传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法与流程

1.本公开涉及传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。背景技术：2.利用基于mems(微机电系统)的传感器装置可以例如检测压力、加速度、光或气体。在特定示例中，这样的传感器装置可以是用于在机动车中监控轮胎压力的轮胎压力控制系统的一部分。通过监控可以避免由于错误的轮胎压力而造成的事故。此外，利用最佳轮胎压力，可以节省燃料并且避免不必要的轮胎磨损。传感器装置的部件可以布置在封装件(壳体)中，以使得能够在电路板上简单地操作和安装传感器装置并且保护部件免于损坏。传感器封装件的制造商一直力求改善其产品。特别地，在此期望的是，提供具有小尺寸的低成本的传感器封装件。还期望的是，提供改进的用于制造传感器封装件的方法。技术实现要素：3.各个方面涉及一种传感器封装件。传感器封装件包括mems传感器芯片。此外，传感器封装件还包括被布置在mems传感器芯片的第一主面上方的盖部，该盖部由模塑料制成。此外，传感器封装件还包括延伸穿过盖部的电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在盖部上方的电路板电耦连。4.各个方面涉及一种用于制造传感器封装件的方法。该方法包括提供具有多个mems传感器芯片的第一半导体晶片。该方法还包括在第一半导体晶片的第一主面上方执行模制工艺，其中盖部被构造在多个mems传感器芯片上方。该方法还包括构造穿过盖部延伸的电过孔。该方法还包括将第一半导体晶片和盖部分割成多个传感器封装件，其中传感器封装件中的每个传感器封装件都包括电过孔中的一个电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在传感器封装件的盖部上方的电路板电耦连。附图说明5.下面参考附图更详细地解释根据本公开的传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。附图中所示的元件并不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记可以表示相同的部件。6.图1示出了根据本公开的传感器封装件100的横截面侧视图。7.图2包含图2a至图2i，图2a至图2i示出了根据本公开的用于制造传感器封装件200的方法的透视图。8.图3包含图3a至图3h，图3a至图3h示出了根据本公开的用于制造传感器封装件300的方法的透视图。9.图4包含图4a至图4f，图4a至图4f示出了根据本公开的用于制造传感器封装件400的方法的透视图。10.图5包含图5a至图5g，图5a至图5g示出了根据本公开的用于制造传感器封装件500的方法的透视图。11.图6包含图6a和图6b，图6a和图6b示出了根据本公开的传感器封装件600的侧视图和俯视图。12.图7示出了压配合(press‑fit)方法的侧视图。具体实施方式13.下面说明的附图示出了根据本公开的传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。在此，可以以一般方式呈现所说明的方法和装置，以便定性地说明本公开的各方面。所说明的方法和装置可以具有为了简单起见而无法在相应附图中示出的其他方面。然而，可以通过结合根据本公开的其他示例所说明的方面来扩展各个示例。因此，对特定附图的陈述可以同样适用于其他附图的示例。14.图1的传感器封装件(或传感器壳体)100可以具有mems传感器芯片2，该mems传感器芯片2具有第一主面4和对置的第二主面6。在mems传感器芯片2的第一主面4上方可以布置可以由模塑料制成的盖部8。一个或多个电过孔10可以延伸穿过盖部8，这些电过孔10可以被设计为将传感器封装件100与被布置在盖部8上方的电路板(未示出)电耦连。