驱动元件的制作方法

本发明涉及配置有压电体层的驱动元件。

背景技术：

1、近年来，使用配置有压电体层的驱动元件来开发各种装置。在以下的专利文献1中记载了一种惯性力传感器，其具备基体、形成于基体的上表面的下部电极层、形成于下部电极层的上表面的压电层、形成于压电层的上表面的电容降低层、以及形成于电容降低层的上表面的上部电极层。电容降低层由聚酰亚胺构成。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利5903667号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在上述那样的传感器中，在制造上，在用于布线的区域也延伸形成有下部电极层、压电层和上部电极层。在上述专利文献1中，为了抑制该区域中的噪声、无用振动而配置有电容降低层。然而，在将包含聚酰亚胺的电容降低层层叠于压电层的上表面的上述的层叠结构中，可能引起电容降低层从压电层的上表面剥离。

3、鉴于这样的课题，本发明的目的在于提供一种能够提高低介电层与压电体层的密合性的驱动元件。

4、用于解决课题的手段

5、本发明的主要方式的驱动元件具备固定部、在上述固定部的侧方排列并与上述固定部连结的驱动部、以及由上述驱动部驱动的可动部。在上述固定部和上述驱动部的上表面区域依次形成有下部电极、压电体层和上部电极，并且，在上述上表面区域中的上述固定部侧的布线区域中，在上述压电体层的上表面形成有包含形成上述压电体层的至少1种元素的低介电层。

6、根据本方式的驱动元件，由于在布线区域的压电体层的上表面形成有低介电层，所以在布线区域中因低介电层而产生电压下降，能够降低施加于位于布线区域的压电体层的电压。由此，在布线区域中不需要的位移、应力受到抑制，因此能够避免驱动元件(布线区域)的破损从而提高可靠性。另外，由于低介电层包含形成压电体层的至少1种元素，所以低介电层与压电体层容易发生界面混合，能够提高低介电层与压电体层的密合性。由此，能够抑制低介电层从压电体层的上表面剥离，因此能够提高驱动元件的可靠性。

7、发明效果

8、如上所述，根据本发明，能够提供一种能够提高低介电层与压电体层的密合性的驱动元件。

9、本发明的效果或意义通过以下所示的实施方式的说明而变得更加明确。但是，以下所示的实施方式只不过是实施本发明时的一个例示，本发明不受以下的实施方式所记载的内容任何限制。

技术特征：

1.一种驱动元件，其特征在于，其具备：

2.根据权利要求1所述的驱动元件，其特征在于，所述低介电层通过使设置在所述压电体层上的金属层与所述压电体层进行热反应而形成。

3.根据权利要求1所述的驱动元件，其特征在于，所述低介电层通过对所述压电体层的离子注入和热处理而形成。

4.根据权利要求3所述的驱动元件，其特征在于，所述注入的离子包含钛、锆、铌、锌、镁中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述压电体层包含pbzro3、pbtio3、pb(zr，ti)o3、pb(mg1/3，nb2/3)o3和pb(zn1/3，nb2/3)o3中的至少1种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的驱动元件，其特征在于，在所述低介电层中，随着接近所述压电体层而包含较多的所述压电体层的成分或结构。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的驱动元件，其特征在于，在所述布线区域的所述低介电层的上表面和所述驱动部侧的驱动区域的所述压电体层的上表面配置有上部电极密合层。

8.根据权利要求7所述的驱动元件，其特征在于，所述低介电层中所含的金属与所述上部电极密合层相比，氧化物的标准反应吉布斯能小。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述布线区域中的所述低介电层的上表面与所述驱动部侧的驱动区域中的所述压电体层的上表面成为大致相同的高度。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述低介电层进行了多层化。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述驱动部为音叉形状。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述驱动部为蜿蜒形状。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的驱动元件，其特征在于，所述上表面区域中的所述驱动部侧的区域被划分为用于驱动的驱动区域和用于检测该驱动区域的位移的检测区域，

14.根据权利要求1～13中任一项所述的驱动元件，其特征在于，在所述可动部配置有反射镜。

技术总结驱动元件(1)具备固定部、在固定部的侧方排列并与固定部连结的驱动部、以及由驱动部驱动的可动部。在固定部和驱动部的上表面区域依次形成有下部电极(111)、压电体层(112)和上部电极(114)，此外，在上表面区域中的固定部侧的布线区域(A1)中，在压电体层(112)的上表面形成有包含形成压电体层(112)的至少1种元素的低介电层(115)。技术研发人员：冈本庄司,高山了一,片山琢磨受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/16