微机电系统装置中的传感器功率斜变的制作方法

本申请要求2016年12月5日提交的美国临时申请第62/430,092号的权益和优先权，其全部内容以引用的方式并入本文。

背景技术：

提供以下描述是为了帮助读者理解。所提供的信息均不被视为是现有技术。

当构建高性能、高密度装置(诸如，手机、数码静态相机、便携式音乐播放器和其它便携式电子装置)时需要紧凑型部件，。然而，随着部件变得更为小型化且装置变得越来越高密度，部件之间的交互可以影响部件或装置的性能。提供高质量、紧凑型装置的一种解决方案是使用微机电系统(mems：microelectromechanicalsystem)。

技术实现要素：

在一个方面中，mems装置包括：mems元件；传感器，该传感器用于检测参数；和电源，该电源向传感器提供电流。在实施例中，电源布置成在电流的斜升过渡和电流的斜降过渡期间控制电流，在斜升过渡和斜降过渡期间控制电流使所提供的电流的高频分量衰减。在各种实施例中，参数是温度、湿度、压力、气体存在、或气体密度。在一些实施例中，mems元件包括声学装置。在这些和其它实施例中，高频分量的衰减减轻了对从声学装置提供的声学信息产生的热噪声效应和电噪声效应中的一者或两者。

在一个方面中，用于将电力从电源提供到定位于mems装置内的传感器的方法包括如下步骤：根据斜升曲线将电流从电源提供到传感器，其中，控制来自电源的电流，使得斜升曲线(ramp-upprofile)具有衰减的高频分量，并且根据斜降曲线将电流从电源提供到传感器，其中，控制来自电源的电流，使得斜降曲线具有衰减的高频分量。在一些实施例中，斜升曲线和斜降曲线中的一者或两者是非线性的。在这些和其它实施例中，斜升曲线和斜降曲线中的一者或两者具有对数或指数曲率。在一些实施例中，高频分量的衰减减轻了针对从mems装置的声学装置提供的声学信息所产生的热噪声效应和电噪声效应。

前述发明内容是说明性的，且不旨在以任何方式进行限制。除以上描述的说明性方面、实施例和特征之外，其它方面、实施例和特征将通过参考以下附图和详细描述而变得显而易见。

附图说明

本发明的前述和其它特征将通过以下说明书、权利要求书和附图而变得更加显而易见。

图1是根据一个实施例的mems装置的透视图。

图2是图1的mems装置的分解图。

图3是沿着线3-3截取的图1的mems装置的横截面图。

图4a是示出了斜变曲线的电流与时间的关系的曲线图，该斜变曲线可以由图1的实施例或其它实施例中的mems装置使用。

图4b绘制了方波电流脉冲。

图4c绘制了方波电流脉冲的功率谱。

图5是表示了在图1的实施例或其它实施例中运行mems装置的方法的流程图。

图6a图示了根据一个实施例的用于控制电流脉冲的过渡时间的系统的示例。

图6b图示了根据一个实施例的用于控制电流脉冲的过渡时间的系统的示例。

在以下详细描述中，对构成本说明书的一部分的附图进行了参考。在附图中，相似的符号通常表示相似的部件。在详细描述、附图和权利要求书中所描述的说明性实施例不旨在进行限制。在不脱离此处所呈现的主题的精神或范围的情况下，可使用其它实施例并且可做出其它更改。容易理解的是，如本文中一般描述并在示意图中图示的，本公开的各个方面可以按照各种不同的配置布置、取代、组合和设计，所有这些配置都落入本公开的范围内。

具体实施方式

根据一个或多个实施例，mems装置(例如，用于智能电话、平板、膝上型计算机、智能手表、助听器、摄像机、通信装置等)包括基板(例如，基座、pcb等)、声学装置(例如，麦克风部件或换能器，诸如mems元件)、电路和盖子。在一些实施例中，mems装置还可以包括一个或多个传感器，诸如，温度传感器、湿度传感器、压力传感器、气体传感器或其它传感器。(多个)另外传感器可以产生热，这使mems装置内的空气升温。另外或可替代地，在使用传感器时，传感器的材料(例如，硅)可以加热和收缩，和/或键合接线可以振动。热空气、膨胀和收缩和/或振动的键合接线可以改变声学装置的响应，这可以将声学噪声引入声学装置的声学输出或输入中。

