降低MEMS芯片应力的方法与流程

本发明涉及一种微机电技术领域，特别涉及一种降低mems芯片应力的方法。

背景技术：

1.mems芯片底部需要接地，通常情况下是采用银胶粘贴在载体表面(如基板，管壳)，并烘烤固化；

2.芯片底部通过银胶和载体连接，使芯片底部的接地导通到载体上，从而引出外部；

3.经过烘烤固化后的，mems芯片受到应力导致梳齿变形，影响产品的性能；

4.经过分析芯片的材质是硅的成分，载体主要是陶瓷和pcb基板，烘烤时热膨胀系数不一样，待银胶冷却固化后，载体的应力会通过银胶传送到mems芯片上，从而导致梳齿变形。

5.银胶换成硅胶可以减少应力，但是无法把芯片底部的接地引出。

技术实现要素：

本发明解决的技术问题是提供一种导通性能强、减小应力、不变形的降低mems芯片应力的方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：降低mems芯片应力的方法，包括如下步骤：

步骤一：定制硅片，在硅片的表面镀铝得到镀铝硅片，所述镀铝硅片上的铝层可以导通；

步骤二：将步骤一中得到的镀铝硅片上的铝层与mems芯片底部的接地通过银胶粘贴在一起得到mems芯片和镀铝硅片结合体，所述银胶具有导电特性，使得能够将mems芯片底部的接地通过银胶与铝层导通；

步骤三：将步骤二中得到的mems芯片和镀铝硅片结合体进行烘烤得到烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体，mems芯片主要成分是硅，硅片的主要成分也是硅，硅和硅粘接，膨胀和收缩系数一样，同时所述镀铝硅片不会因为温度的变化发生形变，保证了mems芯片不会受铝层的应力影响；

步骤四：将步骤三中得到的烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体进行固化，得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体，所述mems芯片底部的接地与镀铝硅片上的铝层导通；

步骤五：将步骤四中得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体通过硅胶粘贴在载体表面得到总结合体；

步骤六：将步骤五中得到的总结合体进行固化，得到固化后的总结合体；

步骤七：将步骤六中得到的固化后的总结合体上的铝层与载体通过打线方式连接，通过打线方式将铝层与载体导通。

进一步的是：所述硅片的长度比mems芯片的长度大2±0.2mm，所述硅片的宽度比mems芯片的宽度大1±0.2mm，留有一定的空间便于焊接，通过焊接把铝层上的接地导通到载体上，从而导出产品外部。

进一步的是：所述步骤五中镀铝硅片的四个角通过硅胶与载体粘接，使得载体的受应力不会传到硅片上，从而使得mems芯片基本不会受到应力的影响。

进一步的是：所述步骤五中硅胶的厚度大于100um。

本发明的有益效果是：本发明中硅片表面镀铝层，银胶的导电特性，使得mems芯片底部通过银胶和铝层导通，mems芯片主要成分是硅，硅片的主要成分也是硅，硅和硅粘接，膨胀和收缩系数一样，同时硅片不会因为温度的变化发生形变，保证了mems芯片不会受铝层的应力影响，同时利用了铝层导电的特性，会把mems芯片底部的接地导通到硅片表面的铝层上，载体和硅片使用硅胶粘贴，胶水厚度控制在100um，而且只有四个角使用硅胶粘贴，载体的受应力不会传到硅片上，所以mems芯片基本不会受到应力的影响，硅片长边多出2±mm，宽边多出1±0.2mm留有一定的空间方便焊接，通过焊接把铝层上的接地导通到载体上，从而导出产品外部。

附图说明

图1为使用降低mems芯片硅胶硅胶应力的方法的具体实施方式一的示意图；

图中标记为：1、mems芯片；2、硅片；3、载体；4、银胶；5、硅胶；6、金线或铝线；7、铝层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

降低mems芯片应力的方法，包括如下步骤：

步骤一：定制硅片，在硅片的表面镀铝得到镀铝硅片，所述镀铝硅片上的铝层可以导通；

步骤二：将步骤一中得到的镀铝硅片上的铝层与mems芯片底部的接地通过银胶粘贴在一起得到mems芯片和镀铝硅片结合体，所述银胶具有导电特性，使得能够将mems芯片底部的接地通过银胶与铝层导通；

步骤三：将步骤二中得到的mems芯片和镀铝硅片结合体进行烘烤得到烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体，mems芯片主要成分是硅，硅片的主要成分也是硅，硅和硅粘接，膨胀和收缩系数一样，同时所述镀铝硅片不会因为温度的变化发生形变，保证了mems芯片不会受铝层的应力影响；

步骤四：将步骤三中得到的烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体进行固化，得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体，所述mems芯片底部的接地与镀铝硅片上的铝层导通；

步骤五：将步骤四中得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体通过硅胶粘贴在载体表面得到总结合体，所述载体可以是陶瓷或者pcb，本实施案例中选用pcb。

步骤六：将步骤五中得到的总结合体进行固化，得到固化后的总结合体；

步骤七：将步骤六中得到的固化后的总结合体上的铝层与载体通过打线方式连接，通过打线方式将铝层与载体导通，所述铝层与载体之间可以通过铝线或金线进行连接，本实施案例中选用铝线。

在上述基础上，所述硅片的长度比mems芯片的长度大2±0.2mm，所述硅片的宽度比mems芯片的宽度大1±0.2mm，留有一定的空间便于焊接，通过焊接把铝层上的接地导通到载体上，从而导出产品外部，所述硅片的长度比mems芯片的长度可以大1.8mm、2.0mm或2.2mm，本实施案例中选择大2.0mm，所述硅片的宽度比mems芯片的宽度可以大0.8mm、1.0mm或1.2mm，本实施案例中选择大1.0mm。

在上述基础上，所述步骤五中镀铝硅片的四个角通过硅胶与载体粘接，使得载体的受应力不会传到硅片上，从而使得mems芯片基本不会受到应力的影响。

在上述基础上，所述步骤五中硅胶的厚度大于100um。

在上述基础上，如图1所示，具体实施方式一：

步骤一：定制硅片2，在硅片2的表面镀铝得到镀铝硅片2，所述硅片2的长度比mems芯片1的长度大2.0mm，所述硅片2的宽度比mems芯片1的宽度大1.0mm；

步骤二：将步骤一中得到的镀铝硅片2上的铝层7与mems芯片1底部的接地通过银胶4粘贴在一起得到mems芯片和镀铝硅片结合体；

步骤三：将步骤二中得到的mems芯片和镀铝硅片结合体进行烘烤得到烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体；

步骤四：将步骤三中得到的烘烤后的mems芯片和镀铝硅片结合体进行固化，得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体，所述mems芯片1底部的接地与镀铝硅片2上的铝层7导通；

步骤五：将步骤四中得到的固化后的mems芯片和镀铝硅片结合体通过硅胶5粘贴在pcb表面得到总结合体；

步骤六：将步骤五中得到的总结合体进行固化，得到固化后的总结合体；

步骤七：将步骤六中得到的固化后的总结合体上的铝层7与pcb通过使用铝线6打线方式连接。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。