们一起将来自光源604的光聚焦和引导到mems装置内的镜子(例如，微镜装置602)的表面上。来自控制器614的图像数据和控制信号选择性地使得一些镜子(mems装置内)旋转到“开启”位置并且使得其它镜子(mems装置内)旋转到“关闭”位置，由此通过使得那些镜子在各种时间在“开启”和“关闭”位置之间切换来调制光。在“关闭”位置中，镜子将光反射到光阱608。在“开启”位置中，镜子将光反射到投影透镜610，为简单起见将所述投影透镜示出为单个透镜。投影透镜610将通过微镜装置602调制的光聚焦到图像平面或屏幕612上。一或多个微镜装置602组件经配置以相对于mems装置内的一或多个围绕结构移动。实例实施例减少在此类移动组件中的静摩擦的发生(以及微镜装置602的表面的腐蚀)。

在操作中，来自光源604的光通过透镜606聚焦在改进的微镜602上，因此改进的微镜602吸收相当大的量的热量。应用的循环和来自微镜602的热量的移除以及微镜602的重复致动引起改进的微镜602中的结构的扩展(例如，机械或热诱发的扩展)和收缩。改进微镜602中的结构的扩展和收缩促进裂缝的形成，这通常引起其中此类裂缝的形成和生长极大地加速的自催化降解反应。裂缝也由弯曲横杆(例如，旋转镜子)所引起并且类似地经受自催化降解反应。如本文中所描述，腐蚀和/或降解反应的速率(例如，在裂缝中)通过形成于形成在改进的微镜602的暴露表面上的水的表面层中的酸性和离子物质减缓(例如，由于包含在囊封改进的微镜602的封装的顶部空间中的轻易地可溶非金属氧化物气体的包含)。

在权利要求书的范围内，对所描述的实施例的修改是可能的，并且其它实施例是可能的。