向mems装置中的传感器提供的电力可以是间歇性的，诸如，提供以将电容电荷维持在期望电压范围内的脉冲列，或诸如，施加电力以在足以执行感测的时间内接通传感器，随后移除电力以在下一次需要进行感测之前关闭传感器(例如，以便节省能量或延长传感器的寿命)。例如，单个接通状态的持续时间可以介于50毫秒(ms)和200ms之间。每当施加电力时，电压的迅速增大(例如，从零伏(v)到2.5v)引起电流的相应迅速增大，这可以包括电流尖峰或电流的初始振荡。电流的迅速增大导致传感器的加热(且可能会引起基板的迹线或接线的加热)，这又导致了传感器周围的空气的加热。热能在mems装置中的整个空气中传导，并到达声学装置。在开启和关闭传感器的电力时，mems装置中的空气经历加热和冷却循环，这可以导致mems装置中的对应压力变化，该压力变化可能无法与针对声学装置的声学信息区分开。在开启和关闭传感器的电力时，热循环可以使热噪声效应得以添加到实际声学信息，这可能会造成对声学信息的不准确解释，并且可以以蜂鸣声、爆裂声或其它噪声形式传播到扬声器。

热噪声效应的解决方案包括：逐渐斜升(ramping-up)和逐渐斜降(ramping-down)在每一种接通状态和关闭状态下向传感器提供的供电电流。例如，不是以方波形式提供供电电流，而是本文中所描述的实施例针对一个或多个传感器使用修改后的供电电流波形，其中关闭到接通(off-to-on)过渡和/或接通到关闭(on-to-off)过渡以避免可能产生尖峰和响铃的过渡的方式发生斜变。除了减轻热噪声效应之外，消除修改后的供电电流波形中的尖角也使供电电流波形的较高频分量衰减，且因此使通过开启和关闭电力而引起的电噪声衰减，从而减轻声学信息中的电噪声效应。

图1至图3图示了根据本公开的实施例的mems装置100的不同视图。图1是mems装置100的透视图，图2是图1的分解图，且图3是mems装置100的横截面侧视图。

根据图1至图3中所示的实施例，mems装置100包括基板104、保护环108(例如，边界部分)、盖子112(例如，盖、罐或其它封盖)、处理器电路116(例如，呈处理器形式的电路、集成电路(ic)、专用ic(asic)、离散电路或其组合)、一个或多个传感器118(例如，温度传感器、湿度传感器、化学/气体传感器、压力传感器、其它传感器或其组合)、mems元件120(例如，mems电动机、mems麦克风、加速度计、陀螺仪或其它mems部件或其组合)。

基板104被图示为单个基板104，但相反其可以是多个基板104。在一些实施例中，基板104包括形成基板(例如，由fr-4材料制成的印刷电路板或半导体基板)的一个或多个介电层、一个或多个金属层和/或一个或多个材料层。在一个或多个实施例中，基板104包括由非导电基板材料包围的和/或嵌入在非导电基板材料中的导电迹线。在图2中，衬底104包括一个或多个电路迹线124和一个或多个焊盘(未图示)，处理器电路116设置在它们上方。在一个或多个实施例中，基板104还包括一个或多个孔，诸如端口128，该端口128延伸穿过基板104并且提供通过该端口128的流体(例如，空气)连通。在一个或多个实施例中，基板104包括部件安装件132，该部件安装件132基本上呈环形并且包围端口128。在一个或多个实施例中，基板104包括保护环安装件136。基板104可以包括其它特征、迹线或焊盘，和/或可以包括嵌入式部件。

