MEMS微振镜的导线结构及制备方法、MEMS微振镜与流程

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种mems微振镜的导线结构及制备方法、mems微振镜。

背景技术：

1、微机电系统(mems，micro-electro-mechanical system)微振镜是通过控制微小的镜面平动和扭转往复运动，将激光管反射到不同的角度完成扫描，激光发生器本身固定不动。微振镜目前主要应用在激光雷达，机器人，无人机，投影仪等系统中。

2、作为系统中的核心部件，微振镜的电导线会长期经历各种极端环境，其与基底的粘附性和电学性能是微振镜稳定性和寿命的保证。现有技术中常通过在导线与基底之间设置一层黏附层以将导线黏附在基底上，提高微振镜的稳定性。但是现有的黏附层的材料容易扩散到导线中，当黏附层与导线材料之间完全相互扩散后，会导致导线的粘附性大幅下降，进而产生导线的脱落，使得微振镜失效。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种mems微振镜的导线结构及制备方法、mems微振镜，可以减缓黏附层的扩散，保证导线的黏附效果，提高微振镜系统中导线的电学稳定性和使用寿命。

2、第一方面，提供了一种mems微振镜的导线结构，包括导线、以及设置在所述导线的至少一个表面上的黏附层，所述导线结构还包括设置在所述黏附层和所述导线之间的隔离层，所述隔离层与所述黏附层之间的扩散速率小于所述黏附层与所述导线之间的扩散速率。

3、可选的，所述隔离层和所述导线之间的扩散速率小于所述黏附层和所述导线之间的扩散速率。

4、可选的，所述导线为金，银，铂，铜或铝导线，所述黏附层为钛层或铬层，所述隔离层为铂或镍层。

5、可选的，所述导线为金，银，铂，铜或铝导线，所述黏附层为钛层或铬层，所述隔离层为氮化钛层。

6、可选的，所述隔离层的厚度与所述导线的设计使用寿命呈正相关。

7、可选的，所述隔离层的厚度为1～200nm。

8、可选的，所述隔离层的厚度小于所述导线的厚度。

9、第二方面，提供了一种mems微振镜，包括如第一方面所述的导线结构。

10、第三方面，提供了一种mems微振镜的导线结构的制备方法，用于制备如第一方面所述的导线结构，该制备方法包括：

11、提供一导线；

12、在所述导线的至少一面上形成隔离层；

13、在所述隔离层的远离所述导线的一面形成黏附层；

14、其中，所述隔离层与所述黏附层之间的扩散速率小于所述黏附层与所述导线之间的扩散速率。

15、第四方面，提供了一种mems微振镜的导线结构的制备方法，用于制备如第一方面所述的导线结构，该制备方法包括：

16、提供一基底；

17、在基底上形成黏附层；

18、在所述黏附层的远离所述基底的一面上形成隔离层；

19、在所述隔离层的远离所述基底的一面上形成导线；

20、其中，所述隔离层与所述黏附层之间的扩散速率小于所述黏附层与所述导线之间的扩散速率。

21、本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

22、本发明实施例提供的一种mems微振镜的导线结构及制备方法、mems微振镜，通过在黏附层和导线之间设置隔离层，由于隔离层和黏附层之间的扩散速率小于黏附层和导线之间的扩散速率，因此，隔离层可以起到一定的隔离扩散的作用，减缓黏附层的扩散，从而可以一定程度上保证黏附层的黏附效果，进而可以保证导线的黏附效果，提高微振镜系统中导线的电学稳定性和使用寿命。

23、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

技术特征：

1.一种mems微振镜的导线结构，包括导线、以及设置在所述导线的至少一个表面上的黏附层，其特征在于，所述导线结构还包括设置在所述黏附层和所述导线之间的隔离层，所述隔离层与所述黏附层之间的扩散速率小于所述黏附层与所述导线之间的扩散速率。

2.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述隔离层和所述导线之间的扩散速率小于所述黏附层和所述导线之间的扩散速率。

3.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述导线为金，银，铂，铜或铝导线，所述黏附层为钛层或铬层，所述隔离层为铂或镍层。

4.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述导线为金，银，铂，铜或铝导线，所述黏附层为钛层或铬层，所述隔离层为氮化钛层。

5.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述隔离层的厚度与所述导线的设计使用寿命呈正相关。

6.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述隔离层的厚度为1～200nm。

7.根据权利要求6所述的导线结构，其特征在于，所述隔离层的厚度小于所述导线的厚度。

8.一种mems微振镜，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的导线结构。

9.一种mems微振镜的导线结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至7任一项所述的导线结构，该制备方法包括：

10.一种mems微振镜的导线结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至7任一项所述的导线结构，该制备方法包括：

技术总结本发明公开了一种MEMS微振镜的导线结构及制备方法、MEMS微振镜，属于半导体制造工艺技术领域。该导线结构包括导线、以及设置在所述导线的至少一个表面上的黏附层，所述导线结构还包括设置在所述黏附层和所述导线之间的隔离层，所述隔离层与所述黏附层之间的扩散速率小于所述黏附层与所述导线之间的扩散速率。该导线结构通过设置隔离层可以减缓黏附层的扩散，保证导线的黏附效果，提高微振镜系统中导线的电学稳定性和使用寿命。技术研发人员：姜洪权,李治廷,王盛曦,张强强,孙鹏,罗伟天受保护的技术使用者：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29