一种推进剂箭上过冷装置的制作方法

本技术涉及低温推进剂过冷，具体为一种推进剂箭上过冷装置。

背景技术：

1、由于过冷推进剂带来的密度增大可提高火箭整体性能，现在很多液氧甲烷火箭均采用各种方法对推进剂进行液氧甲烷双过冷或者单独液氧/甲烷过冷，过冷方式大多为地面过冷之后加注到箭上贮箱。

2、这种方式的缺点是过冷推进剂一旦加注到箭上，火箭需要在短时间内发射，否则在外界的换热情况下难以保持过冷推进剂的品质；推进剂温度一旦升高，箭上不具备再次降温的能力。这个缺点极大限制了过冷推进剂的使用范围。且地面过冷设备的增加会导致地面加注系统控制复杂、可靠性降低、成本增大。

3、对于推进剂是液氧和甲烷的液体火箭来说，两种推进剂都属于低温推进剂，在加注过程和进入箭上贮箱中后都会有很大的蒸发量，考虑飞行过程中需要蒸发量带来的多余的重量，影响火箭整体起飞质量。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种推进剂箭上过冷装置，具备不对火箭整体起飞质量造成过大影响的优点，以解决背景技术中提出的问题。

2、为实现不对火箭整体起飞质量造成过大影响的目的，本实用新型提供如下技术方案：一种推进剂箭上过冷装置，包括第一贮箱，还包括：第二贮箱，所述第二贮箱位于第一贮箱内，且第二贮箱用于容纳液甲烷；间隔空间，所述间隔空间由第一贮箱的内壁与第二贮箱的外壁形成，且间隔空间用于容纳液氧，所述液氧通过第二贮箱的箱壁与液甲烷传热。

3、作为本实用新型的一种优选技术方案，述第一贮箱上设有气孔，所述气孔用于液氧气化排气。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二贮箱的两端重合于第一贮箱的两端，所述间隔空间由第二贮箱的轴向外壁与第一贮箱的内壁形成。

5、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二贮箱具有两个单独的端封口，所述间隔空间由第一贮箱的内壁、第二贮箱的两封口端外壁与第二贮箱的轴向外壁形成。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二贮箱与第一贮箱的内壁之间固定有第一拉杆，以给予第二贮箱支撑力。

7、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二贮箱具有一个单独的封口端，且所述第二贮箱的另一端重合于第一贮箱的一端，所述间隔空间由第一贮箱的内壁、第二贮箱的轴向外壁以及第二贮箱的封口端外壁形成。

8、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二贮箱设有一个或多个，且所述第二贮箱均匀的布置于第一贮箱内。

9、与现有技术相比，本实用新型提供了一种推进剂箭上过冷装置，具备以下有益效果：

10、该推进剂箭上过冷装置，设置了内外嵌套的第二贮箱和第一贮箱，位于外围的液氧一方面与液甲烷传热，对液甲烷进行过冷，另外一方面和外界换热，这两者都通过液氧的气化带走系统热量，外界换热量是固有的，系统仅增加过冷甲烷需要的液氧，增加的过冷用液氧大部分会在加注过程中气化并排出贮箱，不会对火箭整体起飞质量造成过大影响。

技术特征：

1.一种推进剂箭上过冷装置，包括第一贮箱(100)，其特征在于，还包括：

2.根据权利要求1所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第一贮箱(100)上设有气孔，所述气孔用于液氧气化排气。

3.根据权利要求2所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第二贮箱的两端重合于第一贮箱(100)的两端，所述间隔空间(300)由第二贮箱的轴向外壁与第一贮箱(100)的内壁形成。

4.根据权利要求2所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第二贮箱具有两个单独的端封口，所述间隔空间(300)由第一贮箱(100)的内壁、第二贮箱的两封口端外壁与第二贮箱的轴向外壁形成。

5.根据权利要求4所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第二贮箱与第一贮箱(100)的内壁之间固定有第一拉杆(400)，以给予第二贮箱支撑力。

6.根据权利要求2所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第二贮箱具有一个单独的封口端，且所述第二贮箱的另一端重合于第一贮箱(100)的一端，所述间隔空间(300)由第一贮箱(100)的内壁、第二贮箱的轴向外壁以及第二贮箱的封口端外壁形成。

7.根据权利要求3-6任一项所述的一种推进剂箭上过冷装置，其特征在于：所述第二贮箱设有一个或多个，且所述第二贮箱均匀的布置于第一贮箱(100)内。

技术总结本技术公开了一种推进剂箭上过冷装置，涉及低温推进剂过冷技术领域，该推进剂箭上过冷装置，包括第一贮箱，还包括：第二贮箱，所述第二贮箱位于第一贮箱内，且第二贮箱用于容纳液甲烷；间隔空间，所述间隔空间由第一贮箱的内壁与第二贮箱的外壁形成，且间隔空间用于容纳液氧。本技术，设置了内外嵌套的第二贮箱和第一贮箱，位于外围的液氧一方面与液甲烷传热，对液甲烷进行过冷，另外一方面和外界换热，这两者都通过液氧的气化带走系统热量，外界换热量是固有的，系统仅增加过冷甲烷需要的液氧，增加的过冷用液氧大部分会在加注过程中气化并排出贮箱，不会对火箭整体起飞质量造成过大影响。技术研发人员：牛国俊受保护的技术使用者：北京箭元科技有限责任公司技术研发日：20231108技术公布日：2024/7/11