在一些实施例中，电路迹线124被配置为接收焊剂和/或焊料(例如，可再熔融导电金属合金、无铅焊料等)以将处理器电路116电气联接至基板104。在其它实施例中，电路迹线124包括基板104上的如下凹陷或位置，该凹陷或位置被配置为接收粘合剂和/或另一联接机构。电路迹线124的布局和/或配置可以布置为适应mems装置100中采用的特定处理器电路116、基板104和部件配置。

通常，基板104中的迹线(诸如，电路迹线124)和其它连接(例如，通孔、重布线层、金属层等)提供：设置在基板104上的部件(诸如，处理器电路116)与mems元件120之间的连接，和/或设置在基板104上的部件与位于mems装置100外部的部件之间的连接。

如图3所示，在一个或多个实施例中，另外或可替代地，mems元件120可以诸如经由一个或多个接线结合156电气联接至处理器电路116，且另外或可替代地，处理器电路116可以经由一个或多个接线结合160电气联接至基板104。接线结合156、160可以提供处理器电路116、传感器118、mems元件120和电源149中的一个之间的通信。也可以进行其它连接。

如图2所示，端口128是由基板104限定出(例如，通过基板形成等)的基本上呈圆形的通孔。端口128可以促进mems元件120与周围环境之间的通信(例如，可听通信)(例如，声学传感器119通过端口128接收或传递声能)。根据图2中所示的实施例，mems装置100是底部端口mems装置100(例如，基板104限定出端口128)。在其它实施例中，端口128具有不同形状，具有不同直径和/或以不同方式定位于基板104上。在可替代实施例中，mems装置100是顶部端口mems装置(例如，盖子112限定出端口128)。

根据实施例，部件安装件132被配置(例如，布置、定位、成形等)为联接至mems元件120，使得mems元件120机械和/或电气联接至基板104。在一些实施例中，部件安装件132被配置为接收焊剂和/或焊料。在其它实施例中，部件安装件132被配置为接收粘合剂和/或另一联接机构。部件安装件132的布局和/或配置可以布置成适应mems装置100中采用的特定mems元件120和基板104。作为示例，部件安装件132可以具有不同形状和/或与所示的不同的直径。在其它实施例中，基板104不包括部件安装件132。

如图2所示，保护环安装136基本上包围电路迹线124、端口128和部件安装件132(例如，保护环安装件136围绕基板104的外周的至少一部分延伸)。保护环安装件136被配置(例如，布置、定位、成形等)为联接至保护环108，使得保护环108可以通过保护环安装件136机械和/或电气联接至基板104。在一些实施例中，保护环安装件136相对于基板104的表面凹陷或凹进。在一些实施例中，保护环安装件136被配置为接收焊剂和/或焊料。在其它实施例中，保护环安装件136被配置为接收粘合剂和/或另一联接机构。保护环安装件136的布局和/或配置可以布置成适应特定保护环108和基板104或mems装置100中采用的其它部件。作为示例，保护环安装件136可以具有不同形状，和/或包围或环绕基板104的不同分段或部分。在其它实施例中，基板104不包括保护环安装件136。

如图2所示，保护环108被配置为联接至保护环安装件136，使得保护环108定位成围绕基板104的外周延伸。在其它实施例中，mems装置100不包括保护环108。保护环108可以由金属材料(例如，含铁金属、非铁金属、铜、钢、铁、银、金、铝、钛、其它金属或其组合)或其它材料(例如，塑料材料、热塑性材料、陶瓷材料、其它材料或其组合)形成(例如，由金属材料和其它材料制成)。如图2所示，保护环108包括机械联接至盖子112的第一联接面142。保护环108还可以电气联接至盖子112。在实施例中，保护环108的第一联接面142包括迹线和/或经过镀锡以使盖子112可以焊接到第一联接面142。在其它实施例中，第一联接面142被配置为接收粘合剂和/或另一联接机构，以便将盖子112联接至该第一联接面。在另一实施例中，保护环108形成为基板104的一部分和/或嵌入在基板104中。作为示例，保护环108可以是基板104的从基板104向上延伸且被配置为接合盖子112的一部分。在又一实施例中，保护环108形成为盖子112的一部分。例如，保护环108可以是从盖子112延伸且被配置为联接至基板104的凸缘。在又一实施例中，可以去除保护环108，并且盖子112直接联接至基板104。

