一种传感器封装的制作方法

本技术涉及mems传感器，尤其涉及一种传感器封装。

背景技术：

1、mems传感器通常包括基板及设在基板上的外壳，外壳和基板之间形成容纳腔，容纳腔内设置mems芯片和电学芯片，mems芯片和电学芯片被外壳和基板封装。通常mems芯片和电学芯片并排设置基板上，这要求基板必须具备足够的尺寸，以使mems芯片和电学芯片正常工作。但是，这就传感器的整体体积不能够用于体积较小的智能设备中，导致使用场所受限。

2、针对上述技术问题，本领域技术人员急需设计一款传感器封装，以减小传感器的体积，扩展其应用场所。

技术实现思路

1、针对上述不足，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种传感器封装，mems芯片与asic芯片堆叠封装，从而减少了整体的体积，扩展了应用场所。

2、为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

3、一种传感器封装，包括基板及设在所述基板上的封装外壳，所述基板和所述封装外壳之间围成容纳腔，所述容纳腔内收容有电连接的mems芯片和电学芯片，所述电学芯片与所述基板电连接，所述基板的表面设有凸台；所述电学芯片设在所述基板的表面，所述mems芯片堆叠在所述凸台和所述电学芯片的上面。

4、优选方式为，所述基板上设置有声孔，所述mems芯片的背腔与所述声孔连通。

5、优选方式为，所述凸台和所述电学芯片分设在所述声孔的两侧。

6、优选方式为，所述凸台的高度与所述电学芯片的高度相同。

7、优选方式为，所述凸台与所述基板一体结构设置。

8、优选方式为，所述电学芯片和所述基板之间设有第一导电胶层，所述第一导电胶层导通所述电学芯片和所述基板。

9、优选方式为，所述电学芯片和所述mems芯片之间设有第二导电胶层，所述第二导电胶层导通所述电学芯片和所述mems芯片。

10、优选方式为，所述mems芯片通过第三导电胶层设在所述凸台的上面。

11、优选方式为，所述mems芯片通过胶层设在所述凸台的上面。

12、采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：

13、由于本实用新型的传感器封装，包括基板及设在基板上的封装外壳，基板和封装外壳之间围成容纳腔，容纳腔内收容有电连接的mems芯片和电学芯片，电学芯片与基板电连接，基板的表面设有凸台；电学芯片设在基板的表面，mems芯片堆叠在凸台和电学芯片的上面，减小了基板的宽度，从而减小了传感器的整体宽度，相比现有技术，传感器减小了体积，使其具有更宽的应用领域，且结构简单，易实现。

14、由于凸台的高度与电学芯片的高度相同，使mems芯片平衡放置，保证了性能。

15、由于凸台与基板一体结构设置，方便了加工，提高了结构强度。

16、综上，本实用新型解决了现有技术中传感器封装时mems芯片和电学芯片并排设置，导致整体尺寸偏大使用场所受限等技术问题；本实用新型将传感器芯片和电学芯片堆叠放置，并通过导电胶粘剂实现电连接，使传感器既减小了外形体积，又保证了工作性能。

技术特征：

1.一种传感器封装，包括基板及设在所述基板上的封装外壳，所述基板和所述封装外壳之间围成容纳腔，所述容纳腔内收容有电连接的mems芯片和电学芯片，所述电学芯片与所述基板电连接，其特征在于，所述基板的表面设有凸台；

2.根据权利要求1所述的传感器封装，其特征在于，所述基板上设置有声孔，所述mems芯片的背腔与所述声孔连通。

3.根据权利要求2所述的传感器封装，其特征在于，所述凸台和所述电学芯片分设在所述声孔的两侧。

4.根据权利要求3所述的传感器封装，其特征在于，所述凸台的高度与所述电学芯片的高度相同。

5.根据权利要求1所述的传感器封装，其特征在于，所述凸台与所述基板一体结构设置。

6.根据权利要求1至5任一项所述的传感器封装，其特征在于，所述电学芯片和所述基板之间设有第一导电胶层，所述第一导电胶层导通所述电学芯片和所述基板。

7.根据权利要求6所述的传感器封装，其特征在于，所述电学芯片和所述mems芯片之间设有第二导电胶层，所述第二导电胶层导通所述电学芯片和所述mems芯片。

8.根据权利要求1所述的传感器封装，其特征在于，所述mems芯片通过第三导电胶层设在所述凸台的上面。

9.根据权利要求1所述的传感器封装，其特征在于，所述mems芯片通过胶层设在所述凸台的上面。

技术总结本技术涉及封装技术领域，公开了一种传感器封装，包括基板及设在基板上的封装外壳，基板和封装外壳之间围成容纳腔，容纳腔内收容有电连接的MEMS芯片和电学芯片，电学芯片与基板电连接，基板的表面设有凸台；电学芯片设在基板的表面，MEMS芯片堆叠在凸台和电学芯片的上面，减小了基板的宽度，从而减小了传感器的整体宽度，相比现有技术，传感器减小了体积，使其具有更宽的应用领域，且结构简单，易实现。技术研发人员：房超,于永革,孟凡亮受保护的技术使用者：荣成歌尔微电子有限公司技术研发日：20221227技术公布日：2024/1/12