15.mems传感器芯片2可以是具有可以集成到mems传感器芯片2中的一个或多个mems结构的半导体芯片。在图1的示例中，mems结构12示例性地以膜的形式示出。mems结构可以包括以下一项或多项：桥、膜、悬架、悬臂、舌状结构、梳状结构等。mems传感器芯片2可以被设计用于检测一个或多个物理量，例如压力、加速度、温度、空气湿度等。传感器的示例是压力传感器、轮胎压力传感器、加速度传感器、气体传感器、空气湿度传感器等。mems传感器芯片2在z方向上的厚度d1可以在约300微米至约500微米的范围内，更确切地在约350微米至约450微米的范围内。mems传感器芯片2的厚度d1的典型示例值可以是约400微米。16.盖部8可以通过模制工艺来制造。特别地，可以基于以下技术中的一种或多种技术来制造盖部8：模压成型(compression molding)、注塑成型(injection molding)、粉末成型(powder molding)、注射工艺(liquid molding)等。构造盖部8的模塑料可以包括以下至少一项：环氧树脂、经填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、热固性聚合物、聚合物共混物。17.在mems传感器芯片2的第一主面4的俯视图中，即，在z方向上观察，盖部8和mems传感器芯片2可以基本上是重叠的。这种重合可以由用于制造传感器封装件100的方法自然地得出，例如可以从图2至图5中得出。因此，传感器封装件100可以对应于csp(芯片级封装或芯片尺寸封装)。此外，传感器封装件100可以是晶片级封装。18.在图1的示例中，传感器封装件100可以具有被布置在mems传感器芯片2和盖部8之间的逻辑芯片14。在其他示例中，逻辑芯片14并不一定必须是传感器封装件100的一部分，而是还可以作为独立的电子部件与传感器封装件100相邻地布置在同一电路板上，并且与传感器封装件100电连接。逻辑芯片14或包含在逻辑芯片14中的一个或多个电路可以被设计为：对由mems传感器芯片2提供的测量信号进行逻辑处理。逻辑芯片14例如可以是asic(专用集成电路)。电过孔10可以与逻辑芯片14电接触，并且可以被设计为将逻辑芯片14与电路板(未示出)电耦连。逻辑芯片14在z方向上的厚度d2可以在约80微米至约120微米的范围内，更确切地在约90微米至约110微米的范围内。逻辑芯片14的厚度d2的典型示例值可以是约100微米。19.在一个示例中，可以基于压电效应将mems结构12的运动转换成电信号。由mems传感器芯片2检测到的测量信号可以通过一个或多个电连接元件16传输到逻辑芯片14，以便在逻辑芯片14处进行逻辑处理。在图1的示例中，电连接元件16示例性地由导线示出。在其他示例中，电连接元件16可以不同地被设计，例如呈带、线夹(clip)或重新布线层的形式。20.传感器封装件100可以具有被布置在mems传感器芯片2的第二主面6上方的第一结构18。第一结构18可以由玻璃材料或半导体材料中的至少一种材料制成。如结合图2至图5所说明的，第一结构18特别地可以由对基板(例如，玻璃基板和/或半导体基板)的分割产生。第一结构18在z方向上的厚度d3可以在约300微米至约500微米的范围内，更确切地在约350微米至约450微米的范围内。第一结构18的厚度d3的典型示例值可以是约400微米。21.在第一结构18中可以构造气体开口20，该气体开口20被布置在mems传感器芯片2的第二主面6上方。气体开口20可以在传感器封装件100的周围环境与mems传感器芯片2或其膜12之间提供(流体的)气体连接。因此，特别地，在周围环境中出现的压力变化可以由mems传感器芯片2检测。在图1的示例中，气体连接可以附加地具有构造在mems传感器芯片2的半导体材料中的凹槽22。在图1的示例性侧视图中，气体开口20可以具有圆锥形状。在其他示例中，气体开口20的形状可以与此不同，并且例如可以是矩形。22.可以在第一结构18的上侧上可选地构造一个或多个凹部36。