一种MEMS产品的切割方法与流程

本发明涉及mems制造领域，尤其涉及一种mems产品的切割方法。

背景技术：

1、传统的半导体封装，包括有框架类封装(sop/dfn/qfn/tssop/lqfp等)，fc封装等，不同于传统封装系列，mems封装都是在pcb板上完成的。可参考的工艺比较少，始终存在碎屑和残胶的问题。

2、mems产品通常分类为前进音、背进音、侧进音三种类别，其中背进音产品切割工序备料一直采用高温膜+蓝膜的传统作业方式，其工艺流程如图1所示，具体包括：

3、画不良：依据封装前段工序aoi全检不良标识单完成切割备料前的画不良，减少测试报警频次；

4、贴高温膜：标记不良品后，用高温膜在pcb背面完成贴膜，防止水切过程产品背音孔脏污，影响感度，造成报废；

5、贴蓝膜：将贴高温膜的pcb板，贴在蓝膜上，完成贴割前准备；

6、切割：将待切割产品放置在切割平台(已完成磨刀动作)，调整切割参数，完成切割；

7、剔除不良：切割完毕后，用蓝膜完成倒膜并剔除不良品(用镊子拾取不良品，单独放置管控)；

8、清洁：特制材质的清洁棒，对切割过程中因为水啧或者胶层造成的背音控脏污进行清洁处理；

9、全检：在低倍镜检确认，是否清洁干净，产品品质是否满足品质要求；若确认ok,则进行烘烤后移交下一道工序进行测试。

10、在上述工艺流程中，切割后产品底部外观存在脏污、碎屑问题，大部分产品都需进行清洁，在清洁过程增加异物进入音孔风险，增大产品报废风险，客户抱怨度大。并且，需花大量人力清洁，导致人工成本高且生产效率低。

技术实现思路

1、本发明的目的是针对现有技术的mems产品切割工序中存在残胶及碎屑的技术问题，提供一种可以降低残胶及碎屑的mems产品切割方法。

2、本发明实施例中，提供了一种mems产品的切割方法，其包括依序进行的画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，

3、在所述贴膜步骤中，采用uv膜贴附在pcb背面；

4、在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，将所述pcb板切割为多个mems产品。

5、本发明实施例中，所述uv膜的型号采用e288h。

6、本发明实施例中，所述uv膜的基材厚度为145um，胶层厚度为15um。

7、本发明实施例中，所述金属刀采用颗粒度大于或等于1000的金属刀。

8、本发明实施例中，在所述画不良步骤中，根据封装前段工序中的检查结果在待切割的pcb板上标记出不良的mems产品。

9、本发明实施例中，在剔除不良步骤中，将标记出的不良的mems产品剔除。

10、本发明实施例中，所述的mems产品切割方法，还包括：

11、抽检步骤：对剔除不良后的剩余mems产品进行抽检。

12、与现有技术相比较，采用本发明的mems产品切割方法，在所述贴膜步骤中，采用uv膜贴附在pcb背面，由于uv膜具有更厚的胶层，对mems框架表面不平具有很好的包覆性和粘着力，防止切割时切割水渗透到mems中，同时uv膜解uv后粘着力很低，膜剥离时对框架表面的撕扯力很低，不会产生残胶；在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，与传统的树脂刀相比，金属刀具备更强的切削能力，配合切割设备的高转速，高精度，高速度的条件下，比树脂刀的稳定性更好，切割后不会产生残胶和碎屑，可使得切割后的mems产品的品质效果达到最佳；切割后的产品只需要进行抽检即可，无需全检，降低人力成本，提升了效率。

技术特征：

1.一种mems产品的切割方法，其特征在于，包括依序进行的画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，

2.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述uv膜的型号采用e288h。

3.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述uv膜的基材厚度为145um，胶层厚度为15um。

4.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述金属刀采用颗粒度大于或等于1000的金属刀。

5.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，在所述画不良步骤中，根据封装前段工序中的检查结果在待切割的pcb板上标记出不良的mems产品。

6.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，在剔除不良步骤中，将标记出的不良的mems产品剔除。

7.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，在所述剔除不良步骤之后，还包括：

技术总结本发明提供了一种MEMS产品的切割方法，其包括：画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，在所述贴膜步骤中，采用UV膜贴附在PCB背面，在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，将所述PCB板切割为多个MEMS产品。采用本发明的MEMS产品切割方法，可以减少在切割工序产生的残胶及碎屑。技术研发人员：陈盛荣,张芳琼,李凤珍,王金刚,刘欣,苏汉有,张怡受保护的技术使用者：广东气派科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17