盖子112可以由金属材料(例如，含铁材料、非铁材料、铝、钛、钢、其它金属或其组合)或另一材料(例如，塑料、热塑性材料、陶瓷材料、其它材料或其组合)制成。盖子112被配置为(例如，利用焊料或粘合剂)联接至保护环108的第一联接面142。

根据实施例，处理器电路116布置成与传感器118和mems元件120电气连通。处理器电路116可以被配置为修改由传感器118和mems元件120(或mems装置100中的其它部件)产生的信号，并且通过串行和/或并行接口将这些信号传送到外部装置。

处理器电路116可以包括传感器118，并且可以包括电源149。在一些实施例中，传感器118与处理器电路116或其它部件(例如，asic)分开，并由该处理器电路或其它部件供电。可替代地，电源149可以形成为传感器118的一部分，可以是单独部件，可以形成为布置成向mems装置100的一个或多个部件提供电力的另一电源的一部分，或可以是布置成调节传感器118的电力传送的控制电路或开关。出于本公开的目的，电源149将指代影响或调节传感器118的电力传递的部件。所说明的传感器118安装至处理器电路116。在其它实施例中，传感器118可以安装在mems装置100中的其它位置处。例如，传感器118可以安装至基板104、盖子112或mems装置100中的另一部件。

mems元件120包括mems换能器119并且限定出通气孔151。虽然未详细示出，但mems换能器119可以包括隔膜和背板。mems元件120可以被配置为将表示接收到的声学信号(压力变化)的电信号传送至处理器电路116，或者从处理器电路116接收电信号并且生成声学信号。

如图3所示，基板104、保护环108和盖子112共同限定出被示出为内腔152的几何后容积。在所图示的实施例中，通气孔151与内腔152连通，从而为mems元件120提供气压释放。然而，通气孔151并非在所有实施例中都是必需的。将mems元件120联接至部件安装件132，可以在mems元件120与基板104之间提供密封或声学密封，使得相对于内腔152隔离和/或密封端口128。

在一个或多个实施例中，可选包封体可以设置在基板104的部分上方和/或设置在基板104上所设置的部件中的一个或多个的至少部分上方。例如，在图3中将包封体164图示为在处理器电路116的顶部表面上方，以保护接线结合156、160。可替代地或另外，可以包封mems装置100的其它部分。包封体可以包括例如，环氧树脂、聚酰亚胺或热塑性塑料。

在一些实施例中，通过将焊剂和/或糊状焊料或组合的助焊/焊接产品施加于电路迹线124、部件安装件132、保护环安装件136和保护环108的第一联接面142并且将各种部件设置在其相应位置中来组装mems装置100。然后可以对mems装置100进行热循环，以使焊料流动并将部件联接在一起。在其它实施例中，采用粘合剂或其它联接机构。

图4a图示了随时间流逝从电源(例如，电源149)供应到传感器(例如，传感器118)的电流(idd)的曲线图。实线表示方波，如上所述，该方波可以引入对mems装置100的性能产生不利影响的热噪声效应。虚线表示提供给传感器以减少热噪声效应的修改后的波形172。

如图4a所示，方波168包括快速过渡斜升部分176、基本上稳定(平坦)功率部分180和快速过渡斜降部分184。斜升部分176和斜降部分184快速地向传感器提供/移除电力(分别用于快速接通/关闭时间)，并且功率部分180在传感器的接通时间期间向传感器提供基本上恒定的电流idd＝idc。方波168限定出第一时间188与第二时间192之间的持续时间。在一个实施例中，持续时间在约50ms至约200ms之间。在该实施例和其它实施例中，选择持续时间使得与持续时间相关联的频率的谐波在可听范围之外。图4a中未图示的是与快速电流过渡相关联的电流尖峰和响铃。