当沿z方向观察时，凹部36可以具有闭合形状，例如圆形。凹部36可以被设计用于容纳密封环(未示出)。在一个示例中，密封环可以提供在传感器封装件100和阀之间的连接。23.传感器封装件100可以具有被布置在mems传感器芯片2的第一主面4上方的第二结构24。第二结构24可以至少部分地类似于第一结构18，特别是在第二结构24的材料和第二结构24在z方向上的厚度d4方面。由第一结构18、第二结构24和mems传感器芯片2构成的堆叠的厚度d5可以由其堆叠部件的已经提到的厚度得出。堆叠的厚度d5的典型示例值可以是约1200微米。在第二结构24中并且在膜12下方可以构造腔26，该腔26例如可以被设计为压力传感器的后容积(rückvolumen)。24.传感器封装件100可以具有被布置在盖部8的下侧上的重新布线层(或重新分布层)28。重新布线层28可以包含一个或多个呈金属层或金属迹线形式的导体迹线30，这些导体迹线30可以基本平行于传感器封装件100的下侧延伸。导体迹线30例如可以由铜或铜合金制成。在导体迹线30之间可以布置一个或多个介电层32，以使导体迹线30彼此电隔离。介电层32例如可以由氧化物和/或氮化物制成。此外，布置在不同平面上的金属层可以通过多个过孔或通孔彼此电连接。重新布线层28的导体迹线30可以实现重新分布或重新布线的功能，以便将电过孔10与一个或多个外围连接元件34电耦连。换言之，导体迹线30可以被设计为在传感器封装件100的其他位置处提供电过孔10或逻辑芯片14的端子。备选地或附加地，导体迹线30中的一个或多个导体迹线可以被设计为提供一个或多个电子部件(或功能元件)。电子部件特别地可以包括无源电子部件。例如，无源电子部件可以包括以下一项或多项：电阻器、电容器、电感部件(例如，电感或线圈)、天线(例如，线圈或贴片天线)等。25.外围连接元件34可以被布置在盖部8下方，并且与电过孔10电耦连。在图1的示例中，外围连接元件34可以被设计为焊料沉积物(或焊料元件或焊料球)的形式。外围连接元件34可以被设计为将传感器封装件100与电路板进行电和机械耦连。传感器封装件100可以例如借助于焊接工艺通过外围连接元件34安装在电路板上。26.在一些示例中，传感器封装件100并不一定必须具有外围连接元件34和/或重新布线层28，而是可以直接通过电过孔10与电路板机械耦连。电过孔10可以包括以下至少一项：压配销、金属柱、线夹或键合线。在图2至图5中示出和说明了电过孔10的不同示例。电过孔10可以被实施为电通孔(垂直互连通路(vertical interconnect access))连接。电过孔10在z方向上的尺寸或盖部8的相应厚度d6可以在约300微米至约500微米的范围内，更确切地在约350微米至约450微米的范围内。盖部的厚度d6的典型示例值为约400微米。27.传感器封装件100可选地可以具有可以被布置在盖部8上的层38。层38可以分别布置在盖部8和mems传感器芯片2之间，在盖部8和第二结构24之间，以及在盖部8和逻辑芯片14之间。层38可以被设计为减小所提及的部件之间的机械应力。备选地或附加地，层38可以被设计为提供或增强所提及的部件之间的附着力。层38可以例如由聚合物涂层材料制成，特别是由聚对二甲苯制成。28.传感器封装件100可选地可以具有涂层40，该涂层40可以被布置在传感器封装件100的一个或多个侧壁上。涂层40可以特别地被设计为钝化层。涂层40可以例如由聚合物涂层材料制成，特别是由聚对二甲苯制成。29.在图1的示例中，mems传感器芯片2可以被设计为检测压力信号。换言之，传感器封装件100可以是压力传感器，该压力传感器例如可以是轮胎压力控制系统的一部分。在周围环境中出现的、传感器封装件100周围气体(例如，空气)的压力变化可以通过气体开口20导致膜12偏移并且被转换为电信号。电信号可以被传递到逻辑芯片14并由逻辑芯片14进行处理。处理后的信号可以通过电过孔10和外围连接元件34传递到电路板或被布置在电路板上的电子部件。30.