一种疏水超细微米柱阵列及芯片

本技术属于微纳米制造，具体涉及一种疏水超细微米柱阵列及芯片。

背景技术：

1、当芯片等微型电子器件应用于湿度较高的环境中时，液滴会对芯片进行浸润和包覆，使芯片等微型电子器件受潮，容易发生短路等现象，造成芯片的使用寿命降低，影响芯片的正常使用。

2、为了解决上述问题，人们进行了大量的研究。比如实用新型专利cn216409581u展示了一种防止芯片受潮的放置架，实用新型专利cn218677119也展示了一种避免芯片受潮的保护圈。这些措施虽然在一定程度上起到了防潮的作用，但是芯片一旦和放置架或保护圈进行了搭配，其在微型精密设备内部的使用就会大大受到限制。

3、因此，需要提供一种针对上述现有技术不足的改进技术方案。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种疏水超细微米柱阵列及芯片，以有助于解决或改善芯片等微型电子器件在湿度较高的环境下容易发生短路的问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种疏水超细微米柱阵列，包括基层和设置在所述基层上的微米柱，所述微米柱设有多个，多个所述微米柱在所述基层上有序排布形成阵列；所述微米柱表面还具有纳米级的乳突结构。

3、优选地，所述微米柱为实心微米柱。

4、优选地，所述微米柱的材质为金属或高分子。

5、优选地，所述金属为金、银或铜；所述高分子为水凝胶或聚二甲基硅氧烷。

6、优选地，所述微米柱的形状为圆柱状、圆台状或圆锥状；所述微米柱的底面位于所述基层内，所述微米柱的底面呈圆形，所述微米柱的底面直径为10-15μm，所述微米柱的底面直径与所述微米柱的高度的比值为8-10，相邻所述微米柱之间的间距为所述微米柱的底面直径的1-4倍。

7、优选地，所述微米柱的形成为棱柱状；所述微米柱的底面位于所述基层内，所述微米柱的底面呈多边形，所述微米柱的底面边长为10-15μm，所述微米柱的底面边长与所述微米柱的高度的比值为8-10，相邻所述微米柱之间的间距为所述微米柱的底面边长的1-4倍。

8、优选地，所述棱柱状为五棱柱状或七棱柱状。

9、本实用新型还提供了一种芯片，其采用下述技术方案：一种芯片，包括芯片本体和设置在所述芯片本体表面的如上所述的疏水超细微米柱阵列。

10、有益效果：

11、本实用新型的疏水超细微米柱阵列，具有良好的疏水特性，可贴合于各种尺寸器件外表面，并且占用体积较小。

12、本实用新型的芯片以有助于解决或改善在湿度较高的环境下使用容易发生短路的问题。

技术特征：

1.一种疏水超细微米柱阵列，其特征在于，包括基层和设置在所述基层上的微米柱，所述微米柱设有多个，多个所述微米柱在所述基层上有序排布形成阵列；

2.如权利要求1所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述微米柱为实心微米柱。

3.如权利要求1所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述微米柱的材质为金属或高分子。

4.如权利要求3所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述金属为金、银或铜；

5.如权利要求1-4任一项所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述微米柱的形状为圆柱状、圆台状或圆锥状；

6.如权利要求1所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述微米柱的形成为棱柱状；

7.如权利要求6所述的疏水超细微米柱阵列，其特征在于，所述棱柱状为五棱柱状或七棱柱状。

8.一种芯片，其特征在于，包括芯片本体和设置在所述芯片本体表面的如权利要求1-7任一项所述的疏水超细微米柱阵列。

技术总结本技术属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种疏水超细微米柱阵列及芯片。本技术的疏水超细微米柱阵列，包括基层和设置在所述基层上的微米柱，所述微米柱设有多个，多个所述微米柱在所述基层上有序排布形成阵列；所述微米柱表面还具有纳米级的乳突结构。本技术的疏水超细微米柱阵列，具有良好的疏水特性，可贴合于各种尺寸器件外表面，并且占用体积较小。技术研发人员：赵强,职啸林,李孝伟,冯晓飞,阴伟锋,邢倩,袁宇翔,王硕,田玺受保护的技术使用者：河南工学院技术研发日：20230906技术公布日：2024/4/7