如同样在图4a中所示，修改后的波形172包括斜升部分196、功率部分202和斜降部分206。斜升部分196具有比方波168的斜升部分176更长的持续时间(更慢的过渡)，并且斜降部分206具有比方波168的斜降部分184更长的持续时间(更慢的过渡)。在所图示的实施例中，斜升部分196在时间210处平滑地增加到电流irq，在此之后，电流缓慢地增加到大致为电流idc。在所图示的实施例中，斜降部分206从大致在第二时间192处的电流idc平滑地减小至表示第三时间214处的传感器的关闭状态的电流电平(例如，基本上为零电流。)

在其它实施例中，斜升部分196可以针对电流irq限定出不同形状，诸如，线性斜变、阶梯式斜变、对数曲率、指数曲率或钟形(例如，高斯)曲率。另外，斜升部分196与功率部分202之间的过渡可以限定不同形状或轮廓。例如，斜升部分196和功率部分202都可以遵循相同指数函数以大致达到电流idc。斜升部分196(例如，在第一时间188与时间210之间)的持续时间相对于功率部分202和斜降部分206可以更长或更短。

在其它实施例中，斜降部分206可以限定不同输出形状或轮廓，诸如从电流idc到表示关闭状态的电流电平的线性斜变或阶梯式斜变。可替代地，斜降部分206(例如，在第二时间192与第三时间214之间)的持续时间相对于功率部分202和斜升部分196可以更长或更短。在其它实施例中，功率部分202与斜降部分206之间的过渡可以限定不同形状或轮廓。

通过延长波形的过渡时间(例如，将方波168的斜升部分176的过渡时间延长至斜变波形172的斜升部分196的较长持续时间过渡时间，和/或将方波168的斜降部分184的过渡时间延长至斜变波形172的斜降部分206的较长持续时间过渡时间)，使过渡的较高频分量衰减，且因此也使通过在传感器的接通状态与关闭状态之间循环而产生的电噪声衰减。

图4b和图4c提供了延长过渡时间的益处的进一步说明。

图4b绘制了具有脉宽tp的方波电流脉冲的电流(i)与时间(t)的关系。在图4b中示出了过渡时间的两个选项，一个为实线，而一个为虚线。实线的过渡时间是tr，且虚线的过渡时间是tdv,max。随着过渡时间从tr增加到tdv,max，脉冲电流的高频分量减小，且因此减小了施加到传感器的总功率。

图4c是表示方波电流脉冲的功率谱的曲线图。对于至多约f＝1/tp的频率，功率电平大致为一致的。对于约f＝1/tp与约f＝1/tr之间的频率，存在20分贝/十倍频(db/dec)的功率下降。在约f＝1/tr处，存在角频410，且对于高于约f＝1/tr的频率，存在40db/dec的功率下降。从图4c中可以看出，随着1/tr的值减小，角频410在曲线图上向左移，且将40db/dec的功率下降施加于更宽的频率范围。因此，在tr增加时，使更多的较高频率衰减，且减小总功率。在一个或多个实施例中，tr大于或等于约10毫秒(ms)。在一个或多个实施例中，tp大于或等于约10ms。

图5示出了将电力提供到mems装置100内的传感器的方法218。在一个实施例中，传感器是传感器118，并且传感器电源是电源149。

在222中，处理器电路116通过控制传感器电源来初始化传感器的接通状态，以开始向传感器提供电力。在226中(例如，在图4a中的第一时间188处)，将电流从传感器电源提供给传感器。随后，在230中，传感器电源根据斜升曲线(例如，在图4a中的第一时间188与斜升时间210之间的斜升部分)提供电流。斜升曲线逐渐将电流增加至斜升电流(例如，图4a中的斜升电流irq)，然后在234中将电力提供给传感器(例如，图4a中的功率部分202)，直到要将传感器关闭为止(例如，在图4a中的第二时间192处)。然后，在238中，传感器电源根据斜降曲线(例如，图4a中的斜降部分206)将电流提供给传感器。在242中，斜降曲线在实现电力的关闭状态之前继续(例如，在图4a中的第三时间214处)。在实现关闭状态之后，在246中引入时间延迟并持续预定时间。预定时间将取决于传感器的类型和期望采样率。在步骤246中的时间延迟之后，在步骤222中再次初始化接通状态，并且方法218重复。