应当注意的是，传感器封装件100不限于特定的传感器类型。在其他示例中，传感器封装件100例如可以被设计为检测加速度。传感器封装件100还可以被设计为不是只检测一个物理量，而是检测多个物理量。例如，如图6所示和所说明的，传感器封装件100不仅可以被设计为压力传感器，而且可以被设计为加速度传感器。31.图2包含图2a至图2i，图2a至图2i示出了根据本公开的用于制造传感器封装件200的方法。例如，可以根据图2的方法来制造图1的传感器封装件100。所说明的方法步骤特别地可以在晶片级上执行。因此，所制造的传感器封装件200可以是晶片级封装。32.在图2a中可以提供半导体晶片42，该半导体晶片42可以具有多个mems传感器芯片2。mems传感器芯片2例如可以类似于图1的mems传感器芯片2。为了简单起见，在图2a中仅示出了半导体晶片42的一个mems传感器芯片2。然而，半导体晶片42例如可以具有数百个mems传感器芯片2。mems传感器芯片2可以在其上侧上具有一个或多个电端子44，这些电端子可以被设计为信号输入端和/或信号输出端。33.在半导体晶片42的上侧上方可以布置第一基板(或第一晶片)46，并且可以将该第一基板46与半导体晶片42或半导体晶片42的上主面机械连接。第一基板46可以由玻璃材料或半导体材料(特别是硅)中的至少一种材料制成。第一基板46和半导体晶片42可以例如通过阳极键合工艺彼此连接。第一基板46可以具有多个凹槽，这些凹槽可以类似于图1的凹槽26，但是为了简单起见在图2a中未示出。在连接两个部件之前，可以将凹槽与半导体晶片42的mems传感器芯片2的mems结构对准。例如，每个mems传感器芯片2可以具有膜，在该膜上方布置有凹槽(参见图1)。34.以类似的方式，可以在半导体晶片42的下侧上方布置第二基板(或第二晶片)48，并且可以将该第二基板48与半导体晶片42机械连接。第二基板48可以至少部分地类似于第一基板46。基板46和48的厚度可以例如对应于图1中的结构18的厚度d3和结构24的厚度d4。第二基板48可以具有气体开口，该气体开口可以类似于图1的气体开口20，但未明确示出。在连接这两个部件之前，可以将气体开口与半导体晶片42的mems传感器芯片2对准，如在图1中示例性示出的。35.图2b示出了处于彼此连接状态的半导体晶片42和基板46、48。部件可以形成堆叠，因此在下文中还可以称为晶片堆叠。在俯视图中，部件42、46和48中的每个部件以及所构成的晶片堆叠可以具有圆形形状。在其他示例中，部件42、46和48中的每个部件可以是平板，并且可以具有矩形形状。从图2b中可以看出，第一基板46可以被设计为使得mems传感器芯片2的电端子44可以被露出并且可以被接触。36.在图2c中，可以在第一基板46的上主面上方布置多个逻辑芯片14。在此，特别地可以在半导体晶片42的mems传感器芯片2中的每个mems传感器芯片上方放置逻辑芯片14。这些逻辑芯片14可以至少部分地类似于图1中的逻辑芯片14。在一个示例中，多个逻辑芯片14可以被单独提供，并且通过拾取和放置工艺(pick‑and‑place‑prozess)被布置在第一基板46上方。在另一示例中，多个逻辑芯片14可以以半导体晶片的形式被提供，该半导体晶片可以例如通过阳极键合工艺与第一晶片46连接。37.在图2d中，逻辑芯片14可以通过电连接元件16与半导体晶片42的mems传感器芯片2电耦连。在此，电连接元件16特别地可以与mems传感器芯片2的电端子44连接。在图2d的示例中，电连接元件16示例性地由导线示出。在其他示例中，电连接元件16可以不同地被设计，例如通过线夹或带。38.在图2e中，可以在半导体晶片42的上主面、第一基板46的上主面和逻辑芯片14的上主面上方执行模制工艺。通过这种方式，可以在这些部件上方构造盖部50。在此，盖部50可以覆盖晶片堆叠的整个表面，即，晶片堆叠的所有部件。