一种MEMS器件固定结构和电子设备的制作方法

本申请涉及mems安装，尤其涉及mems器件固定结构和电子设备。

背景技术：

1、现有技术中mems器件往往直接焊接在硬质pcb上(例如公开号为cn109387225b的专利文件中描述的方案)，当mems器件的底部(焊接面)受到力学影响时，mems器件的输出会出现偏移。

2、如何抑制mems器件输出出现的偏移，是本申请要解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种mems器件固定结构和电子设备，以解决现有技术中抑制mems器件输出出现的偏移的技术问题。

2、mems器件输出出现的偏移的原因是：mems器件芯片管壳与pcb的cte(coefficientof thermal expansion，热膨胀系数)不匹配，温度变化时，mems器件的底部焊接面受到较大力学影响，导致mems器件的输出出现偏移。

3、本申请实施例采取了如下技术方案。

4、第一方面，本申请实施例提供一种mems器件固定结构，包括mems器件、焊接材料和第一介质；

5、所述mems器件的焊接面通过焊接材料焊接在柔性pcb上；

6、所述mems器件的非焊接面通过第一介质固定在基体上。

7、可选地，所述mems器件固定结构还包括介质材料和第二介质；

8、mems器件的非焊接面先通过第一介质固定在介质材料上，再由所述介质材料通过第二介质固定在所述基体上。

9、可选地，所述介质材料为多层；多层介质材料之间通过粘接、焊接或以粘接、焊接任意组合相连；

10、mems器件的非焊接面通过第一介质固定在所述多层介质材料上；再由所述多层介质材料通过第二介质固定在所述基体上。

11、可选地，所述多层介质材料为不同种材料构成。

12、可选地，所述介质材料包括金属、陶瓷或塑料。

13、可选地，所述第一介质和所述第二介质的材料选自以下材料：

14、粘接胶水，金属基质的焊料，或合金成分的焊料。

15、可选地，所述介质材料为平板状。

16、可选地，所述柔性pcb表面包括铜箔或铜箔加镀层，所述铜箔或铜箔加镀层通过所述焊接材料与所述mems器件的焊接面连接。

17、可选地，所述柔性pcb连接所述mems器件的焊接面的背面设置有补强材料。

18、第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括第一方面的mems器件固定结构。

19、可选地，所述mems器件固定结构所固定的基体为结构外壳或被测量对象。所述结构外壳可以是电子设备的外壳或被测量对象的外壳。

20、可选地，所述电子设备为imu(惯性测量单元)。

21、相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：

22、本申请实施例提供的mems器件固定结构中，mems器件的焊接面焊接到了柔性pcb上，柔性pcb在完成电气连接的同时能够很好地适应温度变化带来的变形，柔性pcb对mems器件的焊接面产生的应力远小于硬质pcb产生的应力，减少了mems器件的底部焊接面受到的力学影响，抑制了mems器件输出出现的偏移。

技术特征：

1.一种mems器件固定结构，其特征在于，包括mems器件(4)、焊接材料(5)和第一介质(3)；

2.如权利要求1所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述mems器件固定结构还包括介质材料(2)和第二介质(7)；

3.如权利要求2所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述介质材料(2)为多层；多层所述介质材料(2)之间通过粘接、焊接或以粘接、焊接任意组合相连；

4.如权利要求2或3所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述介质材料(2)包括金属、陶瓷或塑料。

5.如权利要求2所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述第一介质(3)和所述第二介质(7)的材料选自以下材料：

6.如权利要求1所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述柔性pcb(6)表面包括铜箔或铜箔加镀层，所述铜箔或铜箔加镀层通过所述焊接材料(5)与所述mems器件(4)的焊接面连接。

7.如权利要求1所述的mems器件固定结构，其特征在于，所述柔性pcb(6)连接所述mems器件(4)的焊接面的背面设置有补强材料。

8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～7中任一项所述的mems器件固定结构。

9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述mems器件固定结构所固定的基体为结构外壳或被测量对象。

10.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为imu。

技术总结本申请提出了一种MEMS器件固定结构和电子设备，涉及MEMS安装技术领域。本申请实施例提供的MEMS器件固定结构中，MEMS器件采用倒装固定的方式，MEMS器件(4)的非焊接面通过第一介质(3)固定在基体(1)上，MEMS器件的焊接面焊接到了柔性PCB(6)上，柔性PCB在完成电气连接的同时能够很好地适应温度变化带来的变形，柔性PCB对MEMS器件的焊接面产生的应力远小于硬质PCB产生的应力，减少了MEMS器件的底部焊接面受到的力学影响，抑制了MEMS器件输出出现的偏移。技术研发人员：王坤,李楠,孙友明,杨潇,韩贯聪受保护的技术使用者：广州导远电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15