图6a图示了根据一个实施例的用于控制电流脉冲的过渡时间的系统的示例。控制器605将一个或多个控制信号606提供给电源610。电源610中的电源逻辑620解释控制信号606，并通过信号路径621a、621b、621n将信号提供给相应电路625a、625b、625n，这些电路提供相应输出626a、626b、626n。控制器605可以是例如处理器电路116。电源可以是例如电源149。在一些实施例中，控制器605和电源610一起在单个部件(诸如，asic)中实施。在其它实施例中，将控制器605和电源610实施为单独部件。

功率逻辑620可以包括数字或模拟电路或数字和模拟电路的组合，并且在一些实施例中还可以包括执行来自固件或软件的指令以执行所描述的功能中的一个或多个的电路。

控制信号606可以包括通过串行或并行接口提供的命令，或控制线(例如，接线或电路迹线)上的信号的电平或边沿。可以提供控制信号606，例如以发起或终止脉冲，发起给定持续时间的脉冲，发起具有给定脉宽的脉冲列，设置脉冲电流过渡时间或其它功能。

功率逻辑620解释控制信号606，并且经由信号路径621a、621b、621n确定要提供给电路625a、625b、625c的信号，以完成由控制信号606表示的功能。例如，功率逻辑620可以分别在信号路径621a、621b、621n中的一个或多个上针对电路625a、625b、625c中的一个或多个判定逻辑“接通”信号(这可以是逻辑高或逻辑低)，并且针对电路625a、625b、625c中的另一些判定逻辑“关闭”信号对于以这种方式开启的电路，在输出626a、626b、626c处提供输出。

图6b图示了根据实施例的实施图6a中的电路625a、625b、625c的电路的示例。在该实施例中，电流镜650包括参考电流发生器655和参考晶体管660。参考晶体管660和镜像晶体管665a、665b、665n共享公共栅极电压和公共源极电压。可以通过关闭相应开关670a、670b、670n来启动每个镜像晶体管665a、665b、665n，并且电流在被启动时流过相应输出680、685、690(out_a、out_b、out_n)。可以将由参考电流发生器655生成的并且流过参考晶体管660的参考电流i_ref反射到晶体管665a、665b、665n中的所启动的晶体管。可以相对于参考晶体管660的相应尺寸设计各个晶体管665a、665b、665n的物理尺寸，以获得通过晶体管665a、665b、665n的电流相对于i_ref的期望比。因此，例如，如果晶体管665a和参考晶体管660具有相同的设计尺寸，那么当通过开关670a启动晶体管时，大致等于i_ref的电流将流过晶体管665a(即，out_a≈i_ref)。在一个实施例中，开关670a、670b、670n可以由诸如图6a中的信号621a、621b、621c等的信号(例如，图6a中的电路625a可以包括图6b中的晶体管665a和开关670a)。

再次参照图4a至图4c，可能需要限制电流波形的上升沿和下降沿的过渡时间。在一些实施例中，直接提供电流以向接收部件(例如，传感器)供电，且因此可以直接控制电流波形的上升沿和下降沿的转换时间，而在其它实施例中，提供电压以向接收部件供电，并且通过限制电流来控制电流的过渡时间。在任一情况下，图6a的实施例或图6b的实施例可以用于提供受控(或限制)量的电流。例如，参考图6b，所有输出680、685、690可以电气连接到公共线，可以启动开关670a以在输出680和公共线上提供第一电流，然后可以启动开关670b以在输出685上提供第二电流并且提供在公共线上组合的第一电流和第二电流，且然后可以启动开关670n，同时禁用开关670b以在输出690上提供第三电流和在公共线上组合的第一电流和第三电流。要理解，这仅仅是可用于控制或限制电流的许多序列和组合的一个示例。