模制工艺可以基于以下技术中的一种或多种技术：模压成型(compression molding)、注塑成型(injection molding)、粉末成型(powder molding)、注射工艺(liquid molding)等。39.在图2f中，可以在盖部50中构造多个贯通孔(或通孔)52。在图2f中示例性地示出了四个贯通孔52。在其他示例中，贯通孔52的数量可以不同地选择。贯通孔52可以例如通过以下至少一项来制造：钻孔、激光钻孔、蚀刻等。40.在图2g中，可以在贯通孔52中构造电过孔10。电过孔10可以从盖部50的上侧延伸到位于盖部50下方的逻辑芯片14或逻辑芯片14的端子，并且与其电接触。在一个示例中，可以通过将压配销压入贯通孔52中来在贯通孔52中制造电过孔10。在图7中示出并说明了可应用于此的示例性压配合方法。41.在图2h中，外围连接元件34可以被布置在电过孔10上方。外围连接元件34可以被设计为：将待从晶片堆叠制造的相应传感器封装件与电路板进行电和机械连接。在图2h的示例中，外围连接元件34例如可以被实现为用于随后待执行的焊接工艺的焊料沉积物。当所使用的压配销尚未镀覆焊料时，特别地可以进行外围连接元件34的布置。42.在图2i中，可以将具有部件42、46、48的晶片堆叠和盖部50分割成多个传感器封装件200。分割工艺例如可以包括蚀刻工艺、等离子体切割工艺、机械超声切割工艺、激光切割工艺或它们的组合。传感器封装件200可以至少部分地类似于图1的传感器封装件100。因此，在图2i中使用图1的附图标记。所制造的传感器封装件200中的每个传感器封装件可以具有外围连接元件34或电过孔10中的一个或多个，其可以被设计为将传感器封装件200与被布置在传感器封装件200的盖部8上方的电路板电连接。在图2i中示出了倒置的传感器封装件200(参见箭头)，其中可以看到气体开口20。气体开口20被构造在从第二基板48得到的结构18中。43.图2的方法可以具有为了简单起见而未示出的其他步骤。通过这样的其他步骤可以例如制造如图1所示的其他部件，例如重新布线层、侧壁涂层等。44.图3包含图3a至图3h，图3a至图3h示出了根据本公开的用于制造传感器封装件300的方法。图3的方法可以例如至少部分地类似于图2的方法。45.图3a和图3b所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图2a和图2b中的步骤。46.在图3c中，如结合图2c所说明的，可以在第一基板46的上主面上方布置多个逻辑芯片14。另外，逻辑芯片14可以在其上侧与电接触元件54电接触。在图3c的示例中，电接触元件54可以是金属柱(或销或引脚)，这些金属柱可以由金属和/或金属合金制成。金属柱54特别地可以由铜和/或铜合金制成。在图3c的示例中，金属柱54被构造为圆柱形。在其他示例中，金属柱54可以具有其他形状，例如长方体的形状。金属柱54可以被镀覆，例如镀覆有锡和/或nipdau。47.在一个示例中，可以首先将金属柱54布置在逻辑芯片14上，并且然后将逻辑芯片14布置在第一基板46上。在另一示例中，可以首先将逻辑芯片14布置在第一基板46上，并且然后将金属柱54布置在逻辑芯片14上。金属柱54可以单独地被提供，并且通过拾取和放置工艺被布置在逻辑芯片14上。备选地，金属柱54可以是引线框架(leadframe)的一部分。引线框架或金属柱54可以与逻辑芯片14的电接触部对准，并且通过焊接工艺和/或粘合工艺连接。48.图3d和图3e所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图2d和图2e中的步骤。49.从图3e中可以看出，金属柱54特别地可以完全被盖部50覆盖。在图3f中，可以从盖部50的上侧去除材料。通过这种方式，金属柱54可以至少部分地被露出。可以通过使用以下技术中的至少一种技术来去除材料：磨削、化学机械抛光、蚀刻等。在去除材料之后，盖部50的模塑料和金属支柱54可以共面地布置，即，位于共同的平面中。金属柱54可以从逻辑芯片14的电接触部延伸到盖部50的上侧，并且提供对否则被嵌入在模塑料中的逻辑芯片14的电通路。图3f中穿过盖部50延伸的金属柱54可以例如类似于图1和图2g中的电过孔10，或者被视为与之相同。50.图3g和图3h所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图2g和图2h中的步骤。51.图4包含图4a至图4f，图4a至图4f示出了根据本公开的用于制造传感器封装件400的方法。图4中的方法可以例如至少部分地类似于图2和图3的方法中的一种方法。52.图4a至图4c所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图2a至图2c中的步骤。53.在图4d中，逻辑芯片14可以通过电连接元件16与半导体晶片42的mems传感器芯片电耦连，如例如结合图2d所说明的。此外，逻辑芯片14可以在其上侧与电接触元件54电接触，类似于已经结合图3c所说明的。不同于图3c，在图4d的示例中，电接触元件54可以是线夹，这些线夹可以由金属和/或金属合金制成。线夹54特别地可以由铜和/或铜合金制成。54.线夹54可以被提供为引线框架(leadframe)的一部分。引线框架的制造可以包括多个方法步骤，例如蚀刻工艺或3d打印工艺。在一个示例中，引线框架可以是电镀的引线框架(ppf，预电镀的引线框架)。引线框架或线夹54可以与逻辑芯片14的电接触部对准，并且通过焊接工艺和/或粘合工艺连接。在线夹54和逻辑芯片14的电接触部之间的连接可以例如通过焊接、粘合或钎焊中的一种或多种来进行。在一个示例中，引线框架可以覆盖晶片堆叠的整个主表面。在另外的示例中，晶片堆叠的主表面可以被多个引线框架条覆盖。在图4d的示例中，线夹54可以具有大致呈直角的走向，其具有水平延伸的区段54a和竖直延伸的区段54b。此外，在图4d中示出了连接区段56，这些连接区段56表示所示出的线夹54与其他线夹的连接，其他线夹被布置在相邻的逻辑芯片14上方并且同样是引线框架的一部分。55.图4e和图4f中所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图3e、图3f和图3h中的步骤。在图4e中，可以在半导体晶片42的上主面、第一基板46的上主面和逻辑芯片14的上主面上方执行模制工艺，其中盖部被构造。然后，可以从盖部的上侧去除材料，从而至少部分地露出线夹54。晶片堆叠和盖部可以被分割成多个传感器封装件400。从图4e中可以看出，引线框架的连接区段56不再必须被包含在制造完成的传感器封装件400中。图4f示出了图4e所示的传感器封装件400的仰视图。56.图5包含图5a至图5g，图5a至图5g示出了根据本公开的用于制造传感器封装件500的方法。图5中的方法可以例如至少部分地类似于图4中的方法。57.图5a至图5c所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图4a至图4c中的步骤。58.图5d中所示的步骤可以至少部分地类似于或对应于图4d中的步骤。不同于图4d，在图5d的示例中，电接触元件54可以是导线(或键合线)。在一些示例中，键合线可以具有大的厚度，使得键合线也可以被视为线夹。在图5d的示例中，键合线54可以被构造为基本上呈s形。在其他示例中，可以选择键合线54的其他形状。键合线54可以单独地或组合地(例如，以引线框架的形式)被提供。59.在图5e至图5g中示出了如基本上已经在先前附图中所说明的步骤。在图5e中，可以在晶片堆叠和逻辑芯片14上方执行模制工艺，其中盖部50被构造。然后，可以从盖部50的上侧去除材料，从而至少部分地露出键合线(或线夹)54。在附加的步骤(未示出)中，可以在键合线54的被露出的表面上布置可焊接材料，例如借助于镀覆或通过布置焊料沉积物。晶片堆叠和盖部50可以被分割成多个传感器封装件500。从图5f中可以看出，可以在传感器封装件500的上侧和一个或多个侧面露出键合线54。