本文所描述的主题有时说明了包含在不同的其它部件内或与不同的其它部件连接的不同部件。要理解，如此描绘的架构仅仅是示例，并且实际上可以实现许多其它架构，这些架构实现相同的功能。在概念意义上，将用于实现相同功能的部件的任何布置有效地“关联”，使得能够实现期望功能。因此，在不考虑架构或中间部件的情况下，本文中组合以实现特定功能的任何两个部件可被视为与彼此“相关联”，使得能够实现期望的功能。同样，如此关联的任何两个部件也可以视为彼此“在工作上连接”或“在工作上联接”以实现期望功能，并且能够如此关联的任何两个部件也可以被视为彼此“可操作联接”以实现期望功能。可操作联接的特定示例包括但不限于，物理上可配对和/或物理上交互的部件和/或可无线交互和/或以无线方式交互的部件和/或逻辑上交互和/或逻辑上可交互的部件。

相对于本文中的基本上任何复数和/或单数术语的使用，本领域的技术人员可以根据上下文和/或应用的需要而从复数转换为单数和/或从单数转换为复数。出于清楚起见，在本文中可明确地阐述各种单数/复数置换。

本领域的技术人员应理解，一般而言，本文中所使用的术语，尤其是随附权利要求书(例如，随附权利要求书的主体)通常旨在作为“开放”术语(例如，术语“包括(including)”应解释为“包括但不限于”，术语“具有(having)”应解释为“具有至少”的术语，术语“包含(includes)”应解释为“包含但不限于”等)。

本领域的技术人员还应当理解，如果需要特定数量的所引入的权利要求陈述，那么在权利要求中将明确地陈述这种意图，且在不存在这种陈述的情况下，也不存在这种意图。例如，为了帮助进行理解，随附权利要求书可以包含对引导性短语“至少一个”和“一个或多个”的使用以引入权利要求陈述。然而，这些短语的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”引入的权利要求陈述将包含这种引入的权利要求陈述的任何特定权利要求限制为仅包含一个这种陈述的发明，即使在相同的权利要求包括引导性短语“一个或多个”或“至少一个”以及诸如“一”或“一个”等的不定冠词(例如，“一”和/或“一个”通常应被解释为意味着“至少一个”或“一个或多个”)；这同样适用于对用于引入权利要求陈述的定冠词的使用。另外，即使明确地陈述了特定数量的所引入的权利要求陈述，本领域的技术人员也应认识到，这种陈述通常应该被解释为至少表示所陈述的数字(例如，在没有其它修饰词的情况下，直接陈述“两种陈述”通常意味着至少两种陈述，或两种或更多种陈述)。

此外，在使用类似于“a、b和c中的至少一个等”的惯例表达的那些情况下，这种结构一般为本领域的技术人员习惯理解的含义(例如，“具有a、b和c中的至少一个的系统”将包括但不限于只具有a、只具有b、只具有c、同时具有a和b、同时具有a和c、同时具有b和c和/或同时具有a、b和c等的系统)。在使用类似于“a、b或c中的至少一个等”的惯例表达的那些情况下，这种结构一般为本领域的技术人员习惯理解的含义(例如，“具有a、b或c中的至少一个的系统”将包括但不限于只具有a、只具有b、只具有c、同时具有a和b、同时具有a和c、同时具有b和c和/或同时具有a、b和c等的系统)。本领域的技术人员还应当理解，无论在说明书、权利要求书还是附图中，实际上提出两个或更多个替代项的任何转折词和/或短语都应被理解为是为了构想包括这些项中的一个、这些项中的任一个或这两项的可能性。例如，短语“a或b”将被理解为包括“a”或“b”或“a和b”的可能性。另外，除非另有说明，否则使用“近似”、“约”、“大约”、“基本上”等词表示正负百分之十。

已经出于说明和描述之目的呈现了说明性实施例的前述描述。并不旨在详尽地展现所公开的精确形式或限制所公开的精确形式，且鉴于上述教导，修改和变更都是可能的，或者可以根据对所公开实施例的实践来获得这些修改和变更。本发明的范围旨在由随附权利要求书及其等同物限定。