在侧面露出的键合线54可以简化待执行的lti(引线尖端检查(lead tip inspection))方法。图5g示出了图5f所示的传感器封装件500的仰视图。60.图6a或图6b示出了根据本公开的传感器封装件600的侧视图或俯视图。传感器封装件600可以例如至少部分地类似于图1中的传感器封装件100。为了简单起见，在图6中未示出传感器封装件600的所有可能的部件。传感器封装件600可以例如通过图1中的传感器封装件100的一个或多个部件来扩展。61.传感器封装件600可以包括压力传感器58，该压力传感器58可以被设计为检测绝对压力和/或相对压力。此外，传感器封装件600可以包括加速度传感器，该加速度传感器可以被设计用于检测加速度。在图6b的俯视图中示出了相对应的传感器单元。这两个传感器单元中的每个传感器单元都可以具有所需的传感器腔和/或传感器开口。在图6a的侧视图中示例性地示出了压力传感器的腔26和气体开口20。传感器封装件600可以具有一个或多个电端子44。62.传感器封装件600在x方向上的尺寸l可以在约2000微米至约2400微米的范围内。尺寸l的典型示例值可以是约2200微米。传感器封装件600在y方向上的尺寸b可以在约2200微米至约2600微米的范围内。尺寸b的典型示例值可以是约2400微米。关于传感器封装件600的部件在z方向上的尺寸可以参考图1。63.图7以侧视图示出了压配合方法的步骤，其例如可以用于图2的方法中(特别地参见图2g)。压配销62可以被压入盖部50的贯通孔52中(参见竖直箭头)。压配销62可以在其中心区域具有弹簧特性，这可以提供压配销62在贯通孔52中的固定定位(参见水平箭头)。在压配销62的下部区段和逻辑芯片14(未示出)的电接触部之间的连接可以例如通过导电粘合剂或焊接材料来提供。压配销62可以被镀覆，例如镀覆有锡和/或nipdau。从盖部50的上主面突出的压配销区段可以被设计为与电路板(未示出)连接。为了简单起见，在图7中仅示出了一个压配销62。可以以引线框架的形式提供多个压配销62，其中压配销62在引线框架中的布置可以匹配于多个贯通孔52的几何形状。64.示例65.在下文中将通过示例说明传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。66.示例1是一种传感器封装件，该传感器封装件包括：mems传感器芯片；被布置在mems传感器芯片的第一主面上方的盖部，该盖部由模塑料制成；以及延伸穿过盖部的电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在盖部上方的电路板电耦连。67.示例2是根据示例1的传感器封装件，其中在mems传感器芯片的第一主面的俯视图中，盖部和mems传感器芯片是基本上重叠的。68.示例3是根据示例1或2的传感器封装件，该传感器封装件还包括：被布置在mems传感器芯片和盖部之间的逻辑芯片，该逻辑芯片被设计为对由mems传感器芯片提供的测量信号进行逻辑处理，其中电过孔被设计为将逻辑芯片与电路板电耦连。69.示例4是根据前述示例中任一项的传感器封装件，该传感器封装件还包括：气体开口，该气体开口被布置在mems传感器芯片的、与第一主面对置的第二主面上方。70.示例5是根据示例4的传感器封装件，该传感器封装件还包括：被布置在mems传感器芯片的第二主面上方的第一结构，该第一结构由玻璃材料或半导体材料中的至少一种材料制成，其中气体开口被构造在第一结构中。71.示例6是根据前述示例中任一项的传感器封装件，该传感器封装件还包括：被布置在mems传感器芯片的第一主面上方的第二结构，该第二结构由玻璃材料或半导体材料中的至少一种材料制成；以及被构造在第二结构中的腔，该腔被布置在mems传感器芯片的mems结构上方。72.示例7是根据前述示例中任一项的传感器封装件，其中电过孔包括电通孔连接。73.示例8是根据前述示例中任一项的传感器封装件，其中电过孔包括以下至少一项：压配销、金属柱、线夹或键合线。74.示例9是根据前述示例中任一项的传感器封装件，其中电过孔被设计为将传感器封装件与电路板机械耦连。75.示例10是根据示例1至8中任一项的传感器封装件，该传感器封装件还包括：被布置在盖部上方的外围连接元件，该外围连接元件与电过孔电耦连，其中外围连接元件被设计为将传感器封装件与电路板进行电和机械耦连。76.示例11是根据示例10的传感器封装件，该传感器封装件还包括：被布置在盖部和外围连接元件之间的重新布线层，该重新布线层将电过孔和外围连接元件电耦连。77.示例12是根据示例11的传感器封装件，其中重新布线层包括至少一个导体迹线，其中至少一个导体迹线被设计为提供电子部件。78.示例13是根据前述示例中任一项的传感器封装件，其中mems传感器芯片被设计用于检测压力信号。79.示例14是一种用于制造传感器封装件的方法，其中该方法包括：提供具有多个mems传感器芯片的第一半导体晶片；在第一半导体晶片的第一主面上方执行模制工艺，其中盖部被构造在多个mems传感器芯片上方；构造穿过盖部延伸的电过孔；以及将第一半导体晶片和盖部分割成多个传感器封装件，其中传感器封装件中的每个传感器封装件都包括电过孔中的一个电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在传感器封装件的盖部上方的电路板电耦连。80.示例15是根据示例14的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之前，通过拾取和放置工艺在第一半导体晶片的第一主面上方布置多个逻辑芯片；以及将逻辑芯片与mems传感器芯片电耦连。81.示例16是根据示例14的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之前，在第一半导体晶片的第一主面上方布置具有多个逻辑芯片的第二半导体晶片；以及将逻辑芯片与mems传感器芯片电耦连。82.示例17是根据示例15或16的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之后，在盖部中构造多个贯通孔；以及在贯通孔中构造电过孔，其中电过孔与逻辑芯片电接触。83.示例18是根据示例17的方法，其中在贯通孔中构造电过孔包括将压配销压入贯通孔中。84.示例19是根据示例15或16的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之前，使逻辑芯片与电接触元件电接触，其中电接触元件包括以下至少一项：金属柱、线夹或键合线；以及在执行模制工艺之后，从盖部的背离第一半导体晶片的主面至少部分地去除盖部的材料，其中通过去除材料来至少部分地露出电接触元件。85.示例20是根据示例19的方法，其中使逻辑芯片与电接触元件电接触包括：在逻辑芯片上方布置引线框架，其中引线框架包括电接触元件。86.示例21是根据示例14至20中任一项所述的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之前，将第一基板与第一半导体晶片的第一主面连接，其中该第一基板由玻璃材料或半导体材料中的至少一种材料制成，其中第一基板包括多个凹槽，这些凹槽在连接之前与mems传感器芯片的mems结构对准。87.示例22是根据示例14至21中任一项所述的方法，该方法还包括：在执行模制工艺之前，将第二基板与第一半导体晶片的与第一主面对置的第二主面连接，其中第二基板由玻璃材料或半导体材料中的至少一种材料制成，其中第二基板包括多个气体开口，这些气体开口在连接之前与mems传感器芯片对准。88.尽管在此示出并说明了具体实施方式，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开范围的情况下，多个备选的和/或等同的实现方式可以代替所示出和说明的具体实施方式。本技术旨在覆盖在此说明的具体实施方式的所有改编或变型。因此，意图在于本公开仅由权利要求及其等同物限制。